2026年Q1，國(guó)內(nèi)某估值超千億的通用大模型廠商，遭遇了成立以來(lái)最嚴(yán)重的一次算力危機(jī)：他們提前6個(gè)月鎖定了晶圓廠產(chǎn)能、包下了華南某頭部封測(cè)廠3條Chiplet專屬產(chǎn)線、囤積了足額的HBM3內(nèi)存，計(jì)劃一次性落地2萬(wàn)片國(guó)產(chǎn)高端AI芯片，支撐新一代大模型的訓(xùn)練與推理。

但最終，整個(gè)項(xiàng)目的交付周期拖了整整4個(gè)月，算力集群上線時(shí)間直接跳票——卡脖子的不是芯片設(shè)計(jì)、不是晶圓代工、不是HBM，而是一張厚度不足0.3mm的ABF載板。

該廠商供應(yīng)鏈負(fù)責(zé)人的原話是：“我們找遍了國(guó)內(nèi)所有能做ABF載板的廠商，實(shí)驗(yàn)室參數(shù)都能對(duì)標(biāo)海外，但量產(chǎn)良率最高只有32%，而海外頭部廠商的良率穩(wěn)定在95%以上。哪怕我們?cè)敢獬袚?dān)3倍的成本，也拿不到足夠的、能穩(wěn)定用于AI芯片的合格載板?！?/span>

這個(gè)案例，不是個(gè)例，而是2026年整個(gè)中國(guó)AI算力產(chǎn)業(yè)的縮影。

當(dāng)全行業(yè)都在盯著芯片制程、大模型參數(shù)、算力集群規(guī)模的時(shí)候，很少有人真正看清：AI算力的終局競(jìng)爭(zhēng)，早已從芯片設(shè)計(jì)的表層戰(zhàn)場(chǎng)，坍縮到了底層材料的生死局。海外對(duì)華科技封鎖的槍口，也早已從7nm、5nm晶圓代工，精準(zhǔn)對(duì)準(zhǔn)了那些看不見(jiàn)、卻能鎖死整個(gè)算力產(chǎn)業(yè)命脈的新材料賽道。

本文從技術(shù)底層邏輯、產(chǎn)業(yè)鏈綁定暗線、真實(shí)量產(chǎn)數(shù)據(jù)、海外封鎖細(xì)節(jié)、投資真?zhèn)蚊}五個(gè)維度，深度拆解卡死AI算力的四大核心材料賽道，還原中國(guó)材料產(chǎn)業(yè)突圍的真實(shí)戰(zhàn)場(chǎng)，給從業(yè)者與投資人最具落地性的行業(yè)判斷。

一、破題

為什么AI算力的競(jìng)爭(zhēng)，最終會(huì)坍縮成材料的生死之爭(zhēng)？

絕大多數(shù)人對(duì)AI算力的認(rèn)知，都停留在“芯片制程越先進(jìn)，算力越強(qiáng)”的表層。但事實(shí)上，當(dāng)硅基芯片制程逼近1nm的物理極限，晶體管尺寸已經(jīng)接近硅原子直徑（0.22nm），量子隧穿效應(yīng)帶來(lái)的漏電、發(fā)熱問(wèn)題已經(jīng)無(wú)法通過(guò)制程迭代解決。

行業(yè)公認(rèn)的提升算力的四大核心路徑——Chiplet先進(jìn)封裝、液冷散熱、硅光互聯(lián)、存算一體，沒(méi)有一個(gè)能脫離底層材料的突破。換句話說(shuō)，AI算力的天花板，從來(lái)不是芯片設(shè)計(jì)能力，而是材料的物理極限。

我們可以從三個(gè)底層邏輯，徹底看清這場(chǎng)材料生死局的本質(zhì)：

1.硅基芯片的物理極限，本質(zhì)是材料的極限

從14nm到3nm，制程迭代帶來(lái)的晶體管密度提升，已經(jīng)從10倍級(jí)下降到2倍級(jí)，而研發(fā)成本、制造成本卻呈指數(shù)級(jí)上漲。英偉達(dá)最新的H200芯片，單芯片算力已經(jīng)突破4PFLOPS，但實(shí)際落地到AI集群中，有效算力利用率不足40%——不是芯片算不動(dòng)，而是信號(hào)傳不出去、熱量散不出來(lái)、數(shù)據(jù)存不下來(lái)，而這三大問(wèn)題的核心卡點(diǎn)，全在材料。

更關(guān)鍵的是，所有能突破硅基極限的下一代技術(shù)，無(wú)論是光子芯片、碳基芯片，還是量子芯片，最終的落地瓶頸，依然是材料。沒(méi)有新材料的突破，所有的架構(gòu)創(chuàng)新、設(shè)計(jì)創(chuàng)新，都是空中樓閣。

2.AI算力的成本曲線，最終由材料的國(guó)產(chǎn)化率決定

2026年國(guó)內(nèi)AI算力的TCO（總擁有成本）中，70%以上來(lái)自進(jìn)口環(huán)節(jié)，其中材料成本占比超過(guò)一半。比如：

——先進(jìn)封裝成本中，ABF載板等核心材料占比高達(dá)65%，幾乎100%依賴進(jìn)口；

——AI數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)成本中，核心散熱材料占比超過(guò)60%，高端產(chǎn)品進(jìn)口依賴度超90%；

——800G以上高速光模塊成本中，光學(xué)材料占比超過(guò)40%，高端產(chǎn)品進(jìn)口依賴度超70%。

這意味著，只要核心材料沒(méi)有實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，國(guó)內(nèi)AI算力的成本就永遠(yuǎn)降不下來(lái)，中國(guó)AI產(chǎn)業(yè)就永遠(yuǎn)只能賺“組裝加工”的辛苦錢(qián)，利潤(rùn)大頭全被海外材料廠商拿走。更致命的是，海外廠商可以隨時(shí)通過(guò)漲價(jià)、斷供，鎖死整個(gè)中國(guó)AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

