onsemi N溝道MOSFET FQP9N90C與FQPF9N90CT深度剖析

作為電子工程師，在設(shè)計電路時，MOSFET的選擇至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下onsemi推出的兩款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET——FQP9N90C和FQPF9N90CT。

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產(chǎn)品概述

這兩款MOSFET采用了onsemi專有的平面條紋和DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)經(jīng)過特別設(shè)計，旨在降低導(dǎo)通電阻，同時提供卓越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。它們適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）以及電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用場景。

產(chǎn)品特性

電氣性能

• 高耐壓大電流：能夠承受900V的漏源電壓，連續(xù)漏極電流在(T{C}=25^{circ}C)時可達(dá)8.0A，即使在(T{C}=100^{circ}C)時也有2.8A。脈沖漏極電流更是高達(dá)32A，足以應(yīng)對各種高功率需求。
• 低導(dǎo)通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=4A)的條件下，(R_{DS(on)})最大僅為1.4Ω，有效降低了功率損耗。
• 低柵極電荷：典型值為45nC，這意味著在開關(guān)過程中能夠更快地完成充電和放電，從而提高開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。
• 低反饋電容：(C_{rss})典型值為14pF，有助于降低開關(guān)過程中的干擾和振蕩，提高電路的穩(wěn)定性。
• 雪崩測試：經(jīng)過100%雪崩測試，保證了在雪崩情況下的可靠性，能夠承受一定的過電壓和過電流沖擊。

環(huán)保特性

這兩款器件符合無鉛、無鹵化物和RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求，為綠色電子設(shè)計提供了支持。

產(chǎn)品參數(shù)

最大額定值

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• (B_{V DSS})（漏源擊穿電壓）：在(V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A)時，最小值為900V。
• (I_{DSS})（零柵壓漏極電流）：在(V{DS}=900V)，(V{GS}=0V)時，最大值為10(mu A)；在(V{DS}=720V)，(T{C}=125^{circ}C)時，最大值為10(mu A)。
• (I_{GSSF})（正向柵體泄漏電流）：在(V{GS}=30V)，(V{DS}=0V)時，最大值為100nA。
• (I_{GSSR})（反向柵體泄漏電流）：在(V{GS}=-30V)，(V{DS}=0V)時，最大值為 -100nA。

導(dǎo)通特性

• (V_{GS(th)})（柵源閾值電壓）：在(V{DS}=V{GS})，(I_{D}=250mu A)時，范圍為3.0 - 5.0V。
• (R_{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）：在(V{GS}=10V)，(I{D}=4A)時，典型值為1.12Ω，最大值為1.4Ω。
• (g_{FS})（正向跨導(dǎo)）：在(V{DS}=40V)，(I{D}=4A)時，典型值為9.2S。

動態(tài)特性

• (C_{iss})（輸入電容）：在(V{DS}=25V)，(V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)時，范圍為2100 - 2730pF。
• (C_{oss})（輸出電容）：范圍為175 - 230pF。
• (C_{rss})（反向傳輸電容）：范圍為14 - 18pF。

開關(guān)特性

• (t_{d(on)})（導(dǎo)通延遲時間）：在(V{DD}=450V)，(I{D}=9.0A)，(R_{G}=25Omega)時，典型值為50ns，最大值為110ns。
• (t_{d(off)})（關(guān)斷延遲時間）：典型值為100ns，最大值為210ns。
• (t_{r})（導(dǎo)通上升時間）：典型值為75ns，最大值為160ns。
• (t_{f})（關(guān)斷下降時間）：典型值為18ns。

漏源二極管特性

• (I_{SM})（最大脈沖漏源二極管正向電流）：8.0A。
• (V_{SP})（正向壓降）：在(V{GS}=0V)，(I{S}=100A)時，為1.4V。
• (t_{rr})（反向恢復(fù)時間）：550ns。
• (Q_{m})（反向恢復(fù)電荷）：6.5(mu C)。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源極電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線為工程師在實際應(yīng)用中提供了重要的參考依據(jù)，幫助我們更好地理解器件的性能和特性。

封裝信息

封裝類型

• FQP9N90C采用TO - 220（無鉛）封裝。
• FQPF9N90CT采用TO - 220 - 3F（無鉛）封裝。

包裝規(guī)格

兩款器件均以1000個/管的規(guī)格進(jìn)行包裝。如果需要了解卷帶包裝規(guī)格，可參考BRD8011/D手冊。

測試電路與波形

文檔中還給出了柵極電荷測試電路與波形、電阻性開關(guān)測試電路與波形、無鉗位電感開關(guān)測試電路與波形以及峰值二極管恢復(fù)(dv/dt)測試電路與波形等。這些測試電路和波形有助于工程師在實際測試和驗證過程中準(zhǔn)確測量器件的各項性能指標(biāo)。

總結(jié)

onsemi的FQP9N90C和FQPF9N90CT N溝道MOSFET憑借其出色的電氣性能、環(huán)保特性以及豐富的參數(shù)和特性曲線，為電子工程師在開關(guān)模式電源、PFC和電子燈鎮(zhèn)流器等應(yīng)用中提供了可靠的選擇。在實際設(shè)計中，我們可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合這些特性和參數(shù)，合理選擇和使用這兩款器件，以實現(xiàn)電路的優(yōu)化設(shè)計。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。