上海貝嶺第七代IGBT技術(shù)優(yōu)勢解析

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，市場對高效率、高功率快充基礎(chǔ)設(shè)施的需求日益增強。充電樁核心部件——電源模塊，正面臨能量轉(zhuǎn)換效率、小型化集成與散熱性能等方面的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，這也驅(qū)動著相關(guān)技術(shù)的持續(xù)迭代與創(chuàng)新升級。

從輸入輸出類型來看，電源模塊主要包括AC-DC（交流轉(zhuǎn)直流）與DC-DC（直流轉(zhuǎn)直流）兩大類。 在AC-DC功率整流端，以上海貝嶺第七代溝槽場截止（T-FS）IGBT——BLG80T65FDK7-F為例，其憑借優(yōu)異的開關(guān)特性和低導(dǎo)通壓降（VCE(sat)），在提升系統(tǒng)充電效率、降低損耗方面表現(xiàn)突出。

圖1 BLG80T65FDK7-F產(chǎn)品外觀圖

產(chǎn)品型號：BLG80T65FDK7-F

主要參數(shù)：VCES為650V

IC為80A

VCE(sat).typ為1.6V

工藝類型：第七代溝槽場截止（T-FS）

封裝信息：TO247

應(yīng)用領(lǐng)域：充電樁電源模塊、光伏逆變、儲能

產(chǎn)品特點：

1.開關(guān)性能優(yōu)化，支持高開關(guān)頻率，具備低柵極電荷（Qg）與低開關(guān)損耗；

2.低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導(dǎo)通損耗；

3.漏電流小，有助于提升系統(tǒng)能效與運行穩(wěn)定性。

產(chǎn)品特點

低開關(guān)損耗優(yōu)勢明顯

圖2 IGBT開關(guān)損耗實測對比

如圖2所示，在25 ℃和 175 ℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 產(chǎn)品 Eon 、 Eoff 、Ets均優(yōu)于競品 H5系列。

低飽和壓降VCE(sat)，有效降低導(dǎo)通損耗

圖3 IGBT飽和壓降VCE(sat)實測對比

如圖3所示，在25 ℃和 175 ℃條件下，我司 BLG80T65FDK7 的 VCE(sat) 均優(yōu)于競品 H5系列。

低漏電流Ices，高溫表現(xiàn)更穩(wěn)

圖4 IGBT漏電流Ices實測對比

如圖4所示，在常溫25℃條件下，我司BLG80T65FDK7的BV曲線與競品一致；在高溫175℃條件下，其漏電流遠(yuǎn)低于競品。

值得一提的是，上海貝嶺可為客戶提供一站式功率器件選型支持，依托先進(jìn)工藝平臺，推出涵蓋650V IGBT、1200V SiC MOSFET、FRD、超結(jié)MOSFET、高壓平面MOSFET等全系列功率產(chǎn)品，滿足高可靠性、高效率電源模塊的設(shè)計需求。

同時，公司還可配套提供電源管理芯片、存儲器芯片、數(shù)字隔離器、運算放大器與比較器等系列產(chǎn)品，助力客戶實現(xiàn)系統(tǒng)級優(yōu)化。

以直流電源模塊三相 Vienna +全橋 LLC 拓?fù)錇槔?提供主要功率器件產(chǎn)品選型建議 請參考。

圖5 直流電源模塊三相 Vienna +全橋 LLC 拓?fù)?/p>

表1直流充電樁產(chǎn)品選型

上海貝嶺堅持以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動，以客戶需求為導(dǎo)向，致力于為電力電子行業(yè)等應(yīng)用提供高性能、高可靠性的集成電路產(chǎn)品與一站式解決方案，助力客戶提升產(chǎn)品競爭力，共同推動新能源與功率電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。