3.海外對(duì)華科技封鎖的終局，是材料的精準(zhǔn)卡脖子

2025年12月，美國(guó)BIS更新了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制條例，新增了12種用于先進(jìn)封裝、硅光互聯(lián)的半導(dǎo)體材料的出口限制，明確禁止向中國(guó)出口用于3nm以下Chiplet封裝的ABF樹(shù)脂、高端環(huán)氧塑封料；2026年1月，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省跟進(jìn)更新了對(duì)華出口管制清單，新增了6種高端半導(dǎo)體材料，包括AI芯片用的高導(dǎo)熱界面材料、硅光芯片用的非線性光學(xué)材料。

海外很清楚：晶圓代工你能靠產(chǎn)能、政策慢慢追，但材料的壁壘，是幾十年的工藝積累、全球?qū)＠季?、深度綁定的供?yīng)鏈體系，不是短時(shí)間能突破的。這才是真正能鎖死中國(guó)AI算力產(chǎn)業(yè)的“命門(mén)”——哪怕你能設(shè)計(jì)出頂尖的AI芯片，能造出晶圓，沒(méi)有對(duì)應(yīng)的材料，你根本封裝不出、用不了、跑不起來(lái)。

二、核心賽道深度拆解

四大材料賽道的卡脖子真相與突圍戰(zhàn)場(chǎng)

接下來(lái)，我們將從技術(shù)壁壘的底層本質(zhì)、產(chǎn)業(yè)鏈的綁定暗線、國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)現(xiàn)狀、投資的真命題與偽命題四個(gè)維度，深度拆解每一個(gè)核心賽道。

（一）先進(jìn)封裝核心材料：Chiplet時(shí)代的命門(mén)，不是工藝，是材料體系的全面壟斷

1、行業(yè)認(rèn)知糾偏

絕大多數(shù)人以為，Chiplet的核心壁壘是TSV、RDL等封裝工藝，但事實(shí)上，先進(jìn)封裝的成本構(gòu)成里，材料占比高達(dá)65%，其中ABF載板占45%，封裝樹(shù)脂、底部填充膠、導(dǎo)電銀漿等占20%，工藝設(shè)備僅占35%。換句話說(shuō)，Chiplet的產(chǎn)能瓶頸，從來(lái)不是封測(cè)產(chǎn)線，而是核心材料的供貨能力。

英偉達(dá)、AMD高端AI芯片的交付延遲，80%以上的原因，是ABF載板的供貨不足，而非晶圓代工產(chǎn)能不足——這是全行業(yè)都知道，卻很少有人公開(kāi)說(shuō)的真相。

2、核心卡脖子壁壘的底層拆解

先進(jìn)封裝材料的卡脖子，從來(lái)不是“國(guó)內(nèi)做不出樣品”，而是配方、專利、供應(yīng)鏈綁定的三重壟斷，其中最具代表性的，就是AI芯片用ABF載板。

ABF載板的核心，是日本味之素壟斷的ABF薄膜樹(shù)脂，全球市占率高達(dá)99%，幾乎形成了絕對(duì)壟斷。國(guó)內(nèi)廠商之所以無(wú)法突破，核心卡點(diǎn)有三個(gè)：

（1）ppm級(jí)的工藝控制壁壘，不是配方，是量產(chǎn)一致性

ABF樹(shù)脂的核心性能要求，是低介電常數(shù)（Dk≤3.0）、低吸水率（≤0.3%）、高耐熱性（Tg≥180℃），同時(shí)雜質(zhì)含量必須控制在1ppm以內(nèi)，分子量分布離散系數(shù)必須控制在1.2以內(nèi)。

國(guó)內(nèi)廠商在實(shí)驗(yàn)室里，能做出參數(shù)達(dá)標(biāo)的樣品，但量產(chǎn)時(shí)，雜質(zhì)含量普遍在5ppm以上，分子量分布離散系數(shù)最高達(dá)到1.8。這一點(diǎn)點(diǎn)差距，會(huì)直接導(dǎo)致載板在高溫工作時(shí)介電常數(shù)飆升，信號(hào)延遲增加30%以上，甚至出現(xiàn)信號(hào)串?dāng)_，直接廢掉AI芯片的多芯粒互聯(lián)能力。

更致命的是，海外廠商的量產(chǎn)良率穩(wěn)定在95%以上，而國(guó)內(nèi)廠商的量產(chǎn)良率最高僅能達(dá)到40%，這直接導(dǎo)致國(guó)產(chǎn)ABF載板的成本，是海外產(chǎn)品的3倍以上，完全沒(méi)有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

（2）覆蓋全產(chǎn)業(yè)鏈的專利壁壘，繞不開(kāi)的專利陷阱

味之素在ABF樹(shù)脂領(lǐng)域，布局了超過(guò)3000項(xiàng)全球?qū)＠?strong>覆蓋了配方、聚合工藝、應(yīng)用場(chǎng)景、器件結(jié)構(gòu)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，專利保護(hù)期長(zhǎng)達(dá)20年。國(guó)內(nèi)廠商哪怕研發(fā)出了性能達(dá)標(biāo)的產(chǎn)品，也幾乎無(wú)法繞開(kāi)味之素的專利布局，只要進(jìn)入全球供應(yīng)鏈，就會(huì)面臨巨額的專利訴訟，根本無(wú)法商業(yè)化落地。

這也是為什么，國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)ABF載板廠商，只能做“來(lái)料加工”——采購(gòu)味之素的ABF薄膜，自己做基板的鉆孔、鍍銅、層壓，核心材料100%依賴進(jìn)口，根本不是真正的國(guó)產(chǎn)替代。一旦海外斷供，直接停擺。

（3）綁定死的供應(yīng)鏈體系，新玩家根本無(wú)法進(jìn)入的閉環(huán)

味之素和臺(tái)積電、英特爾、AMD、英偉達(dá)，有超過(guò)20年的聯(lián)合研發(fā)協(xié)議。下一代Chiplet架構(gòu)需要什么樣的載板性能，提前3年就會(huì)和味之素確定研發(fā)方向，材料研發(fā)和芯片設(shè)計(jì)、封測(cè)工藝完全同步。

