東芝周二晚些時(shí)候表示，它已開(kāi)始采用其首個(gè)UFS 3.0存儲(chǔ)解決方案。該器件面向移動(dòng)應(yīng)用，有望提供與PC高端SSD相媲美的性能。

東芝的UFS 3.0存儲(chǔ)陣容將包括128 GB，256 GB和512 GB的內(nèi)存，這些內(nèi)存最初將首先針對(duì)今年晚些時(shí)候推出的高端智能手機(jī)。最初，東芝將對(duì)128 GB設(shè)備進(jìn)行采樣，而更高容量的驅(qū)動(dòng)器將在2019年3月之后提供。所有新產(chǎn)品都基于東芝的96層BiCS4 3D TLC NAND存儲(chǔ)器以及內(nèi)部開(kāi)發(fā)的UFS 3.0控制器。

制造商沒(méi)有透露其UFS 3.0部件的性能，但僅表示其互連層在兩個(gè)全雙工通道上支持每通道高達(dá)11.6 Gbps（HS-Gear4）的數(shù)據(jù)速率以及QoS功能，以實(shí)現(xiàn)通過(guò)監(jiān)控和培訓(xùn)通信渠道進(jìn)行更可靠的連接，這是規(guī)范的具有強(qiáng)制性速度的特征。UFS 3.0驅(qū)動(dòng)器的最高性能約為2.9 GB / s，但東芝目前唯一公開(kāi)的有關(guān)其UFS 3.0產(chǎn)品的信息是其旗艦512 GB設(shè)備的順序讀寫(xiě)速度分別與Toshiba的上一代UFS 2.1產(chǎn)品相比大約高出70％和80％。至于電壓，它們是UFS 3.0標(biāo)準(zhǔn)的典型值：VCC為1.2 V，VCCQ2為1.8 V，VCC為2.5 V / 3.3 V.

UFS 3.0除了提高理論傳輸速率，而且溫度從-25℃至85℃擴(kuò)展為- 40℃至105℃，并針對(duì)高溫下電子流失，增加了數(shù)據(jù)刷新操作，通過(guò)重寫(xiě)數(shù)據(jù)延長(zhǎng)高溫下數(shù)據(jù)保存時(shí)間，還增加了溫度提醒、報(bào)警功能，以符合汽車(chē)、監(jiān)控、工業(yè)等領(lǐng)域?qū)挏氐囊蟆?/p>

新的UFS產(chǎn)品符合JEDEC UFS V3.0標(biāo)準(zhǔn)，單通道理論帶寬提升到11.6Gbps，傳輸速度是UFS 2.1的2倍，雙通道最高達(dá)23.2Gbps，用于滿足高端智能型手機(jī)，5G手機(jī)對(duì)更高傳輸速度的要求。

除了東芝是第一家開(kāi)始對(duì)UFS 3.0存儲(chǔ)進(jìn)行采樣的NAND制造商之外，該公司預(yù)計(jì)今年市場(chǎng)上將出現(xiàn)第一款將使用該驅(qū)動(dòng)器的商用智能手機(jī)（因此可享受超快速存儲(chǔ)解決方案的優(yōu)勢(shì)）。最終，UFS 3.0產(chǎn)品將用于其他性能要求苛刻的應(yīng)用，例如AR / VR耳機(jī)。