從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)鑫會(huì)踩到前人地雷，然合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA MEMORY+ 論壇中首次揭露，正在研發(fā)的 DRAM 技術(shù)基礎(chǔ)是授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲(chǔ)大廠奇夢(mèng)達(dá)（ Qimonda ），此番宣言恐讓手舉專利大刀準(zhǔn)備砍下去的美光（ Micron ）、三星電子（ Samsung Elecgtronics ）十分錯(cuò)愕。

近兩年來(lái)對(duì)于公開(kāi)曝光十分低調(diào)的朱一明，15 日現(xiàn)身 GSA MEMORY+ 論壇引發(fā)業(yè)內(nèi)人士轟動(dòng)，他更是有備而來(lái)，帶著 “解答” 和“解藥”公開(kāi)現(xiàn)身。

朱一明宣布，合肥長(zhǎng)鑫的技術(shù)基礎(chǔ)來(lái)源是奇夢(mèng)達(dá)，“解答”外界擔(dān)心長(zhǎng)鑫侵權(quán)美光 DRAM 技術(shù)和專利的疑慮，同時(shí)也破除前陣子傳出長(zhǎng)鑫 “求救” 三星技轉(zhuǎn)技術(shù)的消息，此番宣言對(duì)于國(guó)內(nèi)自主存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)而言，更是一帖絕對(duì)合法合規(guī)的“解藥”。

朱一明表示，首先是通過(guò)與奇夢(mèng)達(dá)的合作，并且結(jié)合長(zhǎng)鑫自主技術(shù)團(tuán)隊(duì)的研發(fā)，目前已經(jīng)有 1000 多件 DRAM 相關(guān)技術(shù)，再者是與設(shè)備***大廠 ASML 合作論文，并采用其試產(chǎn)線進(jìn)行前期研發(fā)。

合肥長(zhǎng)鑫僅花了 14 個(gè)月即完成晶圓廠房，已經(jīng)生產(chǎn) 1.5 萬(wàn)片測(cè)試晶圓，資本支出為 25 億美元。

要解讀合肥長(zhǎng)鑫這個(gè)信息發(fā)布，對(duì)于國(guó)內(nèi)自主開(kāi)發(fā)存儲(chǔ)芯片技術(shù)的重要意義，要先從三大面向來(lái)探討：

1. 為什么合肥長(zhǎng)鑫會(huì)被美光盯上？

2. 當(dāng)年奇夢(mèng)達(dá)在倒閉之前，其實(shí)研發(fā)出一項(xiàng) DRAM 界的“蓋世武功”，可惜卡在沒(méi)錢(qián)量產(chǎn)，這究竟是一段如何未竟之功的歷史？

3. 授權(quán)自奇夢(mèng)達(dá) DRAM 技術(shù)的業(yè)者有無(wú)成功的前例，可供合肥長(zhǎng)鑫借鑒？

為什么合肥長(zhǎng)鑫會(huì)被美光盯上？

2017 年，美系存儲(chǔ)大廠美光祭出兩大殺手锏，意圖斬?cái)鄧?guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)自主。首先，是大動(dòng)作對(duì)***存儲(chǔ)大廠華亞科到合肥長(zhǎng)鑫任職的上百名員工發(fā)出存證信函，采取法律手段和國(guó)際施壓，阻止人才的轉(zhuǎn)移，此舉引發(fā)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的震撼。

再者，控告福建晉華和其技術(shù)研發(fā)伙伴聯(lián)電侵權(quán)，并在 2018 年底對(duì)福建晉華發(fā)出禁止設(shè)備出口的制裁，導(dǎo)致福建晉華幾乎要量產(chǎn)的 DRAM 技術(shù)終止開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。

由于傳出上百名華亞科員工到合肥長(zhǎng)鑫任職，因此，在福建晉華被美方盯上后，業(yè)界非常擔(dān)心合肥長(zhǎng)鑫的處境。

另一個(gè)原因也是，合肥長(zhǎng)鑫一直沒(méi)有明確公開(kāi)其自主開(kāi)發(fā)的 DRAM 技術(shù)來(lái)源，究竟 “火種” 源自何方？?jī)H知悉該陣營(yíng)幾乎是網(wǎng)羅全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的人才，如火如荼投入 DRAM 技術(shù)開(kāi)發(fā)。