這意味著，當(dāng)國(guó)內(nèi)廠商拿到海外最新的載板參數(shù)，開(kāi)始模仿研發(fā)的時(shí)候，味之素已經(jīng)在研發(fā)下一代產(chǎn)品了，國(guó)內(nèi)廠商永遠(yuǎn)只能跟在后面模仿，永遠(yuǎn)慢一步。更關(guān)鍵的是，臺(tái)積電、三星等頭部封測(cè)廠，已經(jīng)和味之素形成了深度的工藝綁定，產(chǎn)線完全適配味之素的材料，國(guó)內(nèi)廠商的材料，哪怕參數(shù)達(dá)標(biāo)，也需要封測(cè)廠花費(fèi)1-2年的時(shí)間調(diào)整產(chǎn)線工藝，根本沒(méi)人愿意付出這個(gè)成本。

3、國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)現(xiàn)狀

我們用2026年Q1最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)，還原最真實(shí)的國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度，拒絕“偽突破”的宣傳話術(shù)：

——AI芯片用10層以上高精密ABF載板：國(guó)產(chǎn)化率不足3%，僅深南電路、興森科技等少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)小批量試產(chǎn)，仍處于頭部客戶驗(yàn)證階段，良率不足40%；

——消費(fèi)電子用4層以下ABF載板：國(guó)產(chǎn)化率約21%，主要集中在中低端市場(chǎng)，無(wú)法用于高端AI芯片；

——AI芯片用低應(yīng)力環(huán)氧塑封料（EMC）：國(guó)產(chǎn)化率不足5%，高端市場(chǎng)被日本日立化成、住友電木壟斷；

——高端底部填充膠、導(dǎo)電銀漿：國(guó)產(chǎn)化率不足8%，核心市場(chǎng)被美國(guó)漢高、日本日立化成壟斷。

4、投資的真命題與偽命題

（1）偽命題（堅(jiān)決規(guī)避）

——只看實(shí)驗(yàn)室參數(shù)，不看量產(chǎn)良率和客戶認(rèn)證的項(xiàng)目，90%都是“樣品講故事”；

——僅做基板加工，不掌握核心樹(shù)脂配方的“偽國(guó)產(chǎn)替代”項(xiàng)目，沒(méi)有核心壁壘，斷供即死；

——靠低價(jià)內(nèi)卷中低端市場(chǎng)，沒(méi)有高端研發(fā)能力，無(wú)法進(jìn)入AI芯片供應(yīng)鏈的項(xiàng)目，沒(méi)有長(zhǎng)期成長(zhǎng)空間。

（2）真命題（重點(diǎn)布局）：

——已經(jīng)掌握核心樹(shù)脂配方，實(shí)現(xiàn)中試量產(chǎn)，正在通過(guò)頭部封測(cè)廠、AI芯片廠商認(rèn)證的項(xiàng)目；

——已經(jīng)進(jìn)入華為海思、寒武紀(jì)、壁仞科技等國(guó)內(nèi)頭部AI芯片廠商供應(yīng)鏈，有批量訂單的項(xiàng)目；

——和封測(cè)廠、芯片設(shè)計(jì)廠聯(lián)合研發(fā)，綁定下一代Chiplet技術(shù)路線，而非單純模仿海外的項(xiàng)目。

延伸閱讀：

預(yù)警，ABF缺貨達(dá)42%！ABF膠膜的國(guó)產(chǎn)突圍與投資機(jī)會(huì)

（二）算力散熱核心材料：不是“輔助件”，是AI算力成本的生死線

1、行業(yè)認(rèn)知糾偏

絕大多數(shù)人以為，散熱材料只是AI芯片的“輔助空調(diào)”，但事實(shí)上，2026年國(guó)內(nèi)AI數(shù)據(jù)中心的TCO中，散熱系統(tǒng)的占比已經(jīng)超過(guò)30%，而散熱材料占了散熱系統(tǒng)成本的60%以上。更關(guān)鍵的是，國(guó)家對(duì)東部地區(qū)數(shù)據(jù)中心PUE的強(qiáng)制要求（≤1.3），已經(jīng)讓風(fēng)冷技術(shù)徹底走到了盡頭，液冷成為高端AI算力機(jī)房的唯一標(biāo)配，而液冷的核心壁壘，從來(lái)不是管道和機(jī)柜，而是散熱材料。

一組扎心的數(shù)據(jù)：國(guó)內(nèi)超80%的AI算力機(jī)房，因散熱能力不達(dá)標(biāo)，芯片長(zhǎng)期只能運(yùn)行在標(biāo)稱算力的60%以下，極端場(chǎng)景下甚至?xí)|發(fā)過(guò)載保護(hù)，直接停機(jī)。散熱材料，已經(jīng)成為決定AI算力能不能跑起來(lái)、能不能降本的核心生死線。

2、核心卡脖子壁壘的底層拆解

AI算力散熱的核心賽道，分為浸沒(méi)式冷卻液和高導(dǎo)熱界面材料（TIM）兩大方向，兩者的卡脖子邏輯完全不同，但核心都是工藝、驗(yàn)證、供應(yīng)鏈綁定的三重壁壘。

（1）浸沒(méi)式冷卻液：全氟化合物的合成壟斷，與兼容性驗(yàn)證的死亡門(mén)檻

浸沒(méi)式液冷是當(dāng)前最高效的散熱方案，直接把芯片泡在冷卻液里，散熱效率是風(fēng)冷的100倍以上，也是下一代超算、AI集群的標(biāo)配。其中，高端全氟浸沒(méi)冷卻液，被美國(guó)3M、杜邦壟斷了全球90%以上的市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商的突破難度極大：

——核心合成工藝壁壘：全氟冷卻液的核心制備技術(shù)是電化學(xué)氟化，該技術(shù)被3M、杜邦壟斷了超過(guò)60年，國(guó)內(nèi)只有極少數(shù)企業(yè)掌握了小規(guī)模合成工藝，且產(chǎn)品的絕緣性、熱穩(wěn)定性、沸點(diǎn)控制精度，和海外產(chǎn)品差距在2個(gè)數(shù)量級(jí)以上。更致命的是，全氟化合物的合成，會(huì)產(chǎn)生大量的副產(chǎn)物，提純難度極高，國(guó)內(nèi)廠商的產(chǎn)品純度普遍在99%以下，而海外產(chǎn)品純度能達(dá)到99.999%，這一點(diǎn)點(diǎn)雜質(zhì)，會(huì)在長(zhǎng)期高溫工作中腐蝕芯片和服務(wù)器元器件，造成不可逆的損壞。

