動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-28 11:28

  意法半導(dǎo)體收購多倫多初創(chuàng)公司Deeplite，助力邊緣AI技術(shù)發(fā)展！

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布已成功收購加拿大多倫多的初創(chuàng)公司Deeplite。這一戰(zhàn)略性收購旨在加強(qiáng)意法半導(dǎo)體在邊緣人工智能(AI)技術(shù)領(lǐng)域的布局，并將Deeplite打造為其全資子公司，以便在未來更好地開發(fā)和推廣先進(jìn)的邊緣AI解決方案。Deeplite成立于2019年，是一家專注于AI模型優(yōu)化的軟件公司。其核心技術(shù)

  ST 人工智能 意法半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-28 11:27

  浮思特 | SiC技術(shù)2025：突破性進(jìn)展與產(chǎn)業(yè)變革

  

  隨著電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和高性能計算等新興技術(shù)將傳統(tǒng)硅技術(shù)推向極限，材料科學(xué)正在不斷發(fā)展以滿足新的性能需求。功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨著在多樣化嚴(yán)苛應(yīng)用中實現(xiàn)更高電壓運(yùn)行、更優(yōu)熱管理和更高能效的壓力。圖12024年，碳化硅功率電子領(lǐng)域取得多項重大進(jìn)展，這一趨勢持續(xù)至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業(yè)中，MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關(guān)

  SiC 功率半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-25 11:39

  SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊：高效能、超快開關(guān)與卓越熱管理

  

  近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計，具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電以及高效服務(wù)器電源等高性能電力電子應(yīng)用。SemiQ此次發(fā)布的SiCMOSFET模塊采用優(yōu)化的芯片設(shè)計，相比前代產(chǎn)品，芯片尺寸更小

  SemiQ SiC 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-04-25 11:34

  浮思特 | 從硅基到寬禁帶：逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

  

  近年來，電力電子技術(shù)取得了重大進(jìn)展。從電動汽車到可再生能源系統(tǒng)，逆變器在直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。傳統(tǒng)上，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造體系，長期主導(dǎo)著逆變器設(shè)計領(lǐng)域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關(guān)頻率和更

  功率器件 寬禁帶 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-24 11:33

  韓國對華半導(dǎo)體出口銳減23.5%，貿(mào)易逆差現(xiàn)象引發(fā)關(guān)注

  

  根據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度，韓國對華出口總額達(dá)288億美元，其中半導(dǎo)體出口額為137.3億美元，占對華出口總額的47%。然而，令人關(guān)注的是，韓國對華半導(dǎo)體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢引發(fā)了廣泛的關(guān)注，也暴露出中韓貿(mào)易關(guān)系中的新動向。對于半導(dǎo)體出口的顯著下降，分析人士指出，主要有兩個方面的原因。首先，

  半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-24 11:32

  合成金剛石在半導(dǎo)體與量子領(lǐng)域的突破性應(yīng)用

  

  合成金剛石因其在多種應(yīng)用中提供極致性能的卓越能力，被譽(yù)為"超級材料"。其獨(dú)特屬性可深刻改變工藝流程和終端產(chǎn)品性能，適用于半導(dǎo)體、傳感器和光學(xué)等廣泛領(lǐng)域。卓越特性與應(yīng)用價值電子工業(yè)主要采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結(jié)構(gòu)排列的分子結(jié)構(gòu)，賦予了無與倫比的強(qiáng)度與硬度。核心特性包括：·寬光譜透光性·超高導(dǎo)熱率·寬電子帶隙·優(yōu)異抗熱震

  GaN 半導(dǎo)體 金剛石

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• 發(fā)布了文章 2025-04-23 11:36

  寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

  

  功率電子技術(shù)的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料的進(jìn)步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導(dǎo)率和更快的開關(guān)速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動機(jī)驅(qū)動器，因為

  GaN SiC 功率晶體管 寬帶隙半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-22 11:35

  氮化鎵技術(shù)驅(qū)動的高效逆變器設(shè)計：硅與GaN器件的比較分析

  

  通過重新設(shè)計基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們設(shè)定了一個目標(biāo)，即設(shè)計出改進(jìn)版的2kVI車輛逆變器。在開發(fā)過程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關(guān)型E-HEMTGaN器件的性能。本

  GaN器件 氮化鎵 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-21 11:57

  上汽英飛凌無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體項目 投資3.1億元提升產(chǎn)能！

  

  近日，上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體(上海)有限公司發(fā)布了關(guān)于其無錫擴(kuò)建功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項目的總投資額達(dá)到3.1億元人民幣，計劃選址于無錫分公司，旨在進(jìn)一步提升其生產(chǎn)能力，以滿足日益增長的市場需求。隨著全球汽車行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是電動汽車和智能汽車的崛起，對功率半導(dǎo)體的需求顯著增加。功率半導(dǎo)體是電動車和混合動力車中的重要組成部

  功率半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-04-21 11:56

  霍爾效應(yīng)電流傳感技術(shù)：開環(huán)與閉環(huán)系統(tǒng)的比較與應(yīng)用

  

  電流傳感器廣泛應(yīng)用于各種場合。常見的技術(shù)是電阻式電流傳感，即測量分流電阻上的電壓降來確定未知電流。基于分流電阻的解決方案不提供電氣隔離，并且在測量大電流時功率效率較低。另一種廣泛使用的技術(shù)基于霍爾效應(yīng)?；魻栃?yīng)電流傳感器由于其傳感器與待測電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾

  開環(huán) 電流傳感器 閉環(huán)系統(tǒng)

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