FDB024N06 - N溝道PowerTrench? MOSFET：高性能開關(guān)的理想之選
FDB024N06 - N溝道PowerTrench? MOSFET：高性能開關(guān)的理想之選
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下飛兆半導體（現(xiàn)屬于安森美半導體）的FDB024N06 - N溝道PowerTrench? MOSFET。
文件下載：FDB024N06CN-D.pdf
一、安森美與飛兆的整合
飛兆半導體已成為安森美半導體的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的零件編號需要更改，原飛兆零件編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過安森美官網(wǎng)（www.onsemi.com）核實更新后的設(shè)備編號，獲取最新的訂購信息。若對系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。
二、FDB024N06 MOSFET的特性
2.1 基本參數(shù)
FDB024N06是一款60V、265A、2.4mΩ的N溝道MOSFET。在(V{GS}=10V)，(I{D}=75A)的典型條件下，其導通電阻(R_{DS(on)} = 1.8mΩ)。
2.2 性能優(yōu)勢
- 快速開關(guān)速度：能夠?qū)崿F(xiàn)快速的導通和關(guān)斷，減少開關(guān)損耗，提高電路的效率。
- 低柵極電荷：降低了驅(qū)動電路的功耗，使驅(qū)動更加容易。
- 高性能溝道技術(shù)：可實現(xiàn)極低的(R_{DS(on)})，有效降低導通損耗。
- 高功率和高電流處理能力：能夠承受較大的功率和電流，適用于高功率應用。
- 符合RoHS標準：滿足環(huán)保要求，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢。
三、應用領(lǐng)域
3.1 同步整流
可用于ATX/服務器/電信PSU的同步整流，提高電源的效率和性能。
3.2 電池保護電路
在電池保護電路中，能夠快速響應，保護電池免受過充、過放等損害。
3.3 電機驅(qū)動和不間斷電源
為電機驅(qū)動和不間斷電源提供穩(wěn)定的功率輸出，確保設(shè)備的正常運行。
3.4 可再生系統(tǒng)
在可再生能源系統(tǒng)中，如太陽能、風能發(fā)電系統(tǒng)，可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
四、電氣特性
4.1 最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | FDB024N06 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DSS}) | 漏極 - 源極電壓 | 60 | V |
| (V_{GSS}) | 柵極 - 源極電壓 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續(xù)，(T_{C}=25°C)，硅限制） | 265 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續(xù)，(T_{C}=100°C)，硅限制） | 190 | A |
| (I_{D}) | 漏極電流（連續(xù)，(T_{C}=25°C)，封裝限制） | 120 | A |
| (I_{DM}) | 漏極電流（脈沖） | 1060 | A |
| (E_{AS}) | 單脈沖雪崩能量 | 2531 | mJ |
| (dv/dt) | 峰值二極管恢復(dv/dt) | 6.0 | V/ns |
| (P_{D}) | 功耗（(T_{C}=25°C)） | 395 | W |
| (P_{D}) | 功耗（降低至(25°C)以上） | 2.6 | W/°C |
| (T{J}, T{STG}) | 工作和存儲溫度范圍 | -55 ~ +175 | °C |
| (T_{L}) | 用于焊接的最大引線溫度（距離外殼1/8"，持續(xù)5秒） | 300 | °C |
4.2 電氣特性參數(shù)
- 關(guān)斷特性：如漏極 - 源極擊穿電壓(BVDSS)、擊穿電壓溫度系數(shù)(Delta BVDSS / Delta TJ)、零柵極電壓漏極電流(IDSS)、柵極 - 體漏電流(IGSS)等。
- 導通特性：包括柵極閾值電壓(VGS(th))、漏極至源極靜態(tài)導通電阻(RDS(on))、正向跨導(gFS)等。
- 動態(tài)特性：如輸入電容(Ciss)、輸出電容(Coss)、反向傳輸電容(Crss)、柵極電荷總量(Qg(tot))等。
- 開關(guān)特性：導通延遲時間(td(on))、開通上升時間(tr)、關(guān)斷延遲時間(td(off))、關(guān)斷下降時間(tf)等。
- 漏極 - 源極二極管特性：如漏極 - 源極二極管最大正向連續(xù)電流(IS)、最大正向脈沖電流(ISM)、正向電壓(VSD)、反向恢復時間(trr)、反向恢復電荷(Qrr)等。
五、熱性能
| 符號 | 參數(shù) | FDB024N06 | 單位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 結(jié)至外殼熱阻最大值 | 0.38 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻（最小尺寸的2盎司焊盤）最大值 | 62.5 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 結(jié)至環(huán)境熱阻（1in2 2盎司焊盤）最大值 | 40 | °C/W |
良好的熱性能有助于保證MOSFET在工作過程中的穩(wěn)定性和可靠性。
六、典型性能特征
文檔中給出了多個典型性能特征圖，如導通區(qū)域特性、傳輸特性、導通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系、電容特性、柵極電荷特性等。這些特性圖能夠幫助工程師更好地了解MOSFET在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而進行合理的設(shè)計。
七、封裝與訂購信息
FDB024N06采用D2 - PAK封裝，包裝方法為卷帶，卷尺寸為330mm，帶寬為24mm，每卷有800個器件。
八、注意事項
- 安森美半導體保留對產(chǎn)品進行更改的權(quán)利，且不做進一步通知。
- 產(chǎn)品的“典型”參數(shù)在不同應用中可能會有所變化，實際性能也可能隨時間而改變，所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應用進行驗證。
- 安森美半導體產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及用于人體植入的設(shè)備。若客戶將產(chǎn)品用于此類非預期或未授權(quán)的應用，需承擔相應責任。
FDB024N06 - N溝道PowerTrench? MOSFET憑借其優(yōu)異的性能和廣泛的應用領(lǐng)域，為電子工程師在設(shè)計高性能電路時提供了一個可靠的選擇。在實際應用中，工程師們需要根據(jù)具體的設(shè)計需求，結(jié)合MOSFET的各項特性和參數(shù)，進行合理的選型和設(shè)計。大家在使用過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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