因此，合肥長(zhǎng)鑫正式公布技術(shù)的 “火種” 來(lái)自于奇夢(mèng)達(dá)，讓大家如釋重負(fù)，同時(shí)，也認(rèn)為這真是高招。

此前，業(yè)界曾流傳合肥長(zhǎng)鑫向三星求助，希望能說(shuō)服三星授權(quán)轉(zhuǎn)移 DRAM 技術(shù)。然而，眾人疑惑 DRAM 技術(shù)和專利幾乎是三星的“寶藏”，三星怎么可能答應(yīng)放出？

但當(dāng)時(shí)還傳出合肥長(zhǎng)鑫已在評(píng)估現(xiàn)有的產(chǎn)線設(shè)備轉(zhuǎn)換至三星體系的設(shè)備，還需要投入多少資金。這導(dǎo)致整個(gè)業(yè)界傳言鼎沸。

不過(guò)，現(xiàn)在回頭看，“求助”三星的傳言應(yīng)該是一個(gè)煙霧彈，因?yàn)楫?dāng)時(shí)國(guó)際局勢(shì)險(xiǎn)峻，業(yè)界各種不利國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的傳言滿天飛，合肥長(zhǎng)鑫也只能保持：隱忍、低調(diào)，等到一切準(zhǔn)備就緒，才能對(duì)外公布真正的答案。

奇夢(mèng)達(dá)倒閉前研發(fā)出的 “蓋世武功” 落到長(zhǎng)鑫手上？

當(dāng)年全球 DRAM 技術(shù)架構(gòu)分為兩大陣營(yíng)，一種是溝槽式技術(shù)（Trench），以奇夢(mèng)達(dá)為代表，另一種是堆疊式技術(shù)（Stacking），包括三星、SK 海力士、美光等都是代表。

所謂 “溝槽式”，顧名思義是“往下挖”，而堆疊式技術(shù)就是往上堆疊，可以很輕易明白，“往下挖” 的技術(shù)遇到瓶頸的時(shí)間會(huì)比向上堆疊還得快很多，這也是奇夢(mèng)達(dá)當(dāng)初撐不下去的原因之一。

不過(guò)，奇夢(mèng)達(dá)在宣布破產(chǎn)之前，其實(shí)已經(jīng)成功研發(fā)出堆疊式技術(shù) Buried Wordline (埋入式閘極字元線連結(jié))。2008 年底，奇夢(mèng)達(dá)的 Buried Wordline 技術(shù)已經(jīng)成功以 65 nm 工藝試產(chǎn)，生產(chǎn) 1Gb 的 DDR2 產(chǎn)品。

更重要的是，46 nm 產(chǎn)品已在實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行研發(fā)完成，其 46 nm 的 Buried Wordline 技術(shù)與上一代 58 nm 技術(shù)相較，晶圓數(shù)量增加達(dá)到 1 倍，當(dāng)時(shí)業(yè)界認(rèn)為奇夢(mèng)達(dá)雖然剛從溝槽式，成功轉(zhuǎn)至堆疊式，但 Buried Wordline 技術(shù)非常具有競(jìng)爭(zhēng)力。

可惜的是，奇夢(mèng)達(dá)已經(jīng)撐不下去了，沒(méi)有錢(qián)投入全新的 Buried Wordline 技術(shù)，公司后來(lái)宣布破產(chǎn)收?qǐng)?，成?DRAM 產(chǎn)業(yè)史上徒留遺憾的一頁(yè)。

業(yè)界表示，奇夢(mèng)達(dá) 2009 年破產(chǎn)后，從此歐洲最后一家存儲(chǔ)大廠也結(jié)束了，但奇夢(mèng)達(dá)手上有眾多專利，尤其是 Buried Wordline 技術(shù)，還是持續(xù)向許多半導(dǎo)體公司收取授權(quán)費(fèi)用，有點(diǎn)像是一家專利公司的角色。

