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助力中芯國際14nm工藝突破,梁孟松“另起爐灶”參與新項目?

cMdW_icsmart ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-10-25 10:37 ? 次閱讀
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今天,業(yè)內(nèi)傳出中芯國際重金挖來的大將——現(xiàn)任中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松可能將離開中芯國際,意欲“另起爐灶”參與由以前臺積電南科 14 廠的核心團隊為主要成員的新籌建的晶圓代工企業(yè)。此一消息傳出后,引發(fā)了業(yè)內(nèi)的極大震動,要知道中芯國際的14nm工藝在梁孟松的幫助下才剛剛獲得突破。

助力中芯國際14nm工藝突破

今年第二財季,中芯國際營收達到了8.907億美元的新高,利潤也同比大幅增長了12.1%至1.941億美元。與此同時,中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍和梁孟松還宣布,“14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進展,第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段。預(yù)計2019年上半年風(fēng)險量產(chǎn)?!倍藭r距離梁孟松加入中芯國際僅10個月左右的時間。

早在去年4月,業(yè)內(nèi)就有傳聞半導(dǎo)體行業(yè)大咖梁孟松很快將加盟中芯國際。不過,直到去年10月,中芯國際才正式宣布梁孟松加盟任Co-CEO(聯(lián)席CEO)。而中芯國際之所以力邀梁孟松加盟,也正是為了在14nm制程工藝上取得突破。

在加盟中芯國際之前,梁孟松曾擔(dān)任臺積電資深研發(fā)處長、三星半導(dǎo)體研發(fā)部總經(jīng)理,而三星當(dāng)時之所以能夠搶先臺積電量產(chǎn)14nm,從臺積電挖來的梁孟松可謂是功不可沒。而此次中芯國際能夠在14nm工藝上取得快速的突破,梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團隊必然是發(fā)揮了很大的作用。據(jù)業(yè)內(nèi)消息,梁孟松加盟中芯國際之時,還從中國***地區(qū)及韓國帶來了相關(guān)技術(shù)人員。

據(jù)悉,梁孟松上任后進行了一系列調(diào)整:加強研發(fā)隊伍建設(shè),強化責(zé)任制,調(diào)整更新14nm FinFET規(guī)劃,將3D FinFET工藝鎖定在高性能運算、低功耗芯片應(yīng)用等。很快,中芯國際之前一直停滯不前的14nm研發(fā)進度開始加速。

在2017年第四季度報中,中芯國際就表示14nm研發(fā)進程進展順利,預(yù)計將在2019年上半年量產(chǎn)14nm FinFET工藝技術(shù),比原先預(yù)期提前了半年。 而僅幾個月之后,中芯國際第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段,再度為14nm的量產(chǎn)加速。這其中,梁孟松可謂是功不可沒。

“另起爐灶”參與新項目?

然而就在今年8月中芯國際宣布14nm FinFET工藝取得突破,第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)成功進入客戶導(dǎo)入階段之后僅2個多月,業(yè)內(nèi)就傳出梁孟松將離開中芯國際,另起爐灶參與新的晶圓代工企業(yè),確實令人震驚。

根據(jù)deeptech深科技曝光的資料顯示,該擬組建的新的晶圓代工企業(yè)情況如下:

項目團隊:主要成員為臺積電南科 14 廠的核心團隊,項目主導(dǎo)者為研發(fā)副總夏勁秋,預(yù)計招募臺積電骨干人員總計約 180 人。

股權(quán)分配:項目技術(shù)團隊預(yù)計持股 49 %。

產(chǎn)能和技術(shù):本項目為月產(chǎn) 3 萬片的 12nm邏輯芯片,以及 1 萬片的 7 nm邏輯芯片。

投資額:估計總投資額為 490 億人民幣,項目第一期投資資金為 230 億,月產(chǎn)能達到 7000 片的 12 寸晶圓 12 nm邏輯芯片。第二期投入 260 億元,擴增月產(chǎn)能至 2.3 萬片 12 納米邏輯芯片。第三期希望能再募資 100 億元,增加 1 萬片的 7 nm邏輯芯片的產(chǎn)能。

土地:該項目規(guī)劃工業(yè)用地 500 畝,配套廠商工業(yè)用地 1500 畝,用于高管配套住宅商住用地 300 畝。

值得一提的是,這份項目企劃書的主導(dǎo)者是夏勁秋正是當(dāng)年跟著梁孟松從臺積電跳槽到韓國三星電子的一員大將。

另外,業(yè)內(nèi)消息顯示,該項目仍在尋找資金,而昆明市政府是金主之一。

為什么不可能?