——兼容性驗(yàn)證的死亡門(mén)檻：3M的氟化液，和英偉達(dá)的AI芯片、戴爾/惠普的服務(wù)器，做了長(zhǎng)達(dá)5年的兼容性驗(yàn)證，形成了行業(yè)默認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)。國(guó)內(nèi)廠商的產(chǎn)品，哪怕實(shí)驗(yàn)室參數(shù)達(dá)標(biāo)，也沒(méi)有頭部廠商愿意給你做驗(yàn)證——因?yàn)橐活wAI芯片的成本超過(guò)1萬(wàn)元，一臺(tái)服務(wù)器的成本超過(guò)10萬(wàn)元，一旦出現(xiàn)腐蝕問(wèn)題，損失誰(shuí)來(lái)承擔(dān)？哪怕你愿意承擔(dān)所有驗(yàn)證成本，完整的驗(yàn)證周期也長(zhǎng)達(dá)18-24個(gè)月，絕大多數(shù)廠商根本等不起。

（2）高導(dǎo)熱界面材料（TIM）：納米級(jí)配方壁壘，與量產(chǎn)穩(wěn)定性的鴻溝

TIM材料是芯片和散熱板之間的“導(dǎo)熱橋梁”，負(fù)責(zé)把芯片產(chǎn)生的熱量高效傳導(dǎo)出去，直接決定了芯片能不能滿負(fù)荷運(yùn)行。高端AI芯片用的TIM材料，導(dǎo)熱系數(shù)需要達(dá)到12W/m?K以上，日本信越、美國(guó)道康寧的產(chǎn)品能做到15W/m?K以上，且熱阻極低，而國(guó)內(nèi)廠商的產(chǎn)品，大多集中在8W/m?K以下的中低端市場(chǎng)，能做到12W/m?K以上的，量產(chǎn)穩(wěn)定性極差。

核心壁壘在于，高端TIM材料的配方，是納米級(jí)的陶瓷粉體和聚合物基體的復(fù)合，粉體的粒徑、分散性、表面改性，直接決定了材料的導(dǎo)熱性能。海外廠商經(jīng)過(guò)幾十年的積累，已經(jīng)形成了完整的配方數(shù)據(jù)庫(kù)和制備工藝，而國(guó)內(nèi)廠商大多還處于“試錯(cuò)式研發(fā)”階段，哪怕做出了達(dá)標(biāo)的樣品，量產(chǎn)時(shí)也會(huì)出現(xiàn)粉體團(tuán)聚、分散不均的問(wèn)題，性能波動(dòng)極大，根本無(wú)法滿足AI芯片的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行要求。

3、國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)現(xiàn)狀

2026年Q1最新產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)：

——國(guó)內(nèi)AI數(shù)據(jù)中心液冷滲透率約18%，預(yù)計(jì)到2028年將達(dá)到82%，對(duì)應(yīng)的浸沒(méi)式冷卻液市場(chǎng)規(guī)模，將從2026年的42億元，增長(zhǎng)到2028年的310億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)170%；

——高端全氟浸沒(méi)冷卻液：國(guó)產(chǎn)化率不足10%，僅永和股份、康鵬科技等少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)，仍處于頭部客戶驗(yàn)證階段；

——冷板式液冷合成型冷卻液：國(guó)產(chǎn)化率約42%，巨化股份、新宙邦等企業(yè)的產(chǎn)品，已經(jīng)進(jìn)入字節(jié)、阿里、騰訊等頭部廠商的供應(yīng)鏈；

——高端AI芯片用TIM材料：國(guó)產(chǎn)化率不足15%，僅德邦科技、飛榮達(dá)等少數(shù)企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，仍以中低端市場(chǎng)為主。

4、產(chǎn)業(yè)鏈暗線

頭部互聯(lián)網(wǎng)廠商、AI廠商的液冷項(xiàng)目，大多采用“總包模式”，總包商和3M、杜邦等海外材料廠商有長(zhǎng)達(dá)10年以上的合作協(xié)議，國(guó)內(nèi)材料廠商哪怕產(chǎn)品更便宜，也很難進(jìn)入供應(yīng)鏈——因?yàn)榭偘滩辉敢獬袚?dān)更換材料帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)，一旦出問(wèn)題，要承擔(dān)巨額的違約賠償。這也是為什么，很多國(guó)產(chǎn)材料參數(shù)達(dá)標(biāo)，卻始終拿不到批量訂單的核心原因。

5、投資的真命題與偽命題

（1）偽命題（堅(jiān)決規(guī)避）：

——只有實(shí)驗(yàn)室配方，沒(méi)有量產(chǎn)能力和長(zhǎng)期兼容性驗(yàn)證數(shù)據(jù)的項(xiàng)目；

——僅做基礎(chǔ)液復(fù)配，不掌握核心電化學(xué)氟化合成工藝的項(xiàng)目，沒(méi)有核心壁壘；

——沒(méi)有頭部客戶訂單，靠低價(jià)內(nèi)卷中低端市場(chǎng)的項(xiàng)目。

（2）真命題（重點(diǎn)布局）：

——掌握核心電化學(xué)氟化合成工藝，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，正在通過(guò)頭部服務(wù)器廠商、AI芯片廠商認(rèn)證的項(xiàng)目；

——已經(jīng)拿到字節(jié)、阿里、騰訊等頭部互聯(lián)網(wǎng)廠商批量訂單，實(shí)現(xiàn)商業(yè)化落地的項(xiàng)目；

