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FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的長遠(yuǎn)發(fā)展之路

新思科技 ? 來源:yxw ? 2019-06-24 15:35 ? 次閱讀
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近日,一年一度的新思科技開發(fā)者大會(huì)在上海拉開帷幕。作為新思科技開發(fā)者大會(huì)特邀嘉賓,被譽(yù)為FinFET之父的胡正明教授視頻分享了其對(duì)行業(yè)發(fā)展的獨(dú)到見解。

2nm之后的路在何方?

胡正明教授指出“行業(yè)每20年總會(huì)有一個(gè)危機(jī)。20年前,行業(yè)對(duì)今后用什么技術(shù)來提高芯片性能、降低功耗的同時(shí)不增加成本,非常悲觀。FinFET技術(shù)的出現(xiàn)解決了這個(gè)問題,但是現(xiàn)如今最前端的公司都面臨著先進(jìn)工藝不斷向7nm、5nm、2nm邁進(jìn)之后的工藝挑戰(zhàn)。解決之道就是要找到長遠(yuǎn)的發(fā)展之路?!?/p>

近期的研究分享

2018年,胡正明教授的同事有一個(gè)發(fā)明:負(fù)電容晶體管。過去十年,胡正明教授都在參與研究負(fù)電容晶體管以期將功耗降低10倍,也許以后還有更多益處。

對(duì)中國開發(fā)者的寄語

他肯定了過去十幾年,行業(yè)的開發(fā)者團(tuán)隊(duì)對(duì)世界科技進(jìn)步和經(jīng)濟(jì)成長的重要性,建議開發(fā)者一步一個(gè)腳印,踏踏實(shí)實(shí)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)革新,不管是對(duì)于個(gè)人還是公司,都要在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上,讓自己的產(chǎn)品研發(fā)在國內(nèi)和國際上越來越有競爭力。

今年的開發(fā)者大會(huì)對(duì)新思科技來說更具時(shí)代意義——擁有29年歷史的SNUG(新思科技用戶大會(huì))全新升級(jí)、煥然新生。大會(huì)共吸引了超過1400位來自全球的開發(fā)者共享前沿科技的創(chuàng)新成果,分享了超過40個(gè)開發(fā)者優(yōu)秀案例,覆蓋眾多改變未來世界的熱門應(yīng)用。同時(shí),有超過20家全球合作伙伴在現(xiàn)場展示最新應(yīng)用互動(dòng)體驗(yàn),涉及人工智能、智能汽車、5G物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等前沿領(lǐng)域。

人類走到今天,每一個(gè)微小的進(jìn)步都不可或缺。新思科技致力于為全球開發(fā)者提供最前沿的工具和平臺(tái)實(shí)現(xiàn)芯片創(chuàng)新,攜手開發(fā)者讓科技更有溫度,讓世界更美好,讓明天更有新思。

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原文標(biāo)題:FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的長遠(yuǎn)發(fā)展之路

文章出處:【微信號(hào):Synopsys_CN,微信公眾號(hào):新思科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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