動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-06-17 10:10

  浮思特 | 揭開(IGBT)的神秘面紗，結構原理與應用解析

  

  在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來之前，最受歡迎和常用的功率電子開關器件是雙極結晶體管(BJT)和場效應晶體管(MOSFET)。然而，這兩種組件在高電流應用中都有一些限制。因此，我們轉向了另一種受歡迎的功率電子開關器件，稱為IGBT。TRINNOIGBT你可以將IGBT看作BJT和MOSFET的結合體，這些組件具有BJT的輸入特性和MOSFET的輸出特性。

  IGBT 功率電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-06-11 10:35

  羅姆發(fā)布高效能100V功率MOSFET，助力AI服務器電源管理升級

  

  近日，羅姆半導體集團(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET，專為AI服務器的48V電源熱插拔電路設計。旨在提升數(shù)據(jù)中心的效率和可靠性，滿足日益增長的人工智能計算需求。根據(jù)羅姆的介紹，新產(chǎn)品現(xiàn)在已在月產(chǎn)100萬個的規(guī)模上投入量產(chǎn)。這一產(chǎn)品的前道工序生產(chǎn)基地位于日本滋賀工廠，后道工序則是在泰國的OSAT(封裝和測試服務)設施進行。這種全球化的生產(chǎn)布

  AI服務器 MOSFET 羅姆

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• 發(fā)布了文章 2025-06-11 10:34

  紅外溫度計還是熱成像攝像機?哪種紅外傳感技術更適合

  

  在現(xiàn)代工業(yè)、科學和消費應用中，非接觸式溫度測量已變得至關重要。無論您是在管理工業(yè)設備、監(jiān)測電氣系統(tǒng)、進行醫(yī)療篩查還是開展研發(fā)實驗，紅外(IR)感測技術都能夠在無需直接接觸的情況下實現(xiàn)精確的表面溫度評估。AI紅外攝像模組本文將探討兩種主流的紅外感測方法——紅外測溫儀和熱成像相機，幫助您確定哪種解決方案最適合您的技術需求。我們將深入了解它們的基本原理、性能差異以

  熱成像 紅外傳感器 紅外溫度計

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 11:33

  Real RGB OLED屏幕技術：開啟顯示屏新紀元

  

  近日，有消息透露，一種名為RealRGBOLED的新型屏幕技術正在測試中，預計將在今年年底至明年迎來大規(guī)模應用。這一突破性的技術不僅有望改善現(xiàn)有OLED屏幕的性能，還將為各類電子設備的顯示效果帶來顯著提升。RealRGBOLED是一種改進型OLED(有機發(fā)光二極管)顯示技術，旨在解決傳統(tǒng)OLED屏幕常見的像素折損和燒屏等問題。傳統(tǒng)OLED屏幕通常采用PenT

  OLED Real 顯示屏技術

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• 發(fā)布了文章 2025-05-29 11:30

  浮思特 | 緊湊型SiC模塊助力高功率密度車載充電器發(fā)展

  

  電動汽車領域的發(fā)展日新月異：電動動力系統(tǒng)正朝著更高效率、更緊湊化的方向演進，以提升車輛自主性和續(xù)航里程。車載充電器(OBC)作為這一發(fā)展的核心部件，必須在保持高效率的同時實現(xiàn)最小化的重量與體積。這一技術挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內。OBC用于交流充電，需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至

  SiC 模塊 車載充電器

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• 發(fā)布了文章 2025-05-28 11:42

  Power Integrations發(fā)布1700 V SiC開關集成電路，專為800 V電動汽車設計

  

  在全球電動汽車市場快速發(fā)展的背景下，PowerIntegrations公司近日推出了一款1700VSiC(碳化硅)開關集成電路，專門為800V電動汽車系統(tǒng)設計。此款新產(chǎn)品基于InnoSwitch3-AQ反激式集成電路，旨在滿足電動汽車行業(yè)對高效、安全和緊湊電力轉換方案的需求。電動汽車的電池系統(tǒng)正逐漸向高電壓平臺(如800V)邁進，以提高能量密度和充電效率。然

  SiC 電動汽車 集成電路

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• 發(fā)布了文章 2025-05-28 11:38

  浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑

  

  橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉換應用領域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設計和襯底技術的創(chuàng)新。本文總結了臺灣研究團隊在工程襯底上開發(fā)1500V擊穿電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術，其主流最高工作電壓范

  GaN 功率器件 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-05-27 11:18

  臺積電加大投資布局 2納米制程研發(fā)取得積極進展

  

  近期，臺積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營運長秦永沛在一次公開活動中表示，公司的2納米制程研發(fā)進展順利，未來將進一步推動技術創(chuàng)新與市場需求的匹配。為了實現(xiàn)這一目標，臺積電計劃對位于高雄的晶圓22廠進行全期投資，預計總額將超過新臺幣1.5萬億元(約合500億美元)。在全球半導體行業(yè)中，臺積電一直處于領導地位，其先進制程的技術實力備受矚目。作為全球最大的半導體

  半導體 臺積電

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• 發(fā)布了文章 2025-05-27 11:15

  浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn)：實現(xiàn)性能突破的關鍵

  

  GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業(yè)控制等領域對高效高密度電源系統(tǒng)的需求。但對于試圖將氮化鎵投入量產(chǎn)的工程師而言，這些性能提升并非唾手可得——它們植根于材料層面而非器件層面，這意味著我們必須直面一系列持續(xù)存在的材料挑戰(zhàn)。晶體生長的奧秘首要認知是：氮化

  GaN 材料 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-05-26 11:36

  Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

  

  近日，行業(yè)先驅Wolfspeed被曝擬通過破產(chǎn)保護程序實施業(yè)務重組。這一動向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競爭下的洗牌趨勢，也凸顯中國供應鏈的快速崛起對傳統(tǒng)巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領域的龍頭企業(yè)，Wolfspeed曾憑借技術先發(fā)優(yōu)勢長期主導市場。近年來，該公司為鞏固地位啟動激進的產(chǎn)能擴張計劃：投資20億美元的紐約8英寸晶圓廠于2022年投產(chǎn)，并計劃在北卡羅來納州

  SiC 碳化硅

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