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      標簽　>　FinFET

      FinFET

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      FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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      FinFET簡介

      　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

      　　工作原理

      　　閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術(shù)上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效應晶體管 （Field-Effect Transistor；FET）的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。［2］ 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的閘長。

      FinFET百科

      　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

      　　工作原理

      　　閘長已可小于25納米，未來預期可以進一步縮小至9納米，約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術(shù)上的突破，未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統(tǒng)標準的晶體管—場效應晶體管 （Field-Effect Transistor；FET）的一項創(chuàng)新設計。在傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開。［2］ 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流（leakage），也可以大幅縮短晶體管的閘長。

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