——和液冷系統(tǒng)集成商、服務(wù)器廠商聯(lián)合研發(fā)，綁定下一代液冷技術(shù)路線的項(xiàng)目。

延伸閱讀：

液冷深度：行業(yè)前景、技術(shù)路線、產(chǎn)業(yè)鏈及公司（附39頁(yè)P(yáng)PT）

【深度】液冷：智算中心散熱核心技術(shù)（附42頁(yè)P(yáng)PT）

（三）光電互聯(lián)核心材料：硅光時(shí)代的算力高速公路，專利與工藝的雙重壁壘

1、行業(yè)認(rèn)知糾偏

AI大模型的訓(xùn)練，對(duì)集群帶寬的需求是指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的：GPT-5的訓(xùn)練，需要的集群帶寬是GPT-3的100倍以上。傳統(tǒng)的電互聯(lián)（銅纜傳輸），帶寬上限是400Gbps，延遲超過(guò)100ns，已經(jīng)根本無(wú)法滿足下一代AI大模型的訓(xùn)練需求。

行業(yè)公認(rèn)的終極解決方案，是硅光互聯(lián)——用光信號(hào)代替電信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)，帶寬能做到1.6Tbps以上，延遲不到10ns，能耗降低70%。而硅光技術(shù)的核心，從來(lái)不是光芯片設(shè)計(jì)，而是光學(xué)材料——沒(méi)有光學(xué)材料的突破，硅光芯片就是無(wú)源之水。

更關(guān)鍵的是，中國(guó)光模塊廠商占據(jù)了全球800G以上光模塊60%以上的市場(chǎng)份額，但核心光學(xué)材料的國(guó)產(chǎn)化率不足30%，相當(dāng)于“我們組裝了全球最多的光模塊，卻要給海外材料廠商交一半以上的利潤(rùn)”。

2、核心卡脖子壁壘的底層拆解

硅光互聯(lián)的核心材料賽道，分為特種光纖預(yù)制棒、硅光芯片波導(dǎo)材料、高速光模塊封裝材料三大方向，核心壁壘是工藝精度、專利布局、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。

（1）特種光纖預(yù)制棒：氣相沉積工藝的精度壁壘，折射率的納米級(jí)控制

高端數(shù)據(jù)中心用的超低損耗單模光纖預(yù)制棒，是光信號(hào)傳輸?shù)暮诵妮d體，日本信越、藤倉(cāng)壟斷了全球75%以上的市場(chǎng)。核心壁壘在于氣相沉積工藝的精準(zhǔn)控制：預(yù)制棒的折射率分布偏差，必須控制在10^-5以內(nèi)，相當(dāng)于在1公里的長(zhǎng)度上，偏差不能超過(guò)1cm。

國(guó)內(nèi)廠商的沉積工藝，普遍只能做到10^-4的精度，這一點(diǎn)點(diǎn)偏差，會(huì)直接導(dǎo)致光信號(hào)的傳輸損耗增加30%以上，傳輸距離縮短一半，根本沒(méi)法用于長(zhǎng)距離、高帶寬的AI算力集群。更致命的是，海外廠商的預(yù)制棒拉絲合格率穩(wěn)定在99%以上，而國(guó)內(nèi)廠商的合格率最高僅能達(dá)到90%，成本差距極大。

（2）硅光芯片波導(dǎo)材料：原子級(jí)的表面粗糙度控制，散射損耗的生死線

氮化硅波導(dǎo)是硅光芯片的核心元器件，負(fù)責(zé)光信號(hào)的傳輸和調(diào)制，美國(guó)Ligentec、荷蘭ASML旗下的光刻機(jī)廠商，壟斷了核心的制備工藝。波導(dǎo)材料的核心性能要求，是表面粗糙度必須控制在0.1nm以內(nèi)，也就是原子級(jí)的精度。

國(guó)內(nèi)廠商制備的波導(dǎo)材料，表面粗糙度普遍在1nm以上，比海外高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，這會(huì)導(dǎo)致光信號(hào)的散射損耗增加10倍以上，根本沒(méi)法用于高速光模塊。這也是為什么，國(guó)內(nèi)能設(shè)計(jì)出頂尖的硅光芯片，卻沒(méi)法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)落地的核心原因——沒(méi)有對(duì)應(yīng)的波導(dǎo)材料，芯片設(shè)計(jì)再好，也跑不起來(lái)。

（3）值得驕傲的反向壟斷：非線性光學(xué)晶體

非線性光學(xué)晶體是硅光芯片的核心元器件，負(fù)責(zé)激光的頻率轉(zhuǎn)換和調(diào)制，國(guó)內(nèi)福晶科技、華光光電等企業(yè)，占據(jù)了全球80%以上的市場(chǎng)份額，掌握了核心專利和制備工藝，是少數(shù)能反向卡脖子海外的材料賽道，也是國(guó)內(nèi)硅光產(chǎn)業(yè)突圍的核心底牌。

3、國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)現(xiàn)狀

2026年Q1最新產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)：

——2026年全球800G以上光模塊的市場(chǎng)規(guī)模，將達(dá)到180億美元，中國(guó)廠商的市場(chǎng)份額超過(guò)60%，但核心光學(xué)材料的國(guó)產(chǎn)化率不足30%；

——高端數(shù)據(jù)中心用超低損耗光纖預(yù)制棒：國(guó)產(chǎn)化率不足25%，長(zhǎng)飛光纖、亨通光電實(shí)現(xiàn)了部分量產(chǎn)，主要集中在中低端市場(chǎng)；

——硅光芯片用氮化硅波導(dǎo)材料：國(guó)產(chǎn)化率不足10%，仍處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和中試階段，基本依賴進(jìn)口；

——高速光模塊用高端封裝材料：國(guó)產(chǎn)化率不足20%，核心市場(chǎng)被日本日立、美國(guó)康寧壟斷。

4、產(chǎn)業(yè)鏈暗線

海外光學(xué)材料廠商，和全球頭部的光芯片廠商、光模塊廠商，有深度的聯(lián)合研發(fā)綁定。比如康寧和思科、英特爾，信越和中際旭創(chuàng)、新易盛，有長(zhǎng)期的合作協(xié)議，光模塊廠商要給海外客戶供貨，必須使用客戶指定的材料，沒(méi)法隨便更換國(guó)產(chǎn)材料。這就導(dǎo)致國(guó)內(nèi)材料廠商，哪怕產(chǎn)品達(dá)標(biāo)，也很難進(jìn)入全球供應(yīng)鏈，只能在國(guó)內(nèi)小眾市場(chǎng)內(nèi)卷。

