動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

  MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2022-04-19 01:24

  無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列

  

  在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的無磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場信號(hào)和磁信號(hào)，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)

  芯片

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• 發(fā)布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驅(qū)動(dòng)電流行為綜述

  

  IGBT驅(qū)動(dòng)需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動(dòng)的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電阻決定：但在小阻值驅(qū)動(dòng)回路中，實(shí)際測得驅(qū)動(dòng)電流一般比上述公式計(jì)算

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-04-15 01:29

  高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

  

  前言目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體

  MOSFET 半導(dǎo)體技術(shù) 功率電路

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• 發(fā)布了文章 2022-04-12 01:27

  隔離型驅(qū)動(dòng)的新勢力：英飛凌無磁芯變壓器(CT:Coreless Transformer)隔離型驅(qū)動(dòng)

  

  一提到隔離型驅(qū)動(dòng)，不少硬件研發(fā)工程師就會(huì)先入為主想到光耦?？晒怦钫娴氖俏ㄒ贿x擇嗎？伴隨著全球電氣化和數(shù)字化的趨勢，電力電子技術(shù)的發(fā)展也日新月異：功率器件開關(guān)頻率進(jìn)一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應(yīng)用環(huán)境更加復(fù)雜惡劣，這些都對(duì)隔離型驅(qū)動(dòng)的性能和可靠性提出了全新的挑戰(zhàn)。而英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)的超強(qiáng)性能正好滿足了這些挑戰(zhàn)：＋無磁芯變壓器隔離技術(shù)基于磁耦合的電氣隔

  英飛凌 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-08 01:25

  如何正確理解功率循環(huán)曲線

  

  近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來評(píng)估。引起IGBT可靠性問題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過程中溫度的變化會(huì)引起結(jié)合點(diǎn)的老化，以及綁定線在工作過程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-04-07 01:25

  SiC，30年意味著什么？

  

  沈璐英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場總監(jiān)一直以來英飛凌都在積極推進(jìn)創(chuàng)新，在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新使得我們已經(jīng)連續(xù)18年位列市場份額第一。無論是從創(chuàng)新還是從企業(yè)社會(huì)責(zé)任角度出發(fā)，英飛凌都會(huì)不遺余力地在碳化硅領(lǐng)域做出自己的貢獻(xiàn)。據(jù)Yole預(yù)測，碳化硅市場規(guī)模有望在2025年超過25億美金，年復(fù)合增長率超過30%，其中可再生能源和新能源汽車等都是碳化硅極有前景

  英飛凌 SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-04-02 01:41

  絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢及產(chǎn)品系列

  

  在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽和PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的絕緣體上硅（SOI）驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的技術(shù)經(jīng)過長期的發(fā)展，走向了絕緣體上硅（silicon-on-insulator，簡稱SOI），SOI指在硅的絕緣襯底上再形成一層薄的單晶硅，相對(duì)于傳統(tǒng)的導(dǎo)電型的硅襯底，它有三層結(jié)構(gòu)，第一層是厚的硅襯底層，用于提供機(jī)械支撐

  芯片 SOI

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• 發(fā)布了文章 2022-04-01 01:23

  新品 | 通用分立功率半導(dǎo)體測試評(píng)估平臺(tái)

  

  活動(dòng)預(yù)告今天下午晚4點(diǎn)（北京時(shí)間），英飛凌將于線上舉辦“工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇”?；顒?dòng)將持續(xù)6個(gè)小時(shí)，更有英飛凌總部資深專家從技術(shù)和應(yīng)用角度深度解析寬禁帶半導(dǎo)體，與大家共同迎接新器件的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)?。ㄔ斍檎埓粒簣?bào)名|工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇）快掃描下方二維碼報(bào)名活動(dòng)，并獲取詳細(xì)論壇議程吧！（論壇為英文演講）新品通用分立功率半導(dǎo)體測試評(píng)估平臺(tái)型號(hào)為EVAL_

  測試 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2022-03-29 01:26

  追風(fēng)逐日，一文讀懂英飛凌綠色能源戰(zhàn)略

  

  不斷提高可再生能源在我國能源結(jié)構(gòu)中的比重，不斷推進(jìn)各行各業(yè)節(jié)能減排的進(jìn)程，是實(shí)現(xiàn)中國政府提出的30/60目標(biāo)的兩大必要條件。作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，英飛凌非?？春眯履茉葱袠I(yè)未來的發(fā)展前景，并正積極參與其中。千萬里“風(fēng)”“光”，點(diǎn)亮千萬家燈火剛剛結(jié)束的北京2022年冬奧會(huì)和冬殘奧會(huì)，讓北京作為全球首個(gè)“雙奧之城”享譽(yù)世界。在此光環(huán)背后，更值得我們關(guān)注和自豪

  能源

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