在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺，計劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽(yù)為“夢想半導(dǎo)體”工藝，每個計算單元大小僅相當(dāng)于五個原子。此舉目標(biāo)明確，直指與臺積電展開全面技術(shù)競爭，鞏固自身在下一代半導(dǎo)體市場的領(lǐng)先地位。

1nm工藝不僅實(shí)現(xiàn)元件小型化，還將引入“fork sheet”（叉片）新結(jié)構(gòu)。此前2nm工藝采用環(huán)柵（GAA）技術(shù)，通過將電流路徑從三邊擴(kuò)展到四邊提升功率效率。而“fork sheet”技術(shù)通過在GAA元件間構(gòu)建電絕緣壁，最大限度縮短元件距離，使相同芯片面積內(nèi)可放置更多元件。目前占據(jù)市場主導(dǎo)地位的臺積電也計劃在2030年后將該技術(shù)引入1nm工藝，三星此舉已做好與之同等競爭的準(zhǔn)備。

自2019年發(fā)布“2030年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體第一”愿景以來，三星電子在先進(jìn)工藝上不斷追趕臺積電。2019年率先推出7nm極紫外（EUV）光刻工藝，2022年又在3nm工藝中率先采用GAA元件。如今，三星在2nm技術(shù)上持續(xù)發(fā)力，開發(fā)“SF2T”定制工藝用于特斯拉2nm AI芯片量產(chǎn)，該芯片2027年起在三星泰勒新晶圓代工廠投產(chǎn)；還加速開發(fā)“SF2P”工藝用于新型智能手機(jī)應(yīng)用處理器生產(chǎn)，“SF2P+”工藝也將于明年投入運(yùn)營。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)人士透露，三星2nm工藝的良率已超過60%，生產(chǎn)效率持續(xù)攀升，市場對今年實(shí)現(xiàn)盈利的預(yù)期正逐步走高。從2nm的穩(wěn)步推進(jìn)到1nm的雄心勃勃，三星正以技術(shù)實(shí)力為籌碼，在下一代半導(dǎo)體市場的競爭中奮力縮小與臺積電的差距。

審核編輯 黃宇