5、投資的真命題與偽命題

（1）偽命題（堅(jiān)決規(guī)避）：

——只做材料加工，不掌握核心合成、制備工藝的項(xiàng)目；

——沒(méi)有頭部光模塊廠商的認(rèn)證，只有實(shí)驗(yàn)室樣品的項(xiàng)目；

——技術(shù)路線落后，跟不上硅光技術(shù)迭代節(jié)奏的項(xiàng)目。

（2）真命題（重點(diǎn)布局）：

——掌握核心氣相沉積工藝，實(shí)現(xiàn)高端光纖預(yù)制棒穩(wěn)定量產(chǎn)的項(xiàng)目；

——已經(jīng)進(jìn)入中際旭創(chuàng)、新易盛等頭部光模塊廠商供應(yīng)鏈，有批量訂單的項(xiàng)目；

——和光芯片廠商、光模塊廠商聯(lián)合研發(fā)，綁定下一代硅光技術(shù)路線的項(xiàng)目；

——在非線性光學(xué)晶體等優(yōu)勢(shì)賽道，拓展硅光應(yīng)用場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)技術(shù)延伸的項(xiàng)目。

（四）新型存儲(chǔ)核心材料：破解“內(nèi)存墻”的終極底牌，專利與商業(yè)化的雙重陷阱

1、行業(yè)認(rèn)知糾偏

AI大模型訓(xùn)練中，90%以上的能耗和延遲，都來(lái)自數(shù)據(jù)在計(jì)算單元和存儲(chǔ)單元之間的搬運(yùn)，這就是行業(yè)常說(shuō)的“內(nèi)存墻”。這個(gè)問(wèn)題，靠傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash根本沒(méi)法解決，因?yàn)樗鼈兊淖x寫(xiě)速度和功耗，已經(jīng)逼近物理極限。

破解“內(nèi)存墻”的唯一終極路徑，是存算一體——把計(jì)算單元和存儲(chǔ)單元集成在一起，直接在存儲(chǔ)里完成計(jì)算，徹底消除數(shù)據(jù)搬運(yùn)的損耗。而存算一體的核心，就是新型存儲(chǔ)材料——沒(méi)有材料的突破，存算一體就是空中樓閣。

2、核心卡脖子壁壘的底層拆解

當(dāng)前全球公認(rèn)的、最適合AI場(chǎng)景的三大新型存儲(chǔ)技術(shù)，分別是相變存儲(chǔ)（PCRAM）、阻變存儲(chǔ)（RRAM）、鐵電存儲(chǔ)（FeRAM），三者的核心卡點(diǎn)，全在材料，核心壁壘是專利壟斷、量產(chǎn)一致性、晶圓廠工藝協(xié)同。

（1）相變存儲(chǔ)材料（PCRAM）：硫系化合物的專利壟斷，繞不開(kāi)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)陷阱

PCRAM的核心是硫系化合物材料，通過(guò)材料的晶態(tài)和非晶態(tài)轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，是當(dāng)前商業(yè)化進(jìn)度最快的存算一體技術(shù)。三星、美光、英特爾壟斷了全球90%以上的核心專利，覆蓋了材料配方、制備工藝、器件結(jié)構(gòu)等全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，專利保護(hù)期長(zhǎng)達(dá)20年。

國(guó)內(nèi)廠商哪怕研發(fā)出了性能達(dá)標(biāo)的材料，也幾乎無(wú)法繞開(kāi)海外的專利布局，只要進(jìn)入商業(yè)化量產(chǎn)，就會(huì)面臨巨額的專利訴訟。這也是為什么，國(guó)內(nèi)PCRAM的研發(fā)進(jìn)度很快，卻始終無(wú)法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的核心原因。

（2）阻變存儲(chǔ)材料（RRAM）：量產(chǎn)一致性的鴻溝，晶圓級(jí)的均勻性控制

RRAM的核心是金屬氧化物材料，通過(guò)材料的電阻變化實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗極低，特別適合AI端側(cè)場(chǎng)景。國(guó)內(nèi)的研發(fā)進(jìn)度和海外基本同步，復(fù)旦大學(xué)、清華大學(xué)等高校，已經(jīng)研發(fā)出了性能達(dá)標(biāo)的材料樣品，但核心問(wèn)題是量產(chǎn)一致性極差。

同一晶圓上的不同存儲(chǔ)單元，電阻變化的偏差超過(guò)20%，根本沒(méi)法實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，而海外廠商的偏差能控制在5%以內(nèi)。這個(gè)差距，不是配方的問(wèn)題，是幾十年的薄膜制備工藝積累，不是短時(shí)間能彌補(bǔ)的。更致命的是，RRAM的制備工藝，和晶圓廠的產(chǎn)線深度綁定，國(guó)內(nèi)晶圓廠的工藝精度，根本沒(méi)法滿足大規(guī)模量產(chǎn)的要求。

（3）鐵電存儲(chǔ)材料（FeRAM）：下一代存算一體的核心，制備工藝的代差

FeRAM的核心是鉿基鐵電材料，讀寫(xiě)速度極快、功耗極低、循環(huán)壽命極長(zhǎng)，是下一代存算一體芯片最有潛力的方向。英特爾、臺(tái)積電、三星已經(jīng)在這個(gè)領(lǐng)域布局了超過(guò)10年，掌握了核心的原子層沉積制備工藝，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3nm以下工藝的量產(chǎn)適配。

國(guó)內(nèi)的研發(fā)還處于實(shí)驗(yàn)室階段，雖然部分高校實(shí)現(xiàn)了材料的實(shí)驗(yàn)室制備，但距離量產(chǎn)還有很遠(yuǎn)的距離，核心卡點(diǎn)在于，國(guó)內(nèi)晶圓廠的最先進(jìn)工藝是14nm，根本沒(méi)法支持下一代鐵電存儲(chǔ)材料的大規(guī)模制備，研發(fā)成果只能在實(shí)驗(yàn)室里驗(yàn)證，沒(méi)法實(shí)現(xiàn)商業(yè)化落地。

