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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 09:58

  恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管，助力工業(yè)電源應用高效能量轉(zhuǎn)換

  

  近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產(chǎn)品的推出旨在滿足日益增長的工業(yè)電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創(chuàng)新不僅將推動各個工業(yè)部門的高效能量轉(zhuǎn)換，還將幫助企業(yè)實現(xiàn)更高的能效和更低的運營成本。隨著工業(yè)自動化和電動化進程的加速，電源管理的效率變得越來越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基

  二極管 工業(yè)電源 恩智浦

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• 發(fā)布了文章 2025-07-15 09:57

  浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護

  

  IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心開關(guān)器件，其長期可靠性直接關(guān)系到設(shè)備壽命與運行安全。在諸多應力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協(xié)同作用，往往成為加速器件內(nèi)部劣化、引發(fā)早期失效的關(guān)鍵誘因。本文深入探討該耦合效應背后的物理機制，并基于實驗數(shù)據(jù)提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎(chǔ)IGBT的柵極結(jié)構(gòu)類似于MOSFET，其

  IGBT 開關(guān)器件 電壓

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 10:17

  瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應晶體管，推動高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)

  

  在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及電動交通應用對高效能和高密度電源轉(zhuǎn)換的需求。這三款晶體管支持功率范圍從1千瓦到10千瓦及以上，適用于各種新興的800伏高壓直流拓撲結(jié)構(gòu)。隨著人工智能(AI)、電動汽車(EV)和可再生能源的迅

  晶體管 氮化鎵 瑞薩電子

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• 發(fā)布了文章 2025-07-14 10:16

  浮思特 | 如何開發(fā)高效可靠的人機界面(HMI)：實踐與考量

  

  在復雜設(shè)備控制系統(tǒng)的開發(fā)中，為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護人員)設(shè)計合適的交互界面至關(guān)重要，這便是人機界面(HMI)的核心任務。HMI形式多樣，從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業(yè)觸摸屏，乃至支持遠程操作的Web或App界面，其設(shè)計質(zhì)量直接影響設(shè)備的易用性、效率和安全性。需求定義：成功的基石敏捷開發(fā)模式在HMI設(shè)計中頗為流行，通過迭代沖刺推進需求、設(shè)

  HMI 人機界面 嵌入式

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 10:07

  三星電子全力推進2納米制程，力爭在2025年內(nèi)實現(xiàn)良率70%

  

  根據(jù)韓國媒體ChosunBiz的報道，三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù)，目標是在2025年內(nèi)實現(xiàn)良率提升至70%。這一戰(zhàn)略旨在吸引更多大客戶訂單，進一步鞏固其在半導體市場中的競爭地位。業(yè)界普遍認為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內(nèi)部消息稱其初期良率已優(yōu)于以往的制程技術(shù)，但在量產(chǎn)階段，三星能否與國際競爭對手臺積電抗衡仍然是一個

  三星電子 晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-07-11 10:06

  浮思特 | 超越傳統(tǒng)：集成電流傳感器IC的技術(shù)解析與應用優(yōu)勢

  

  在電力電子系統(tǒng)設(shè)計中，精確、可靠且緊湊的電流檢測是實現(xiàn)高效控制、系統(tǒng)保護和能源優(yōu)化的基石。傳統(tǒng)方案(如分流電阻+隔離運放)雖然成熟，但在集成度、隔離性能和抗干擾能力上面臨挑戰(zhàn)。LEM公司的集成電流傳感器IC(CurrentSensorICs)，基于創(chuàng)新的霍爾效應與差分測量技術(shù)，為工程師提供了一種革命性的解決方案。什么是集成電流傳感器IC?集成電流傳感器IC是

  IC lem 傳感器IC 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 10:05

  全球半導體市場持續(xù)增長 2025年5月銷售額達590億美元

  

  根據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2025年5月全球半導體銷售額達到590億美元，較2024年5月的492億美元增長了19.8%。這一增長趨勢不僅反映了半導體市場的復蘇，也顯示出行業(yè)需求的持續(xù)上升。SIA總裁兼首席執(zhí)行官JohnNeuffer表示，5月全球半導體銷售表現(xiàn)強勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠超去年同期的水平。這一銷售增長的背后，反

  人工智能 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-07-10 10:03

  浮思特 | (ABOV)現(xiàn)代單片機在現(xiàn)代嵌入式系統(tǒng)中的應用與技術(shù)趨勢

  

  當今，微控制器(MCU)已成為最核心的計算技術(shù)之一，其存在是所有嵌入式應用的基礎(chǔ)。微控制器提供了無數(shù)計算解決方案，有些甚至專為特定應用場景設(shè)計，例如電機控制。電機控制應用通常通過組合專用電機控制單元和系統(tǒng)控制單元來實現(xiàn)，兩者均采用微控制器及相關(guān)軟件。部分微控制器專為同時控制多臺永磁電機而設(shè)計，可應用于空調(diào)、洗衣機、洗碗機等設(shè)備。此外，工業(yè)領(lǐng)域的通用變頻器、不

  單片機 嵌入式系統(tǒng) 微控制器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-09 09:58

  混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優(yōu)解?

  

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關(guān)損耗和較慢開關(guān)速度會降低系統(tǒng)效率，尤其在高頻和低負載工況下表現(xiàn)更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關(guān)損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG

  IGBT SiC 電動汽車 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-08 10:28

  浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

  

  本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計方面的進展，重點關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對高頻應用效率的優(yōu)化效果。同時分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導通電阻(Rsp)與短路耐受時間(SCWT)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計思路。PowerMaster擴展了其增強型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封裝

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