環(huán)球晶圓擴(kuò)增12英寸產(chǎn)線 但缺貨緩解要到2020年

正當(dāng)市場認(rèn)為半導(dǎo)體景氣將下修之際，環(huán)球晶圓公布斥資4.38億美元赴韓國擴(kuò)增12英寸硅晶圓產(chǎn)線，引發(fā)市場正反兩極看法，業(yè)者強(qiáng)調(diào)市場需求仍然強(qiáng)勁，預(yù)估要2020年才會(huì)紓解。

來源：***經(jīng)濟(jì)日報(bào)

英特爾10納米制程將提早半年推出 最快明年4月量產(chǎn)

處理器大廠英特爾（Intel）最近遇到14納米產(chǎn)能不足及10納米制程延宕兩大危機(jī)，在英特爾宣布追加10億美元用于14納米制程擴(kuò)產(chǎn)后，現(xiàn)在10納米制程方面也有好消息傳出。市場預(yù)估，英特爾最快在2019年4月就能開始10納米制程量產(chǎn)，比英特爾之前預(yù)期的2019年底至少提早半年。一旦成真，似乎宣示了英特爾準(zhǔn)備重返巔峰。

來源：TechNews科技新報(bào)

集邦咨詢發(fā)布2019年十大科技趨勢：存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)再升級(jí)

展望2019年，由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)已達(dá)到摩爾定律的物理極限，存儲(chǔ)器技術(shù)的發(fā)展將著墨于封裝方式的更新以及對次世代存儲(chǔ)器的探索。為解決現(xiàn)有單顆顆粒封裝時(shí)面臨的bandwidth的瓶頸，廠商企圖透過堆棧（類似TSV）的方式在有限的空間提高信息的傳輸量(throughput)，如目前廠商推出的High Bandwidth Memory(HBM)。

另一方面，為滿足邊緣計(jì)算需要更快的反應(yīng)時(shí)間的需求，與現(xiàn)有的DRAM相較，由于應(yīng)用的架構(gòu)不同（與中央處理器更為靠近，例如是embedded的設(shè)計(jì)），以及產(chǎn)品特性為非揮發(fā)性(non-volatile)所帶來的省電優(yōu)勢，都將使得明年廠商對次世代存儲(chǔ)器的研發(fā)能量將更為強(qiáng)勁。

來源：TrendForce集邦

粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

由廣州、深圳、珠海、香港、澳門相關(guān)機(jī)構(gòu)聯(lián)合發(fā)起的粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟11日在廣州成立。聯(lián)盟旨在共同搭建粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平臺(tái)，提升粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭力。