3、國(guó)產(chǎn)替代的真實(shí)現(xiàn)狀

2026年Q1最新產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)：

——2026年全球新型存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模，將達(dá)到85億美元，預(yù)計(jì)到2030年將超過(guò)400億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)40%；

——國(guó)內(nèi)新型存儲(chǔ)材料的商業(yè)化量產(chǎn)率不足5%，絕大多數(shù)還處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)和中試階段；

——PCRAM/RRAM材料：僅武漢新芯、兆易創(chuàng)新等少數(shù)企業(yè)，推出了存算一體芯片原型，進(jìn)入了端側(cè)場(chǎng)景的驗(yàn)證階段，量產(chǎn)規(guī)模極?。?/span>

——鉿基鐵電存儲(chǔ)材料：國(guó)內(nèi)仍處于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段，商業(yè)化量產(chǎn)率不足1%，基本依賴進(jìn)口。

4、產(chǎn)業(yè)鏈暗線

新型存儲(chǔ)技術(shù)的迭代，和晶圓廠的工藝深度綁定。臺(tái)積電、三星的3nm以下工藝，已經(jīng)全面支持新型存儲(chǔ)材料的制備，而國(guó)內(nèi)的中芯國(guó)際，最先進(jìn)的量產(chǎn)工藝是14nm，根本沒(méi)法支持下一代新型存儲(chǔ)材料的大規(guī)模制備。這就導(dǎo)致國(guó)內(nèi)的研發(fā)成果，只能在實(shí)驗(yàn)室里驗(yàn)證，沒(méi)法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)落地，陷入了“研發(fā)-驗(yàn)證-沒(méi)法量產(chǎn)-再研發(fā)”的死循環(huán)。

5、投資的真命題與偽命題

（1）偽命題（堅(jiān)決規(guī)避）：

——只有實(shí)驗(yàn)室原型，沒(méi)有量產(chǎn)工藝和晶圓廠合作的項(xiàng)目，90%都是概念炒作；

——沒(méi)有核心自主專利，繞不開(kāi)海外專利壁壘的項(xiàng)目，商業(yè)化即死；

——沒(méi)有明確的落地場(chǎng)景，純靠技術(shù)講故事的項(xiàng)目。

（2）真命題（重點(diǎn)布局/長(zhǎng)期關(guān)注）：

——掌握核心材料配方和制備工藝，有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，和國(guó)內(nèi)晶圓廠聯(lián)合研發(fā)，實(shí)現(xiàn)中試驗(yàn)證的項(xiàng)目；

——在端側(cè)AI場(chǎng)景，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)存算一體芯片量產(chǎn)落地，有明確客戶訂單的項(xiàng)目；

——和國(guó)內(nèi)AI芯片廠商聯(lián)合研發(fā)，綁定下一代存算一體架構(gòu)的項(xiàng)目（長(zhǎng)期布局）。

三、深度洞察

中國(guó)新材料突圍的核心矛盾，根本不是技術(shù)，是產(chǎn)業(yè)閉環(huán)的缺失

寫(xiě)到這里，相信很多人都能看清一個(gè)殘酷的真相：中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)的最大痛點(diǎn)，從來(lái)不是“實(shí)驗(yàn)室做不出來(lái)”，而是“做出來(lái)了，沒(méi)人敢用；沒(méi)人用，就沒(méi)法量產(chǎn)；沒(méi)法量產(chǎn)，就沒(méi)法迭代；沒(méi)法迭代，就永遠(yuǎn)追不上海外”——這是一個(gè)死循環(huán)，也是海外廠商能壟斷幾十年的核心原因。

1、海外廠商的壟斷閉環(huán)：聯(lián)合研發(fā)的生態(tài)綁定

海外的材料產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)形成了“材料廠商-晶圓廠/封測(cè)廠-芯片設(shè)計(jì)廠-終端客戶”的四方聯(lián)合研發(fā)體系，這是一個(gè)牢不可破的閉環(huán)。

比如味之素的ABF樹(shù)脂，是和臺(tái)積電、英偉達(dá)、AMD聯(lián)合研發(fā)的：下一代Chiplet架構(gòu)需要什么樣的材料性能，提前3年就會(huì)確定研發(fā)方向，材料研發(fā)和芯片設(shè)計(jì)、封測(cè)工藝完全同步。材料一研發(fā)出來(lái)，就有臺(tái)積電的產(chǎn)線做驗(yàn)證，有英偉達(dá)的芯片做測(cè)試，有終端客戶的場(chǎng)景做落地，迭代速度極快。

更關(guān)鍵的是，這個(gè)閉環(huán)形成了極強(qiáng)的排他性：新的廠商哪怕做出了性能更好的產(chǎn)品，也根本沒(méi)法進(jìn)入這個(gè)體系——因?yàn)檎麄€(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的工藝、標(biāo)準(zhǔn)、產(chǎn)線，都已經(jīng)和現(xiàn)有材料廠商深度綁定，更換供應(yīng)商的成本極高，風(fēng)險(xiǎn)極大，沒(méi)人愿意做這個(gè)嘗試。

2、國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的困境：?jiǎn)蜗蜓邪l(fā)的死循環(huán)

國(guó)內(nèi)的材料產(chǎn)業(yè)，恰恰相反，是“材料廠商自己悶頭研發(fā)，研發(fā)出樣品，到處找客戶做驗(yàn)證”的單向模式，而客戶根本不敢給你驗(yàn)證的機(jī)會(huì)，核心原因有三個(gè)：

驗(yàn)證成本極高：一顆高端AI芯片的成本超過(guò)1萬(wàn)元，用你的材料做驗(yàn)證，一旦出問(wèn)題，芯片直接報(bào)廢，損失誰(shuí)來(lái)承擔(dān)？

驗(yàn)證周期極長(zhǎng)：高端半導(dǎo)體材料的完整驗(yàn)證周期，長(zhǎng)達(dá)18-24個(gè)月，要經(jīng)過(guò)上千次的高低溫循環(huán)、濕度循環(huán)、可靠性測(cè)試，客戶沒(méi)有動(dòng)力花這么長(zhǎng)的時(shí)間，去驗(yàn)證一個(gè)沒(méi)有經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)材料。

