今年10月份SK Hynix才剛剛建成最新的M15晶圓廠，這是2015年全球最大的存儲芯片工廠M14落成時SK Hynix宣布的46萬億韓元投資計劃中的一部分，M15工廠位于韓國忠清南道的清州市，投資額高達15萬億韓元，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，初期將生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆棧3D NAND，不過明年初就會轉(zhuǎn)向96層堆棧的3D NAND閃存。

著NAND閃存及DRAM內(nèi)存不斷降價，2019年存儲芯片市場將迎來一輪熊市。為了應(yīng)對降價導致的損失，三星、SK Hynix及美光都計劃削減資本支出，不過削減并不意味著他們不再建設(shè)芯片工廠了。

就在本周三，也就是12月19日，SK海力士位于無錫的M16工廠正式舉行開工典禮，預(yù)計2020年正式建成，總投資額還沒確定，不過也不會低于15萬億韓元，其中基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)就要3.5萬億韓元，占地面積30英畝。這座工廠最終會生產(chǎn)DRAM內(nèi)存還是NAND閃存都沒確定，SK Hynix表示這要看落成時的市場需求以及工廠的技術(shù)水平來決定。

不過有一點可以肯定的，M16工廠將會用上最先進的EUV光刻工藝——存儲芯片跟邏輯芯片不同，雖然對EUV光刻工藝的需求沒那么高，不過三星、SK Hynix依然計劃在未來使用EUV工藝生產(chǎn)存儲芯片，而美光對EUV的態(tài)度就比較保守，未來兩代的內(nèi)存芯片依然不會用到EUV光刻工藝。

據(jù)ASML證實，此次入駐SK海力士無錫工廠確為NXT2000i，也即NXT2000。ASML解釋道，i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的機器。

今年8月份曾有消息表示，ASML已經(jīng)開始出貨新品Twinscan NXT2000i DUV（NXT2000i雙工件臺深紫外***），可用于7nm和5nm節(jié)點。

NXT2000i將是NXE3400B EUV***的有效補充，畢竟臺積電/GF的第一代7nm都是基于DUV工藝。

同時，NXT2000i也成為了ASML旗下套刻精度（overlay）最高的產(chǎn)品，達到了和3400B一樣的1.9nm（5nm要求至少2.4nm，7nm要求至少3.5nm）。

當時ASML只表示這款性能出眾的***將于本年度末正式量產(chǎn)，尚未確定***的價格。根據(jù)媒體的估計，按照目前ASML的定位，這款***的定價應(yīng)該在幾千萬至上億美元之間。ASML的3400B EUV***的報價是1.2億美元一臺，而14nm節(jié)點的***報價則在7200萬美元。