繼臺積電、三星晶圓代工、英特爾等國際大廠在先進邏輯制程導入極紫外光（EUV）微影技術后，同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評估采用EUV技術量產。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術生產1z納米DRAM，SK海力士及美光預期會在1α納米或1β納米評估導入EUV技術。

由于先進制程采用EUV微影技術已是趨勢，在臺積電第二季EUV技術7+納米進入量產階段并獲***量產7納米制程，英特爾預期2021年7納米會首度導入EUV技術。而隨著制程持續(xù)推進至5納米或3納米后，EUV光罩層會明顯增加2～3倍以上，對EUV光罩盒需求亦會出現(xiàn)倍數(shù)成長。

另外，占全球半導體產能逾3成的DRAM，也開始逐步導入EUV技術。業(yè)者指出，DRAM市場供給過剩且價格跌至變動成本，DRAM廠雖然放緩產能擴充但無法讓價格明顯止跌，維持獲利的唯一方法就是微縮制程來降低單位生產成本。不過，DRAM制程向1z納米或1α納米制程推進的難度愈來愈高，隨著EUV量產技術獲得突破，或可有效降低DRAM成本。

三星預期在今年11月開始量產采用EUV技術的1z納米DRAM，量產初期將與三星晶圓代工共享EUV設備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM光罩微影技術會朝EUV方向發(fā)展。至于SK海力士及美光也已表明開始評估采用EUV技術，業(yè)界預期將可能在1α納米或1β納米世代開始導入。

總體來看，在邏輯IC及DRAM的先進制程開始采用EUV技術后，對EUV光罩盒需求在明、后兩年都會呈現(xiàn)倍數(shù)成長。