據(jù)報(bào)道，近日，三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。

MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，能夠應(yīng)用于通用微控制器(MCU)、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、消費(fèi)類電子、汽車等，提升數(shù)據(jù)保存的能力。

報(bào)道指出，三星MRAM方案無(wú)需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以功耗也很優(yōu)秀。

另外，這一方案結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可以通過(guò)在當(dāng)前基于邏輯流程的設(shè)計(jì)中添加最少的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，減輕了三星進(jìn)行新設(shè)計(jì)的負(fù)擔(dān)，并降低了生產(chǎn)成本。

隨著三星大規(guī)模量產(chǎn)首款商用MRAM產(chǎn)品，業(yè)界開(kāi)始猜測(cè)，具有低成本、更優(yōu)速度和功率優(yōu)勢(shì)的MRAM是否會(huì)在未來(lái)取代DRAM與NAND，進(jìn)而改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局？

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)認(rèn)為，MRAM在電信特性上與現(xiàn)有的DRAM與NAND相似，但互有優(yōu)劣。使用MRAM，需要改變平臺(tái)的架構(gòu)，因此未來(lái)MRAM可能會(huì)取代部分DRAM/NAND成為另一種分支型態(tài)的存儲(chǔ)器解決方案，但不會(huì)完全取代DRAM/NAND。

此外，DRAMeXchange還看好MRAM與DRAM/NAND合作前景。一方面，MRAM與DRAM/NAND配合，可以取得省電以及性能的優(yōu)勢(shì)，另一方面，新的存儲(chǔ)器加入，也能夠避免原先存儲(chǔ)器解決方案若有大缺貨發(fā)生時(shí)的價(jià)格不穩(wěn)定狀況。