在“全民瘋芯片”的當(dāng)下，試想把1，200 萬片 12 寸晶圓一字排開來，會是何等壯觀景象？ 可以從北京一直排到西藏拉薩，綿延 3，600 公里的長度，這正是全球晶圓代工龍頭，同時也是全球最大邏輯產(chǎn)能供應(yīng)商臺積電一整年所生產(chǎn)的芯片數(shù)量（以 2018 年約當(dāng) 12 寸芯片計算）。

臺積電在上海舉行技術(shù)論壇多年，2019 年是首次開放媒體參加，雖然近期因華為事件，讓臺積電在行業(yè)內(nèi)匯聚高度關(guān)注，但公司并未因此改變與媒體會面的行程，同時，臺積電也在論壇現(xiàn)場為華為和海思開辟了ㄧ條專門的注冊通道，以示重視，發(fā)言人孫又文表示，臺積電一直都是專心深耕技術(shù)的公司，未來希望能讓大家多了解公司的商業(yè)模式和技術(shù)優(yōu)勢。

三星不斷挑釁，臺積電 7 nm 用實力證明第一

日前，英特爾因為自身產(chǎn)能吃緊等因素，已經(jīng)放棄晶圓代工業(yè)務(wù)，專注擅長的處理器芯片。相較于英特爾這幾年發(fā)展 10 nm 技術(shù)的跌跌撞撞，臺積電在技術(shù)軌道的推動上往 10 nm、 7 nm 、5 nm 一路急進(jìn)，顯得是如魚得水。

然而，臺積電創(chuàng)辦人張忠謀曾說過，“永遠(yuǎn)不要小看英特爾”，可以深深感受出臺積電在技術(shù)發(fā)展上雖然已經(jīng)追上英特爾的腳步，但對于這位“老前輩”的尊敬之意是未減絲毫。

臺積電在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的成就已是登峰造極，但仍有一家就地理位置而言，其實不遠(yuǎn)的競爭敵手，隔三差五地“挑釁”臺積電，它也曾是張忠謀口中可敬的對手，這家一直向臺積電“下戰(zhàn)帖”的公司，就是韓國的三星。

在 2019 年技術(shù)論壇中，臺積電總裁魏哲家宣布，臺積電是全球第一家量產(chǎn) 7 nm 工藝技術(shù)的半導(dǎo)體廠，下一世代的 5 nm 工藝更已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段，預(yù)計 2020 年正式量產(chǎn)。

緊接著上場的業(yè)務(wù)開發(fā)副總張曉強(qiáng)更是再次強(qiáng)調(diào)，臺積電的 7 nm 工藝是第二年進(jìn)入量產(chǎn)，且是全球唯一進(jìn)入 7 nm 量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠，客戶數(shù)量一直在增加，在臺積電的歷史上是非常成功的工藝技術(shù)。

輪番上場的強(qiáng)調(diào) 7 nm 全球領(lǐng)先，就是因為三星在兩年前就一直號稱自己將會是“第一家”量產(chǎn) 7 nm 的半導(dǎo)體廠，但后來三星連自家的處理器 Exynos 9820 都沒有用 7 nm 來生產(chǎn)，之后更一直喊話大打 6 nm 、 5 nm 、 3 nm 營銷宣傳戰(zhàn)，對比之下，默默深耕技術(shù)但不多言的臺積電，有點吃悶虧，因此趁著技術(shù)論壇的自家場子，一定要好好強(qiáng)調(diào)這場“光榮之役”。

32 歲的臺積電， 3 大戰(zhàn)役成就龍頭地位

近 5 年來，臺積電每年狂砸 100 億美元，一路踩油門不回頭地瘋狂投資，不但成為全球第一個量產(chǎn) 7 nm 技術(shù)的半導(dǎo)體廠， 2020 年更將成為全球第一個量產(chǎn) 5 nm 技術(shù)的大廠，奠定其歷史地位。

臺積電究竟是如何站上今日全球半導(dǎo)體巨擘的龍頭地位？有三大關(guān)鍵戰(zhàn)役，在 32 年發(fā)展的歷史軌跡中，筑起今日的半導(dǎo)體帝國風(fēng)貌。

這三大戰(zhàn)役分別為：0.13 微米工藝分水嶺、史上最賺錢的 28 nm 工藝傳奇、全球首家量產(chǎn) 7 nm 技術(shù)讓英特爾也折服。

臺積電創(chuàng)立于 1987 年，那是一個 IDM 廠（設(shè)計加上制造）橫著走的年代，當(dāng)時的大廠有英特爾、德州儀器、摩托羅拉等，行業(yè)內(nèi)都認(rèn)為：唯有擁有晶圓廠才稱得上是真男人！

