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三星7nm首次打贏臺積電

旺材芯片 ? 來源:yxw ? 2019-07-05 15:29 ? 次閱讀
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臺積電大客戶全球繪圖芯片龍頭英偉達(Nvidia)近日證實,已與三星達成晶圓代工協(xié)議,委托生產下一代7納米繪圖處理器(GPU)芯片。臺積電不評論單一客戶與訂單動態(tài)。

這是三星首次在7納米搶走臺積電大客戶訂單,也是臺積電創(chuàng)辦人張忠謀退休之后,經營團隊第一次面臨大客戶轉投對手懷抱的狀況。英偉達轉單之后,臺積電仍握有蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科、海思、超微等大廠7納米訂單,但市場仍憂心,輝達「變心」后,未來對臺積電營收仍會有一定程度影響。

業(yè)界解讀,三星出手搶臺積電大客戶訂單,意味這兩家重量級半導體業(yè)者在先進制程腳步比拼、技術到位之后,搶單大戰(zhàn)正式開打。臺積電1日強勢填息后,2日續(xù)漲0.5元、收249元,2日ADR早盤則跌約0.7%;英偉達2日ADR早盤跌約1.2%。

臺積電向來不評論單一客戶與訂單動態(tài),預計于7月18日的法說會說明營運展望。臺積電先前多次公開表態(tài),對今年7納米和采用極紫外光(EUV)微影設備量產的7納米強化版接單信心十足,預估全年營收占比將逾25%。

先前市場便傳出,三星積極爭取英偉達7納米訂單,但未獲證實。南韓先鋒報2日報導,英偉達南韓主管Yoo Eung-Joon在記者會上表示,該公司先進的一批GPU生產將下單給三星,以三星的7納米極紫外光制程生產,證實傳聞為真。

據了解,臺積電目前7納米產能滿載,客戶好評不斷,三星是以提出價格優(yōu)惠方式,搶到英偉達訂單,但未獲證實。先鋒報則披露,英偉達正與南韓企業(yè)強化合作關系,已和現(xiàn)代Mobis合作研發(fā)自駕車技術,另與當地第三大電信業(yè)者樂金Uplus攜手合作,推出支援5G的「GeForce Now」云端游戲服務。

Yoo Eung-Joon強調,三星以7納米生產輝達下一代GPU「意義重大」,不過,他并未未透露三星確切的產量,只表示這批生產「為數可觀」。至于英偉達是否計劃給三星進一步的晶圓代工訂單,他不予置評。

為什么選擇三星代工?

三星晶圓代工業(yè)務陸續(xù)獲得了大量客戶的支持,預計其業(yè)績將在明年前迅速提升。我們認為主要有這幾點原因:

原因一:三星的EUV 7納米制程進入量產,取得與臺積電平起平坐的機會。

三星電子最近似乎在拼命趕進度,陸續(xù)宣布7納米EUV 已于2019年4月進入量產,接著宣布5納米制程完成開發(fā)。三星電子解釋說,與目前的10納米制程相比,7奈米EUV制程可以減小芯片尺寸約40%,提高功率效率約50%。至于5納米已完成開發(fā),預計2020年量產。與目前的7納米制程相比,5納米工藝可以通過優(yōu)化電池設計將功率效率提高20%,性能提高10%,從而將邏輯面積減少25%。在 2021 年采用GAA(gate all aroun)新技術推出 3 納米制程的產品。

原因二:三星低價策略,報價約為臺積電的60%。

業(yè)內人士稱,三星近期在市場上取得的成功歸功于其低價策略。三星電子訂下目標是在2030年拿下全球代工第一名。如此看來,目前三星電子專注于吸引客戶先搶市占率而不是盈利能力。這也意味著全球晶圓代工業(yè)的競爭將升溫。

據報導,三星對英特爾的報價約為臺積電的60%。三星說明使用全罩式掩膜(full mask sets)的成本甚至低于臺積電推出的多層罩式掩模服務(MLM:multi-layer mask sets),以降低小批量生產的成本。掩模(Mask)是一種用于在晶片上繪制電路的薄膜。

三星電子的目標,是在2030年成為全球晶圓代工業(yè)者第一名!

原因三:美國川普政府正加強對華為的科技制裁的影響,科技大廠懼怕中美貿易戰(zhàn)延燒到企業(yè)身上。

例如,對華為禁令發(fā)出,臺積電表示仍將繼續(xù)出貨給華為,基于美國技術含量未超過25%,而英特爾等科技大廠害怕反華為大旗,會連環(huán)爆到自己身上而不利業(yè)務正常運作。

原因四:與競爭對手區(qū)隔代工者。

例如:AMD決定由臺積電代工生產7納米CPU和GPU,因而可能促使競爭對手英特爾考慮將其CPU代工給三星。原先英特爾幾乎壟斷了CPU市場,但由于英特爾推遲CPU小型化,AMD趁勢找臺積電代工來擴大其市占率的預期越來越高。

原因五:***缺電問題成隱憂

工業(yè)成長須靠穩(wěn)定電力,而半導體廠用電更高,再加上眾多臺商避貿易戰(zhàn)而大舉移廠回臺,未來尋求穩(wěn)定電源是***很重要課題。

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原文標題:動態(tài) | 三星7nm首次打贏臺積電

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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