動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:40

  高級技術(shù)推動電動車電池制造的變革與可持續(xù)發(fā)展

  

  隨著電動車(EV)市場的快速增長，預(yù)計到2033年將達到5375.3億美元，汽車制造商面臨的最緊迫挑戰(zhàn)之一是確保電動車電池的安全性、可靠性和經(jīng)濟性。電池技術(shù)的進步在滿足這些需求和確保電動車成功實現(xiàn)大規(guī)模推廣方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。為此，人工智能(AI)、數(shù)字雙胞胎和先進電池化學(xué)等新興技術(shù)正在幫助塑造電動車電池制造的未來，改變生產(chǎn)過程，提升電池性能，并確?？?

  人工智能 電動汽車 電動車電池

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• 發(fā)布了文章 2025-03-14 11:03

  德州儀器發(fā)布超小型微控制器，推動嵌入式技術(shù)微型化

  

  在全球嵌入式技術(shù)領(lǐng)域，德州儀器(TexasInstruments,TI)于近日在德國舉辦的國際嵌入式展會上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。這款微控制器的面積僅為1.38mm2，較目前市場上最小的MCU小了38%，這一突破性進展將極大推動微型化技術(shù)的發(fā)展，滿足日益增長的市場需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 單片機 微控制器 德州儀器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-14 11:01

  2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命

  

  由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要中壓器件或多級拓撲的直流鏈接電壓現(xiàn)在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級正在促進1500V級逆變器的電路拓撲轉(zhuǎn)變。憑借經(jīng)過驗證的芯片技術(shù)、低開關(guān)損耗和標準封裝，

  SiC 功率模塊 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:09

  意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過一系列創(chuàng)新設(shè)計，推動物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場

  STM32 微控制器 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:05

  TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標桿

  

  在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點TGAN25N120

  IGBT 功率開關(guān)器件 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:42

  英飛凌2024年MCU市場份額飆升，首次奪得全球微控制器市場首位

  

  近日，根據(jù)市場研究機構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場份額預(yù)計將達到21.3%，相比2023年的17.8%增長了3.5個百分點。這一顯著的增長幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:40

  突破電動汽車動力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸：先進的SiC溝槽技術(shù)

  

  隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石，推動了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關(guān)鍵進展，重新定義了電動動力系統(tǒng)的能力。電動汽車的日益普及依賴于延長車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動力系統(tǒng) 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:39

  英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應(yīng)用

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這一新產(chǎn)品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間”應(yīng)用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術(shù)的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實施這些次世代項目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:34

  智能計算新紀元：具記憶功能的晶體管問世

  

  在當(dāng)今電子工業(yè)中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達到其物理和操作極限，它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個晶體管來存儲和處理數(shù)據(jù)的場景下。隨著數(shù)字數(shù)據(jù)的急劇增長，這種方法變得不可持續(xù)。來自約翰霍普金斯大學(xué)的研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計算 電阻器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:11

  Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術(shù)，應(yīng)對設(shè)計復(fù)雜性挑戰(zhàn)！

  

  隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設(shè)計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領(lǐng)域，隨著設(shè)計復(fù)雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術(shù)應(yīng)運而生，成為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領(lǐng)域取得了重大進展，展示了其采用臺積電最新2納米制程的矽智財(IP)解決方案，用于AI和云端基礎(chǔ)設(shè)施芯片

  Marvell 臺積電 芯片設(shè)計

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