91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

華潤微 CRTM900P10LQ -100V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析

佰祥電子—IC專家—技術(shù)中心 ? 來源:佰祥電子—IC專家—技術(shù)中 ? 作者:佰祥電子—IC專家 ? 2026-04-01 09:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

華潤微代理商 - 華潤微授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤微代理商,佰祥電子本期為大家?guī)砣A潤微專為中高壓功率控制場景匠心打造的 Trench P-MOSFET——CRTM900P10LQ,以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝等核心優(yōu)勢,破解中高壓功率場景中器件導(dǎo)通損耗高、耐壓余量不足、車載級可靠性難滿足、功率模塊小型化設(shè)計的行業(yè)痛點。

wKgZO2nMtSuAFpeeAACwioencQM734.pngCRTM900P10LQ PDFN5x6 封裝外形尺寸圖

一、原生適配:專為中高壓功率控制場景匠心定制

CRTM900P10LQ 并非普通 P-MOSFET 器件的簡單設(shè)計,而是立足中高壓功率控制全場景使用需求的定制化 Trench 工藝研發(fā),完美適配各類工業(yè)電機控制、高端電池管理系統(tǒng)、UPS 不間斷電源等設(shè)備,在低導(dǎo)通損耗、高耐壓穩(wěn)定性、車載級可靠性、高功率密度、極簡外圍設(shè)計之間實現(xiàn)最優(yōu)平衡,一站式提供 - 100V 額定耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 持續(xù)電流、AEC-Q101 車載認(rèn)證、100% 全項嚴(yán)苛測試的完整功率開關(guān)一體化解決方案。

wKgZO2nMtU-ADQ5wAACdS4dSaQ0888.pngCRTM900P10LQ 輸出特性曲線

二、七大核心亮點,重新定義中高壓功率場景 P-MOSFET 應(yīng)用標(biāo)桿

wKgZO2nMtX2AKpO9AAB8pHzegGQ759.pngCRTM900P10LQ 導(dǎo)通電阻 - 溫度特性曲線

先進(jìn) CRM Trench 工藝,74mΩ 低導(dǎo)阻優(yōu) FOM 值

采用華潤微 CRM (CQ) 先進(jìn) Trench 溝槽工藝,原生實現(xiàn) 74mΩ 典型導(dǎo)通電阻,大幅降低器件導(dǎo)通損耗,直接提升功率轉(zhuǎn)換效率;擁有優(yōu)異的Qg?×RDS(on)?品質(zhì)因數(shù)(FOM),實現(xiàn)開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的最優(yōu)平衡,完美適配中高壓功率場景的高頻開關(guān)需求;工藝層面優(yōu)化器件內(nèi)部溝道結(jié)構(gòu),提升功率密度,無需多器件并聯(lián)即可滿足中高壓常規(guī)功率需求。

-100V 高耐壓特性,車載級耐壓余量充足

額定漏源擊穿電壓 - 100V,耐壓余量充足,完美適配 30-100V 全系列中高壓功率控制的電壓需求;在額定電壓范圍內(nèi)漏源擊穿電壓(BV DSS)特性高度穩(wěn)定,無明顯參數(shù)漂移,有效抵御供電電壓波動帶來的器件故障風(fēng)險;器件耐壓性能經(jīng)過車載級標(biāo)準(zhǔn)驗證,在復(fù)雜中高壓供電環(huán)境下運行更可靠,適配多場景電壓動態(tài)變化需求。

-17A 大電流承載,66A 脈沖高裕量

25℃硅片極限下支持 - 17A 持續(xù)漏極電流,100℃工況下仍保持 - 12A 持續(xù)電流輸出,充分滿足中高壓功率場景的大電流開關(guān)需求;25℃下脈沖漏極電流可達(dá) - 66A,脈沖電流裕量充足,適配瞬時大電流功率控制場景;器件內(nèi)部優(yōu)化電流分布設(shè)計,避免局部電流集中,大電流工況下溫升低,運行狀態(tài)更穩(wěn)定,無需額外增加擴流器件。

PDFN5x6 小型化封裝,高功率密度易量產(chǎn)

采用 PDFN5x6 高功率密度封裝,封裝尺寸小巧,大幅節(jié)省 PCB 板布局空間,優(yōu)化中高壓功率模塊的整體體積,適配小型化功率設(shè)備設(shè)計需求;完美兼容主流 SMT 貼片工藝,引腳布局標(biāo)準(zhǔn)化,量產(chǎn)貼裝效率高、良率優(yōu);封裝散熱性能優(yōu)異,結(jié)殼熱阻僅 2.9℃/W,有效提升器件大電流工況下的散熱能力,保障長期穩(wěn)定運行。