但張忠謀創(chuàng)立純晶圓代工模式后，扶植高通、博通等大型 IC 設(shè)計公司大放光芒，打破 IDM 神話，開啟臺積電作為領(lǐng)頭羊的專業(yè)晶圓代工的時代。

2000 年左右，是臺積電很關(guān)鍵的一個時期，當(dāng)時公司仍處于青少年時期，自然無法與今日巨擘地位相比，但其長大成人的過程中， 12 寸 0.13 微米戰(zhàn)役很關(guān)鍵。

那時全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于 8 寸轉(zhuǎn) 12 寸晶圓時期，但 12 寸廠的投資成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于 1995 年由 6 寸轉(zhuǎn) 8 寸廠，很多 IDM 廠認(rèn)為無力負(fù)擔(dān) 12 寸廠建置成本，因此裹足不前，而臺積電逆勢而為，大力投入 12 寸廠建置，奠定成功第一步。

更為關(guān)鍵的是， 12 寸第一個制程技術(shù)是 0.13 微米銅制程工藝技術(shù)，相較于當(dāng)時最大競爭對手聯(lián)電采用授權(quán)自 IBM 的技術(shù)，臺積電自己開發(fā) 0.13 微米銅制程成功，是拉開與聯(lián)電之間距離的關(guān)鍵一役，當(dāng)時 Nvidia 創(chuàng)辦人黃仁勛都說“ 0.13 微米世代改造了臺積電！”

第二大關(guān)鍵戰(zhàn)役是“史上最瘋狂賺錢”的 28 nm 納米工藝，把包括三星在內(nèi)的所有競爭對手遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在后面，而這個過程隱含一段秘密。

當(dāng)時的 28 nm HKMG 工藝技術(shù)分為兩派，分別為 gate-first 和 gate-last ，除了臺積電以外的半導(dǎo)體廠都是跟隨 IBM 架構(gòu)采用 gate-first 技術(shù)，只有臺積電是采用 gate - last 技術(shù)。

其實，臺積電最開始也是采用 gate-first 技術(shù)，但研發(fā)過程中很快發(fā)現(xiàn)有無法克服的障礙，因此內(nèi)部動作很快，立刻轉(zhuǎn)換成 gate-last 技術(shù)，經(jīng)過確認(rèn)后，更將 28 nm gate-last 技術(shù)定義為最終的量產(chǎn)技術(shù)，但這個決議過程公司非常低調(diào)，幾乎是秘而不宣。

等到臺積電對外發(fā)布 28 nm 工藝是采用 gate-last 技術(shù)，與所有的半導(dǎo)體廠不一樣時，在某次的投資人說明會議上，臺積電研發(fā)大將蔣尚義（業(yè)界人稱蔣爸）面對外資法人質(zhì)疑，究竟是 gate-first 技術(shù)可行？還是 gate-last 技術(shù)才能量產(chǎn)？蔣爸以一貫笑咪咪的態(tài)度緩緩地說：現(xiàn)在不跟你們爭這個，大家就看業(yè)界下一個技術(shù)節(jié)點究竟是會用 gate-first ，還是 gate-last ，就會知道答案。

這個故事的結(jié)局，當(dāng)然是讓所有競爭對手都懊悔不已，等到大家都發(fā)現(xiàn) gate-first 技術(shù)其實有問題，要效法臺積電轉(zhuǎn)到 gate-last 技術(shù)時，一切都已經(jīng)晚了，因為這個產(chǎn)業(yè)只要你領(lǐng)先別人一年推出，幾乎就把最大的獲利都先收到口袋中。

這一場 28 nm 工藝讓臺積電大賺了 7~8 年，成為史上最賺錢的工藝技術(shù)，更是半導(dǎo)體史上的一頁傳奇，一直到臺積電前幾年說服客戶轉(zhuǎn)到 16 nm 工藝后，才讓 28 nm 產(chǎn)能空出來。

如果說當(dāng)年的 0.13 微米工藝改造了臺積電，那 28 nm 工藝技術(shù)就是讓臺積電穩(wěn)穩(wěn)躋身全球一線半導(dǎo)體大廠的關(guān)鍵一步，為邁向半導(dǎo)體霸主的龍頭地位鋪好康莊大道。

臺積電第三大關(guān)鍵戰(zhàn)役，就是眼前的 7 nm 技術(shù)世代。原本對外表示要大張旗鼓進(jìn)軍晶圓代工產(chǎn)業(yè)的英特爾，因為 10 nm 技術(shù)難產(chǎn)、產(chǎn)能不足等問題，也開始淡出晶圓代工產(chǎn)業(yè)，這一點早已在張忠謀的預(yù)料之中。

