深入解析 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET
一、引言
飛兆半導(dǎo)體(Fairchild)現(xiàn)已并入安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)。在半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展的今天,電子工程師們需要深入了解各類器件的性能和特性,以滿足不同設(shè)計(jì)需求。今天,我們聚焦于 FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 這款產(chǎn)品,詳細(xì)探討其各項(xiàng)特性、參數(shù)及應(yīng)用場景。
文件下載:FDB024N04AL7CN-D.pdf
二、產(chǎn)品背景與名稱變更
由于飛兆半導(dǎo)體與安森美半導(dǎo)體的整合,部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號需要更改以符合安森美半導(dǎo)體的系統(tǒng)要求。特別是產(chǎn)品編號中的下劃線(_)將被改為破折號(-),大家可通過安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站(www.onsemi.com)來驗(yàn)證更新后的器件編號。
三、FDB024N04AL7 特性
3.1 低導(dǎo)通電阻
典型值 (R{DS(on)}=2.0 mΩ)(@ (V{GS}=10 V),(I_{D}=80 A)),這種低導(dǎo)通電阻特性降低了功率損耗,提高了效率,在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。大家想想,在一個(gè)需要大電流輸出的電路里,低導(dǎo)通電阻能減少多少發(fā)熱和能量損耗呢?
3.2 開關(guān)性能優(yōu)越
具有快速開關(guān)速度和低柵極電荷。這使得它在高頻應(yīng)用中能夠快速響應(yīng),降低開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)的整體性能。例如在高頻的電源轉(zhuǎn)換電路中,快速開關(guān)速度能使電路更高效地工作。
3.3 高性能溝道技術(shù)
可實(shí)現(xiàn)極低的 (R_{DS(on)}),同時(shí)具備高功率和高電流處理能力。這意味著它能夠承受較大的功率和電流,適用于對功率要求較高的場合。
3.4 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),這符合當(dāng)前環(huán)保的要求,也為產(chǎn)品的應(yīng)用范圍提供了更廣泛的可能性。
四、產(chǎn)品描述
FDB024N04AL7 采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)。該工藝專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制,在保證低電阻的同時(shí),還能有良好的開關(guān)響應(yīng),為電子工程師的設(shè)計(jì)提供了有力的支持。
五、應(yīng)用領(lǐng)域
5.1 同步整流
用于 ATX/ 服務(wù)器/ 電信 PSU 的同步整流,能有效提高電源的效率和穩(wěn)定性。在服務(wù)器電源中,高效的同步整流可以降低功耗,延長服務(wù)器的使用壽命。
5.2 電池保護(hù)電路
可以對電池進(jìn)行有效的保護(hù),防止過充、過放等情況的發(fā)生,保障電池的安全和性能。
5.3 電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源
在電機(jī)驅(qū)動中,能夠提供穩(wěn)定的功率輸出;在不間斷電源中,確保在市電中斷時(shí)能迅速切換,為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力支持。
六、參數(shù)詳解
6.1 最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏極 - 源極電壓 | 40 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓 | +20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=25^{circ} C),硅限制) | 219* | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=100^{circ} C),硅限制) | 155* | A |
| (I_{D}) | 漏極電流(連續(xù),(T_{C}=25^{circ} C),封裝限制) | 100 | A |
| (I_{DM}) | 漏極電流(脈沖) | 876 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 864 | mJ |
| (dv/dt) | 二極管恢復(fù) (dv/dt) 峰值 | 6.0 | V/ns |
| (P_{D}) | 功耗((T_{C}= 25^{circ} C)) | 214 | W |
| (P_{D}) | 高于 25°C 的功耗系數(shù) | 1.43 | W/°C |
| (T{J},T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
| (T_{L}) | 用于焊接的最高引腳溫度(距離外殼 1/8",持續(xù) 5 秒) | 300 | (^{circ}C) |
注:連續(xù)電流是基于最高可允許的結(jié)溫計(jì)算所得,封裝限制電流為 120 A。
6.2 熱性能
| 符號 | 參數(shù) | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)點(diǎn) - 殼體的熱阻 | 0.7 | (^{circ}C/W) |
| (R_{θJA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻 | 62.5 | (^{circ}C/W) |
6.3 電氣特性
包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性、漏極 - 源極二極管特性等。這些特性在不同的測試條件下都有明確的參數(shù)范圍,為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了詳細(xì)的參考。例如,在導(dǎo)通特性中,柵極閾值電壓 (V{GS(th)}) 在 (V{GS} = V{DS}),(I{D} = 250 μA) 時(shí),最小值為 1.0 V,典型值為 3.0 V。
七、典型性能特征
文檔中給出了多個(gè)典型性能特征的圖表,如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系等。這些圖表直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn),工程師可以根據(jù)圖表來預(yù)測器件在實(shí)際應(yīng)用中的性能,從而優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。
八、結(jié)語
FDB024N04AL7 N 溝道 PowerTrench? MOSFET 憑借其優(yōu)異的特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為電子工程師在設(shè)計(jì)中值得考慮的選擇。我們在使用時(shí),要充分了解其參數(shù)和性能,結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。同時(shí),也要關(guān)注安森美半導(dǎo)體關(guān)于產(chǎn)品編號變更等相關(guān)信息,以確保設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性和可靠性。大家在使用這款器件時(shí),有沒有遇到過什么有趣的問題或者獨(dú)特的應(yīng)用場景呢?歡迎在評論區(qū)分享。
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