半導(dǎo)體元件的制造，制程越小越困難，所面臨的物理限制越來越高，現(xiàn)在能量產(chǎn)的工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)來到7nm，往后制程的升級(jí)越來越困難，所以催生出了EUV光刻技術(shù)，比如在同樣是7nm制程的情況下，可將晶體管密度提升，同頻率下功耗降低，不過EUV光刻技術(shù)還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是有助于降低單位生產(chǎn)成本。現(xiàn)在，DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。

DRAM市場(chǎng)供給過剩導(dǎo)致價(jià)格不斷下跌，DRAM廠雖然盡量減產(chǎn)但仍然無法讓價(jià)格明顯止跌，維持獲利的唯一方法就是微縮制程來降低單位生產(chǎn)成本。不過，DRAM制程向1z納米或1α納米制程推進(jìn)的難度愈來愈高，隨著EUV量產(chǎn)技術(shù)獲得突破，或可有效降低DRAM成本。

據(jù)悉，三星預(yù)期在今年11月開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1z納米DRAM，量產(chǎn)初期將與三星晶圓代工共享EUV設(shè)備，初期使用量雖不大，但卻等于宣示DRAM光罩微影技術(shù)會(huì)朝EUV方向發(fā)展。至于SK海力士及美光也已表明開始評(píng)估采用EUV技術(shù)，業(yè)界預(yù)期將可能在1α納米或1β納米世代開始導(dǎo)入。

三星的1z納米屬于第三代10nm級(jí)工藝，10nm級(jí)工藝并不是10nm工藝，由于20nm節(jié)點(diǎn)之后DRAM的工藝升級(jí)變得困難，所以DRAM內(nèi)存工藝的線寬指標(biāo)不再那么精確，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，簡(jiǎn)單來說1xnm工藝相當(dāng)于16-19nm，1ynm工藝相當(dāng)于14-16nm，1znm工藝大概是12-14nm級(jí)別，而在這之后還有1α及1β工藝。由于先進(jìn)制程采用EUV微影技術(shù)已是趨勢(shì)，在臺(tái)積電第二季EUV技術(shù)7+納米進(jìn)入量產(chǎn)階段并獲***量產(chǎn)7納米制程，英特爾預(yù)期2021年7納米會(huì)首度導(dǎo)入EUV技術(shù)。而隨著制程持續(xù)推進(jìn)至5納米或3納米后，EUV光罩層會(huì)明顯增加2～3倍以上，對(duì)EUV光罩盒需求亦會(huì)出現(xiàn)倍數(shù)成長(zhǎng)。