技轉(zhuǎn)自奇夢(mèng)達(dá)的 DRAM 技術(shù)有無(wú)成功的前例？

奇夢(mèng)達(dá)在宣告破產(chǎn)后，***有兩家存儲(chǔ)公司是授權(quán)自奇夢(mèng)達(dá)的存儲(chǔ)廠：南亞科和華邦，兩家都甚是錯(cuò)愕，因?yàn)楫?dāng)場(chǎng)陷入技術(shù)斷炊的窘境。

兩家公司善后處理的方式也不一樣。南亞科決定轉(zhuǎn)向美光合作，而華邦則是選擇買(mǎi)下奇夢(mèng)達(dá) 46 nm 的 Buried Wordline 技術(shù)，并且做了兩個(gè)重大決定，一是走上 DRAM 技術(shù)自主，以該技術(shù)作為研發(fā)基礎(chǔ)，自己來(lái)發(fā)展。

第二，華邦也下定決心退出標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，自己開(kāi)發(fā)的 46 nm 技術(shù)主要是用于消費(fèi)型、網(wǎng)通用等利基型 SDRAM 產(chǎn)品，但這一條技術(shù)自主之路，華邦整整用了快十年，才走出屬于自己的格局和模式。

總之，這條路是有成功的前車(chē)之鑒，但非常辛苦且困難，合肥長(zhǎng)鑫也必須有 “板凳要坐十年冷” 的決心。

合肥長(zhǎng)鑫最后使出奇夢(mèng)達(dá)的技術(shù)專利這一招，確實(shí)非常厲害，成功規(guī)避美光、三星、SK 海力士的技術(shù)專利問(wèn)題，而且，是花錢(qián)就可以買(mǎi)到的技術(shù)。

或許有些人會(huì)問(wèn)，難道有了奇夢(mèng)達(dá)的技術(shù)基礎(chǔ)，就可以完全避掉國(guó)際大廠的專利和技術(shù)陷阱？這個(gè)答案或許不是肯定的，但對(duì)解決眼前的問(wèn)題，是最快見(jiàn)效的一帖良藥，至少其他存儲(chǔ)大廠不敢輕舉妄動(dòng)找合肥長(zhǎng)鑫的麻煩。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 技術(shù)也是 “保平安” 護(hù)身符

還有一個(gè)類似的例子是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 技術(shù)， 2018 年在美國(guó)國(guó)際性的 Flash Memory Summit 技術(shù)大會(huì)中宣布，對(duì)于國(guó)際大廠而言是驚艷萬(wàn)分，對(duì)于國(guó)內(nèi)業(yè)界而言，直言是 “橫空出世” 的一個(gè)技術(shù)。

業(yè)界透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在研發(fā) 3D NAND 技術(shù)初期，就非常重視專利問(wèn)題，不能有任何侵權(quán)的嫌疑，但因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)的 3D NAND 進(jìn)展太順利，據(jù)傳還是引來(lái)三星的緊盯，一直在找 “破綻”，但是自從 Xtacking 技術(shù)問(wèn)世后，沒(méi)有人敢再懷疑長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 3D NAND 技術(shù)的“清白” 問(wèn)題了。

有時(shí)候，關(guān)鍵技術(shù)或是專利不用多，但只要有這么一兩個(gè)，就可以為企業(yè)遮風(fēng)避雨。

合肥長(zhǎng)鑫的奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 Xtacking 技術(shù)，某種程度都是在詭譎的國(guó)際情勢(shì)下，非常關(guān)鍵的保護(hù)傘，你可以說(shuō)這種布局隱含某種 “政治” 意味，避免國(guó)際大廠懷疑技術(shù)上的“清白”，但不可否認(rèn)，在當(dāng)前的氣氛下，確實(shí)是有效的策略，讓國(guó)內(nèi) DRAM 和 3D NAND 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，可以得到庇護(hù)，安心地進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)。