動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-05-24 05:30

  Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫

  

  ///在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？我想先請(qǐng)大家考慮一個(gè)問題：IGBT結(jié)溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經(jīng)開始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結(jié)溫的解釋大概是這樣的：晶體管結(jié)溫，簡稱結(jié)溫，是指半導(dǎo)體芯片內(nèi)的最高工作溫度，通常芯片的結(jié)溫會(huì)比芯片的外殼高。。。原

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-05-24 05:26

  新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關(guān)器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續(xù)流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴(kuò)展了其高

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-05-24 05:24

  如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間

  

  SiCMOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個(gè)短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅(qū)動(dòng)芯片退飽和檢測原理，芯片內(nèi)置一個(gè)恒流源。功率開關(guān)器件在門極電壓一定時(shí)，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導(dǎo)致器件VCE電壓迅速提升

  英飛凌 MOSFET IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-05-13 01:25

  IGBT門極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓

  

  先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個(gè)問題。IGBT是一個(gè)受門極電壓控制開關(guān)的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-05-10 01:25

  英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會(huì)上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動(dòng)控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體

  英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2022-05-08 01:46

  如何拓展IGBT驅(qū)動(dòng)器電流

  

  功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路是集成電路的一個(gè)重要子類，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動(dòng)IC除了提供驅(qū)動(dòng)電平和電流，往往帶有驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級(jí)關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級(jí)的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動(dòng)IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB

  電流 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-30 01:57

  當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管

  

  英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-04-28 01:33

  怎么理解驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流能力

  

  使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對(duì)標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí)，往往感覺選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個(gè)剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來看一下這個(gè)驅(qū)動(dòng)峰值電流的定義方式。這個(gè)很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A

  驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-26 01:23

  新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊

  

  新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽能應(yīng)用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個(gè)模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達(dá)到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-

  芯片 模塊

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• 發(fā)布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計(jì)的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1

  IGBT IPM

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