動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-24 11:36

  浮思特 | 創(chuàng)新互補(bǔ)模型：提升功率電子轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)與仿真的新方法

  

  功率電子轉(zhuǎn)換器可以視為由分段線性元件(傳統(tǒng)元件如電阻、電感和電容是特例)與電壓源、電流源、二極管和電子開關(guān)(如晶閘管、晶體管、MOSFET等)組成。在此背景下，我們將電子設(shè)備(ED)定義為任何具有分段線性電流-電壓特性的電氣或電子元件，盡管這可能是一個(gè)不太精確的術(shù)語(yǔ)。在許多實(shí)際情況下，電子設(shè)備可以建模為一個(gè)可變電阻，其在導(dǎo)通狀態(tài)下的值非常低，而在阻斷狀態(tài)下的

  仿真 功率電子 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團(tuán)出售亞利桑那州晶圓廠二號(hào)

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(tuán)(MacquarieGroup)，負(fù)責(zé)其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號(hào)的市場(chǎng)推廣與出售。這標(biāo)志著Microchip在調(diào)整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導(dǎo)體、閃存等領(lǐng)域。公司在技術(shù)

  microchip 半導(dǎo)體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)勢(shì)

  

  使用寬帶隙半導(dǎo)體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關(guān)現(xiàn)在在電力變換器中得到了廣泛應(yīng)用。SiC晶體管的高速開關(guān)特性以及低反向恢復(fù)電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復(fù)電荷，使設(shè)計(jì)師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢(shì)，這些開關(guān)類型與經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關(guān)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD)封裝技術(shù)，稱為X.PAK。這種封裝技術(shù)的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設(shè)計(jì)，使得設(shè)備在高功率應(yīng)用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

  

  使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標(biāo)準(zhǔn)的硅p/n二極管提供了許多優(yōu)勢(shì)。一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是缺乏反向恢復(fù)損失，這種損失在p/n二極管中尤為顯著，特別是在高溫、快速切換和高電

  MOSFET SiC 肖特基勢(shì)壘二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:15

  Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

  

  近日，納維塔斯半導(dǎo)體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會(huì)上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽(yù)為在可再生能源和電動(dòng)汽車等高功率應(yīng)用領(lǐng)域的“范式轉(zhuǎn)變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會(huì)上指出，這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個(gè)方面都達(dá)到了行業(yè)頂尖水平。納維塔斯在大會(huì)上推出的雙向Ga

  GaN Navitas 功率IC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技術(shù)：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

  

  為了補(bǔ)償光子不足，制造商可能會(huì)增加曝光劑量，這又會(huì)延長(zhǎng)光刻過(guò)程中停留的時(shí)間。然而，這種做法直接影響了生產(chǎn)效率，使得整個(gè)過(guò)程變得更慢，經(jīng)濟(jì)性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應(yīng)更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，對(duì)更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù)：一種革命性的方法DSA技術(shù)通過(guò)利用嵌段共聚物的分子行為來(lái)解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性

  DSA EUV 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

  

  近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內(nèi)的一項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計(jì)，相較于傳統(tǒng)的場(chǎng)停7IGBT技術(shù)，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測(cè)試的創(chuàng)新解決方案

  

  “萬(wàn)物電氣化”影響著社會(huì)和工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型，需要低成本且高效的電力電子技術(shù)來(lái)滿足各種應(yīng)用需求。這不僅要求為每個(gè)特定應(yīng)用開發(fā)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，還需要高效率的新型半導(dǎo)體技術(shù)，例如基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的器件。電動(dòng)化是能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支柱之一。在此領(lǐng)域，除了成本外，轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和功率(例如用于電池充電)也至關(guān)重要。為此，上

  HIL 寬帶隙器件 測(cè)試 電動(dòng)化

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• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:41

  LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器

  

  目前，越來(lái)越多的汽車牽引逆變器開發(fā)者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個(gè)備受青睞且經(jīng)過(guò)廣泛驗(yàn)證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，能夠支持800V電池系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，從而為車輛提供更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更短的充電時(shí)間。HAH3DRS07/SP42，這是一款專為800V三相功率模塊設(shè)計(jì)的緊湊

  lem 電流傳感器 逆變器

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