優(yōu)異開關(guān)特性,低柵極電荷低驅(qū)動損耗

優(yōu)化器件柵極電荷特性,柵極總電荷(Qg)典型值僅 50nC,柵漏電荷(Qgd)低至 8nC,柵極驅(qū)動損耗大幅降低;開通延遲時間僅 9ns,開關(guān)響應(yīng)速度快,精準(zhǔn)適配中高壓場景的高頻開關(guān)應(yīng)用需求;開關(guān)過程中尖峰電壓小,EMI 電磁干擾低,大幅降低外圍 EMC 設(shè)計難度,減少阻容濾波器件的使用,簡化驅(qū)動電路設(shè)計。

wKgZO2nMtaeAWe4oAAHH9jQxx8I380.pngCRTM900P10LQ 電阻負(fù)載開關(guān)測試電路與波形

-55~+175℃寬溫域,全環(huán)境穩(wěn)定工作

支持 - 55~+175℃寬結(jié)溫與存儲溫度范圍,覆蓋工業(yè)級、車載級全溫域應(yīng)用需求;寬溫域內(nèi)導(dǎo)通電阻溫漂特性優(yōu)異,高低溫極端環(huán)境下器件電氣參數(shù)無明顯衰減,電流承載與耐壓能力保持穩(wěn)定;適配戶外、工業(yè)設(shè)備、車載輔助系統(tǒng)等復(fù)雜使用環(huán)境,高低溫工況下無明顯性能損耗,有效提升整機的環(huán)境適應(yīng)能力與使用壽命。

車載級全項認(rèn)證,100% 嚴(yán)苛測試高可靠

通過 AEC-Q101 車載級可靠性認(rèn)證,完全滿足車載電子設(shè)備的高可靠性要求,可直接應(yīng)用于車載輔助功率控制場景;器件經(jīng)過 100% DVDS 測試與 100% 雪崩測試,單脈沖雪崩能量達(dá) 225mJ,抗浪涌、抗沖擊能力優(yōu)異;柵源極支持 ±20V 電壓,過壓耐受能力強,在異常供電工況下可有效保護器件不被損壞,全場景運行更安全。

三、主流應(yīng)用場景

wKgZO2nMtcWATJpTAAB_S98IETA655.pngCRTM900P10LQ 安全工作區(qū)曲線

工業(yè)電機控制與驅(qū)動

高端電池管理系統(tǒng)

UPS 不間斷電源

車載輔助功率控制模塊

中高壓鋰電便攜設(shè)備

工業(yè)級功率開關(guān)電路

四、總結(jié)

CRTM900P10LQ 是一款采用 CRM 先進(jìn) Trench 工藝、-100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流承載、PDFN5x6 高功率密度封裝的車載級高性能 P-MOSFET,在耐壓等級、導(dǎo)通損耗、電流承載、功率密度、開關(guān)特性、溫域適配、可靠性認(rèn)證上實現(xiàn)全維度突破,相比同類型產(chǎn)品更能滿足中高壓功率場景的低損耗、高可靠、小型化應(yīng)用需求,依托華潤微在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的標(biāo)桿之選。

佰祥電子作為華潤微官方授權(quán)代理商,常備 CRTM900P10LQ 原廠現(xiàn)貨,可提供完整規(guī)格書、定制化應(yīng)用方案、全流程硬件調(diào)試指導(dǎo)、樣品快速申請及大規(guī)模量產(chǎn)技術(shù)支持,正品保障、價格優(yōu)勢顯著、交貨周期短,助力客戶中高壓功率相關(guān)產(chǎn)品高效開發(fā)、穩(wěn)定量產(chǎn)、快速搶占市場。

面向功率半導(dǎo)體市場車載化、高可靠、低損耗、小型化的發(fā)展趨勢,CRTM900P10LQ 以 - 100V 高耐壓、74mΩ 低導(dǎo)通電阻、-17A 大電流、PDFN5x6 高功率密度封裝、AEC-Q101 車載認(rèn)證、寬溫域穩(wěn)定工作、全項嚴(yán)苛測試保障的核心優(yōu)勢,成為中高壓功率控制場景 P-MOSFET 應(yīng)用的全新標(biāo)桿方案。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    10197

    瀏覽量

    234414
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31055

    瀏覽量

    265655
  • IC
    IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    36

    文章

    6440

    瀏覽量

    186056
  • 華潤微
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    110

    瀏覽量

    5240
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    安森美100V雙N溝道MOSFET:NVMJD036N10MCL深度解析

    安森美100V雙N溝道MOSFET:NVMJD036N10MCL深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵元件,對于提升電路性能起著至關(guān)
    的頭像 發(fā)表于 04-03 11:35 ?63次閱讀

    深入解析NVTFS5116PL P-Channel MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    深入解析NVTFS5116PL P-Channel MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量 在電子設(shè)計領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,
    的頭像 發(fā)表于 04-02 13:45 ?94次閱讀

    onsemi ATP113 P溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用解析

    onsemi ATP113 P溝道MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用解析 在電子電路設(shè)計中,MOSFET作為重要的功率開關(guān)器件,其性能直接影響著
    的頭像 發(fā)表于 04-01 17:25 ?595次閱讀