責(zé)任風(fēng)險(xiǎn)極大：如果用了你的材料，最終產(chǎn)品出了問(wèn)題，客戶要承擔(dān)終端用戶的巨額賠償，沒(méi)人敢擔(dān)這個(gè)責(zé)任。

國(guó)內(nèi)某頭部封測(cè)廠的采購(gòu)負(fù)責(zé)人，說(shuō)過(guò)一句非常扎心的話：“我們也想支持國(guó)產(chǎn)材料，但海外廠商的材料，用了20年，從來(lái)沒(méi)出過(guò)問(wèn)題。國(guó)產(chǎn)材料哪怕實(shí)驗(yàn)室參數(shù)達(dá)標(biāo)，我們也不敢大規(guī)模用，因?yàn)橐坏┏鰡?wèn)題，整個(gè)產(chǎn)線都要停，損失幾千萬(wàn)，誰(shuí)來(lái)負(fù)責(zé)？我們最多給你1%的產(chǎn)線做驗(yàn)證，而且要你自己承擔(dān)所有的驗(yàn)證成本，就算驗(yàn)證通過(guò)了，也最多給你10%的訂單，不可能全部替換?！?/span>

這就是國(guó)內(nèi)材料產(chǎn)業(yè)最真實(shí)的困境：沒(méi)有驗(yàn)證機(jī)會(huì)，就沒(méi)有量產(chǎn)數(shù)據(jù)；沒(méi)有量產(chǎn)數(shù)據(jù)，就沒(méi)法優(yōu)化工藝、迭代產(chǎn)品；沒(méi)法迭代產(chǎn)品，就永遠(yuǎn)追不上海外廠商，永遠(yuǎn)只能在中低端市場(chǎng)內(nèi)卷。

3、破局的唯一路徑：構(gòu)建產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的國(guó)產(chǎn)替代閉環(huán)

要打破這個(gè)死循環(huán)，靠單個(gè)企業(yè)的研發(fā)突破根本沒(méi)用，必須靠“政策引導(dǎo)+龍頭帶動(dòng)+產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同”，構(gòu)建起屬于中國(guó)的材料產(chǎn)業(yè)閉環(huán)：

政策引導(dǎo)：國(guó)家出臺(tái)專項(xiàng)政策，給使用國(guó)產(chǎn)材料的晶圓廠、封測(cè)廠、終端廠商，提供風(fēng)險(xiǎn)補(bǔ)償、稅收優(yōu)惠和專項(xiàng)資金支持，降低客戶的驗(yàn)證風(fēng)險(xiǎn)和成本；

龍頭帶動(dòng)：國(guó)內(nèi)的AI芯片龍頭、互聯(lián)網(wǎng)大廠、封測(cè)廠、晶圓廠，主動(dòng)承擔(dān)起產(chǎn)業(yè)鏈責(zé)任，給國(guó)產(chǎn)材料廠商提供驗(yàn)證的機(jī)會(huì)，開(kāi)放產(chǎn)線和場(chǎng)景，聯(lián)合研發(fā)；

產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：材料廠商、晶圓廠、芯片設(shè)計(jì)廠、終端客戶，形成聯(lián)合研發(fā)體系，提前布局下一代技術(shù)路線，讓材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)需求同步，而不是跟在海外后面模仿。

只有這樣，才能真正打破海外的壟斷，實(shí)現(xiàn)中國(guó)新材料產(chǎn)業(yè)的自主可控。

四、2026年AI算力材料賽道投資全景圖譜

為了方便從業(yè)者與投資人參考，我們整理了2026年AI算力材料賽道的完整投資全景圖譜，基于最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)、國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度、技術(shù)壁壘，給出明確的投資評(píng)級(jí)與核心關(guān)注標(biāo)的。

結(jié)尾

AI算力的競(jìng)爭(zhēng)，從來(lái)不是單點(diǎn)的芯片之爭(zhēng)，而是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的底層生態(tài)之爭(zhēng)。

當(dāng)全行業(yè)都在盯著芯片制程、大模型參數(shù)、算力集群規(guī)模的時(shí)候，我們必須清醒地認(rèn)識(shí)到：沒(méi)有底層材料的自主可控，所有的算力繁榮，都是建立在沙灘上的高樓，海外隨時(shí)可以斷供，隨時(shí)可以鎖死你的命脈。

中國(guó)AI算力的突圍，從來(lái)不是靠買(mǎi)幾張海外芯片、抄幾個(gè)大模型就能實(shí)現(xiàn)的，而是要靠成千上萬(wàn)的材料人，在實(shí)驗(yàn)室里、在產(chǎn)線上，一點(diǎn)點(diǎn)打磨工藝、一點(diǎn)點(diǎn)積累數(shù)據(jù)、一點(diǎn)點(diǎn)突破壁壘，靠整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同，構(gòu)建起“驗(yàn)證-量產(chǎn)-迭代”的完整閉環(huán)，才能真正打破海外的壟斷，實(shí)現(xiàn)真正的自主可控。

對(duì)于從業(yè)者來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)最壞的時(shí)代，因?yàn)楹Ｍ獾谋趬疽呀?jīng)筑了幾十年，我們要追的路還很長(zhǎng)；但這也是一個(gè)最好的時(shí)代，因?yàn)槿駻I算力的爆發(fā)，給了我們前所未有的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，給了我們打破壟斷閉環(huán)的窗口。

對(duì)于投資人來(lái)說(shuō)，不要去追逐那些炒概念、講故事的偽突破，要去尋找那些真正掌握核心技術(shù)、真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)落地、真正進(jìn)入頭部供應(yīng)鏈的企業(yè)。這些企業(yè)，才是中國(guó)AI算力產(chǎn)業(yè)的真正底牌，也才是真正能帶來(lái)10倍、100倍回報(bào)的投資機(jī)會(huì)。

你覺(jué)得中國(guó)AI算力材料突圍，最大的卡點(diǎn)是什么？

你還想深入拆解哪個(gè)細(xì)分材料賽道的產(chǎn)業(yè)與投資邏輯？

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