動(dòng)態(tài)
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發(fā)布了文章 2024-09-14 08:04
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發(fā)布了文章 2024-09-13 08:04
英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng) -
發(fā)布了文章 2024-09-12 08:04
直播預(yù)告 | 電氣隔離新勢(shì)力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用設(shè)計(jì)
英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動(dòng)化系統(tǒng)（溫控器、照明、供暖控制）、工業(yè)自動(dòng)化和控制、儀器設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個(gè)領(lǐng)域。其創(chuàng)新技術(shù)在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時(shí)，并實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化和成本降低。通過(guò)研討會(huì)，您將了解：技術(shù)革新亮點(diǎn)：詳細(xì)介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，以及在快速開(kāi)通和關(guān) -
發(fā)布了文章 2024-09-10 08:03
新品 | 6500V、1000A 單開(kāi)關(guān) IGBT 模塊 FZ1000R65KE4
新品6500V、1000A單開(kāi)關(guān)IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場(chǎng)終止技術(shù)，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點(diǎn)低VCEsat碳化硅鋁基板存儲(chǔ)溫度低至-55°CCTI600應(yīng)用價(jià)值實(shí)現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計(jì)低功率損耗標(biāo)準(zhǔn)化封裝競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)高性能堅(jiān)固可靠低功率損耗應(yīng)用領(lǐng) -
發(fā)布了文章 2024-09-05 08:03
新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器
新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的升級(jí)版逆變器和柵極驅(qū)動(dòng)器板。設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI1.1k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-09-04 08:02
兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開(kāi)班
來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨港電力電子研究院02培訓(xùn)時(shí)間地點(diǎn)2024年10月11-13日中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院03培訓(xùn)介紹培訓(xùn)內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展，重點(diǎn)講授碳1.3k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-09-03 08:02
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發(fā)布了文章 2024-08-30 12:25
離網(wǎng)場(chǎng)景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢(shì)
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲(chǔ)能正以其經(jīng)濟(jì)性，電網(wǎng)友好性等特點(diǎn)蓬勃發(fā)展，其中離網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景下，不平衡負(fù)載帶載能力，諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。三相四橋臂（3P4L）變流器具有最強(qiáng)的不平衡負(fù)載能力，但對(duì)比三相三線（3P3W）系統(tǒng)，成本增加，諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性，相較IGBT可大幅提升開(kāi)關(guān) -
發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24
新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV（有效值）雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個(gè)雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器IC系列，用于驅(qū)動(dòng)SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產(chǎn)品均采用14引腳DSO封裝，輸入-輸出爬電間距為8mm，加強(qiáng)絕緣。所有型號(hào)都具有死區(qū)時(shí)間控制（DTC）功能和獨(dú)立驅(qū)動(dòng)通道1.6k瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2024-08-30 12:24
系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理，以及開(kāi)通電流振蕩的原因。除了寄生電感對(duì)功率器件電壓應(yīng)力的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開(kāi)通電流應(yīng)力、電流振蕩和開(kāi)通損耗的負(fù)面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長(zhǎng)，SiC器件越來(lái)越受到工程師
