動態(tài)
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發(fā)布了文章 2025-01-20 17:33
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。驅(qū)動IC電流越來越大,如采用DSO-8300mil寬體封裝的EiceDRIVER1ED3241M -
發(fā)布了文章 2025-01-17 17:03
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發(fā)布了文章 2025-01-16 17:02
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發(fā)布了文章 2025-01-14 17:35
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發(fā)布了文章 2025-01-13 17:36
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低,最高工作結(jié)溫提升,器件的功率密度越來越高,也就是2k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-01-11 09:05
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發(fā)布了文章 2025-01-09 17:06
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發(fā)布了文章 2025-01-08 17:03
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發(fā)布了文章 2025-01-06 17:05
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。功率器件的輸出電流能力器件的輸出電流能力首先是由芯片決定的,但是IGBT芯片的關(guān)斷電流能力很強,1.5k瀏覽量