張忠謀曾經(jīng)點出，“晶圓代工的文化是服務(wù)客戶，但英特爾所擅長的是做自家的產(chǎn)品，并沒有服務(wù)客戶的精神”，他早已看出英特爾的企業(yè)文化其實并不適合發(fā)展晶圓代工。

相較于英特爾的淡出，三星對于晶圓代工的龍頭地位一直視虎視眈眈。憑借著有 DRAM 內(nèi)存和 NAND Flash 閃存全球龍頭的技術(shù)，加上有品牌手機(jī)做后盾，三星一直花招百出要攻略晶圓代工領(lǐng)域，之前更一直放話會是首家摘下 7 nm 量產(chǎn)的半導(dǎo)體廠，但最后仍是敗給臺積電。

過往臺積電在 40 nm 工藝世代時，從小量到全量產(chǎn)花了 35 個月，到了 28 nm 縮短至 20 個月，到了 20 nm 工藝以后，僅花了 3 個月就達(dá)成， 7 nm 依然保持這樣的紀(jì)錄。

臺積電在 7 nm 和 5 nm兩個技術(shù)世代上的領(lǐng)先，不但超越英特爾，更以“硬實力”將一直放話的三星甩在后面。

當(dāng)然，三星也沒有放棄扯后腿，日前再度從臺積電手上搶下高通 7 nm 工藝技術(shù)的 Snapdragon 865 處理器芯片訂單，雖然業(yè)界認(rèn)為是三星低價搶單，但三星和高通之間的關(guān)系太錯綜復(fù)雜，可能不是一句“低價”就可以概括這場交易。

不但成功更要卓越，朝 zero excursion 、 zero defect 目標(biāo)前進(jìn)

作為全球最大的晶圓代工廠，魏哲家在技術(shù)論壇中強(qiáng)調(diào)臺積電的三大支撐點是技術(shù)、生產(chǎn)、不與客戶競爭，更喊出要達(dá)到 zero excursion 、 zero defect（零偏移、零缺陷）的目標(biāo)，顯示對于品質(zhì)要求不單是成功，而是要求卓越。

臺積電除了全球第一個量產(chǎn) 7 nm 技術(shù)，更往前推動至采用 EUV 技術(shù)的 7 nm plus 版本外，目前已經(jīng)進(jìn)入 5 nm 試產(chǎn)，預(yù)計 2020 年量產(chǎn)，并且建成整個生態(tài)系統(tǒng)供應(yīng)鏈 OIP 聯(lián)盟，因為半導(dǎo)體的世界，光是靠技術(shù)領(lǐng)先還不夠，還要有更完整和強(qiáng)健的生態(tài)系統(tǒng)，才能達(dá)到無堅不摧的境界。

值得注意的是，臺積電日前將 6 nm 工藝技術(shù)亮相，和 7 nm plus 技術(shù)一樣是采用 EUV 技術(shù)。

張曉強(qiáng)表示， 6 nm 工藝是結(jié)合 7 nm 和 7 nm plus 技術(shù)的優(yōu)點，并且減少光罩，為客戶帶來更高性能和更低成本。

業(yè)界認(rèn)為，臺積電的 7 nm plus 版本量產(chǎn)沒多久，就馬上讓 6 nm 工藝技術(shù)在 2020 年量產(chǎn)上陣，目的是快速進(jìn)行技術(shù)迭代，讓三星跟不上腳步，顯見臺積電的戰(zhàn)術(shù)打法也開始轉(zhuǎn)變，面對三星這個頑固的勁敵，臺積電也越來越靈活了。

2019 年是臺積電很特別的一年。張忠謀于 2018 年正式退休后，這是臺積電真正要面對“后張忠謀時代”的第一年，卻也在此時，臺積電意外變成中美關(guān)系中的關(guān)鍵角色，一舉一動在全球科技產(chǎn)業(yè)是動見觀瞻。

臺積電以“硬實力”——包括 7 nm 和 5 nm 工藝技術(shù)的領(lǐng)先，以及 3 nm 技術(shù)的啟動——來證明半導(dǎo)體龍頭地位，但產(chǎn)業(yè)環(huán)境詭譎多變，內(nèi)部不但是一步都不敢放松，更要把螺絲擰得更緊。

選在 2019 年開放技術(shù)論壇，對外揭露神秘而低調(diào)的面紗，“后張忠謀時代”的臺積電要給外界更不同的觀感，不單給別人冷冰冰技術(shù)的“高、大、上”的形象，要讓更多人明白其商業(yè)模式和企業(yè)文化，讓更多人走進(jìn)龍頭，更了解臺積電。