    華潤 CRTD280P06L2-GTO-252 P-MOSFET 規(guī)格書 佰祥電子

    華潤代理商 - 華潤授權(quán)佰祥電子為中國區(qū)華潤代理商,佰祥電子本期為大家?guī)?/div>
    發(fā)表于 04-01 11:46 ?0次下載

    華潤 CS18N20A8RZ-G 200V18A0.12Ω Planar TO-220 N-MOSFET 規(guī)格書 (Datasheet)

    耐壓、0.12Ω 低導(dǎo)通電阻、18A 大電流、TO-220 通用封裝等核心優(yōu)勢,破解高壓開關(guān)場景中器件導(dǎo)通損耗高、開關(guān)速度慢、雪崩耐受能力弱、環(huán)保合規(guī)性不足的行業(yè)痛點。 CRTM900P10LQ
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:47 ?70次閱讀
    <b class='flag-5'>華潤</b><b class='flag-5'>微</b> CS18N20A8RZ-G 200<b class='flag-5'>V</b>18A0.12Ω Planar TO-220 N-<b class='flag-5'>MOSFET</b> 規(guī)格書 (Datasheet)

    華潤 CRTE280P06L2-G -60V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析

    通損耗、電流承載能力、功率密度、開關(guān)特性、可靠性認(rèn)證、溫域適配上實現(xiàn)全維度突破,相比同類型產(chǎn)品更能滿足低壓大電流場景的低損耗、高功率、高可靠應(yīng)用需求,依托華潤在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心技術(shù)積累,成為低壓大電流控制場景
    的頭像 發(fā)表于 04-01 09:26 ?74次閱讀
    <b class='flag-5'>華潤</b><b class='flag-5'>微</b> CRTE280<b class='flag-5'>P</b>06L2-G -60<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>Trench</b> <b class='flag-5'>P-MOSFET</b> <b class='flag-5'>技術(shù)參數(shù)</b>與應(yīng)用<b class='flag-5'>解析</b>

    華潤 CRTE280P06L2-G -60V Trench P-MOSFET 技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用解析

    本規(guī)格書由華潤代理商-華潤公司授權(quán)佰祥電子為中國華潤代理商提供。CRTE280
    發(fā)表于 03-31 15:56 ?2次下載

    華潤 CRTE280P06L2-G -60V P-MOSFET 規(guī)格書簡介

    本規(guī)格書由華潤代理商 - 華潤公司授權(quán)佰祥電子為中國華潤代理商提供。CRTE280
    發(fā)表于 03-31 14:52 ?0次下載

    華潤 CRTD050P03L2-G|-30V Trench P-MOSFET 功率器件,中低壓大電流場景高效開關(guān)新標(biāo)桿

    華潤代理商 —— 依托華潤在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的龍頭技術(shù)積淀與全產(chǎn)業(yè)鏈布局,旗下授權(quán)代理商為行業(yè)帶來專為中低壓大電流場景打造的 CRM 先進(jìn)
    的頭像 發(fā)表于 03-30 17:26 ?911次閱讀
    <b class='flag-5'>華潤</b><b class='flag-5'>微</b> CRTD050<b class='flag-5'>P</b>03L2-G|-30<b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>Trench</b> <b class='flag-5'>P-MOSFET</b> 功率器件,中低壓大電流場景高效開關(guān)新標(biāo)桿

    深度解析CSD19535KCS 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET

    深度解析CSD19535KCS 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,MOSFET的性能對整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:30 ?208次閱讀

    深入解析CSD19533KCS 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET

    揮著關(guān)鍵作用。今天,我們將深入探討TI公司的CSD19533KCS 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET,從其特性、應(yīng)用、參數(shù)等多個方面進(jìn)行詳細(xì)解析
    的頭像 發(fā)表于 03-05 16:30 ?165次閱讀

    深入解析CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET

    深入解析CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計中,功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們將深入
    的頭像 發(fā)表于 03-05 14:35 ?220次閱讀

    ?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,尺寸為5mmx6mm,可節(jié)省空間并具有出
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:54 ?891次閱讀
    ?onsemi NTMFS003<b class='flag-5'>P03P</b>8Z <b class='flag-5'>P</b>溝道<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b><b class='flag-5'>解析</b>與應(yīng)用指南

    中科電ZK100G200P100V大電流MOS管的性能突破與場景革命

    在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮中,ZK100G200P憑借“性能對標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢”的特點,成為打破國際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。
    的頭像 發(fā)表于 10-15 11:20 ?762次閱讀
    中科<b class='flag-5'>微</b>電ZK<b class='flag-5'>100G200P</b>:<b class='flag-5'>100V</b>大電流MOS管的性能突破與場景革命

    AP3P10MI 永源100V p溝道增強模式MOSFET

    描述AP3P10MI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的rds (ON),低柵極電荷和在低至5V的柵極電壓下工作。這裝置適合作為電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用。一般特征vds = -100v I d
    發(fā)表于 06-30 09:46 ?0次下載