雖然,目前中芯國際并未對此消息進行回應(yīng)。不過,從目前來看,梁孟松離開中芯國際參與該項目幾乎是不可能的。

首先,自梁孟松去年10月正式加盟中芯國際到現(xiàn)在僅僅一年的時間,雖然在梁孟松的幫助下,中芯國際14nmFinFET技術(shù)取得了突破,第一代14nm FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段,但是距離成功量產(chǎn)仍有一段距離,而這也是難度最大的地方。梁孟松不可能有始無終,半途而廢,在14nm未成功量產(chǎn)的情況下就離開中芯國際。

其次,中芯國際對于梁孟松開出的條件已經(jīng)是足夠的優(yōu)厚,不僅出任國內(nèi)第一大晶圓代工廠中芯國際的聯(lián)合首席執(zhí)行官(Co-CEO)兼執(zhí)行董事,同時也給予了充分的發(fā)揮空間,不然也不可能在短短數(shù)月時間就成績。而對于梁孟松這個層級的人來說,有中芯國際這個可以大展拳腳的好平臺,其他項目提供的優(yōu)厚的條件恐怕也不會有太大的吸引力。

第三,眾人皆知梁孟松與臺積電曾有過一段不堪回首的往事。此前梁孟松跳槽三星,還曾遭到了臺積電的起訴,被稱之為“叛將”。梁孟松不太可能才剛剛加盟中芯國際,在中芯國際內(nèi)部順風(fēng)順?biāo)那闆r下加入到由前臺積電南科14 廠的核心團隊主導(dǎo)項目中去,再次成為“叛將”,而“叛將”這個標(biāo)簽也一直是梁孟松想要洗刷掉的,這個階段梁孟松,對于“名節(jié)”必然是非??粗氐?。

第四,爆料稱臺積電南科14 廠將有 180名骨干人員加盟新的晶圓廠項目。顯然,即便是對于全球第一大晶圓代工廠臺積電來說,一下子180人的核心團隊集體跳槽,可是一件天大的事。且不說臺積電待遇優(yōu)厚,南科14 廠不太可能真的有180人跳槽出來,即便是有,臺積電也不可能允許這么多人集體“帶槍跳槽”。

第五,從該項目書來看,擬建的12吋晶圓廠鎖定的是非常先進的12nm甚至是目前最先進的7nm工藝,這顯然是有點大躍進(要知道目前國內(nèi)最先進的量產(chǎn)工藝也是臺積電南京廠的16nm工藝,中芯國際的14nm還沒量產(chǎn))。且不說這需要耗費大量的資金投入,還需要大量的技術(shù)人才的加入,而這180人的團隊如果不“帶槍跳槽”,想要實現(xiàn)這個目標(biāo)可謂是難于登天。如果是“帶槍跳槽”,臺積電是絕對不會善罷甘休的。即便是有梁孟松這樣的大牛加入,要想實現(xiàn)12nm和7 nm工藝,也是非常困難。而且梁孟松如果有能力帶領(lǐng)團隊突破12nm和7nm工藝,為何不在更有實力和底蘊的中芯國際平臺上來實現(xiàn),卻會選擇一個充滿不確定性的新平臺呢?

所以,筆者認為今天傳出的梁孟松將離開中芯國際加盟新項目的消息應(yīng)該只是個謠言!

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原文標(biāo)題:梁孟松將離開中芯國際另起爐灶?這恐怕只是個謠言!

文章出處:【微信號:icsmart,微信公眾號:芯智訊】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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