偽SRAM本質(zhì)上是一種經(jīng)過(guò)優(yōu)化的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），其核心技術(shù)在于通過(guò)內(nèi)置的控制邏輯電路，模擬傳統(tǒng)SRAM的接口時(shí)序，從而在使用上具備SRAM的簡(jiǎn)便性。用戶無(wú)需關(guān)心內(nèi)部復(fù)雜的刷新機(jī)制，即可像操作標(biāo)準(zhǔn)異步SRAM一樣進(jìn)行讀寫(xiě)。雖然存儲(chǔ)單元依然基于DRAM的電容結(jié)構(gòu)，需要定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定性，但得益于內(nèi)部集成刷新電路，偽SRAM實(shí)現(xiàn)了“免刷新操作”的體驗(yàn)，大幅降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度。

偽SRAM存儲(chǔ)器psram本質(zhì)上是一種特殊的DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），它通過(guò)內(nèi)部的硬件電路模擬SRAM的接口，使得外部看起來(lái)像SRAM一樣操作簡(jiǎn)單。但內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的基本單元仍是電容，需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)的正確性。

由于采用DRAM存儲(chǔ)單元，偽SRAM能夠在同樣面積下實(shí)現(xiàn)更高容量，同時(shí)其超低功耗技術(shù)使其在對(duì)能耗敏感的便攜設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。EMI164LA16LM-70I采用與低功耗異步SRAM兼容的接口設(shè)計(jì)，工程師無(wú)需修改現(xiàn)有控制邏輯即可無(wú)縫替換，極大降低了開(kāi)發(fā)成本與周期。偽SRAM芯片適用于工業(yè)控制、智能儀表、通信模塊、物聯(lián)網(wǎng)終端等對(duì)成本、功耗和體積有嚴(yán)格要求的嵌入式系統(tǒng)。

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審核編輯 黃宇