動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-07-07 10:33

  臺積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務，力積電接手相關訂單

  

  近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關注，尤其是在當前競爭激烈的半導體市場環(huán)境中。據供應鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價競爭有關。近年來，隨著氮化鎵技術的成熟和應用需求的增長，許多廠商紛紛進入這一領域，導致價格競爭加劇。面對不斷上

  力積電 臺積電 晶圓 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-07-07 10:32

  觸控芯片核心技術解析與選型指南

  

  觸摸控制器芯片是一種電路，它將輸入信號(接觸屏幕表面的手指或物體)轉換為可測量的信號。該信號經過控制器軟件算法的計算和處理，以確定屏幕上的觸摸位置。觸摸屏控制器芯片設計有專用的外設引腳，以便與觸摸傳感器和主機處理器連接。通常，該電路安裝在柔性印刷電路板(FPC)上，該電路板將傳感器連接到主機處理器。觸摸芯片的功能是什么?無論采用何種觸摸技術(無論是電阻式還是

  控制器芯片 觸控芯片 觸摸控制器

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• 發(fā)布了文章 2025-07-04 09:59

  浮思特 | 紅外熱成像原理與技術應用詳解

  

  紅外熱成像技術，如同賦予人類“感知溫度”的視覺，通過捕捉物體散發(fā)的紅外輻射，將不可見的溫度分布轉化為清晰的圖像。這項技術正深刻地改變著我們觀察和理解世界的方式，從工業(yè)設備的精密檢測、安防監(jiān)控的穿透洞察，到智能環(huán)境的高效控制，其應用日益深入生活與生產的方方面面。本文將帶您了解紅外熱成像的基礎原理、核心波段特性及其廣泛的應用前景，探索這項技術如何將無形的熱能轉化

  紅外熱成像 紅外線 紅外輻射

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:23

  ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務器和工業(yè)電源高效能

  

  近期，ROHM半導體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構中的熱插拔電路設計，廣泛應用于AI服務器及工業(yè)電源，尤其是在需要電池保護的場合。隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展，數據中心面臨著前所未有的計算需求，促使服務器的功耗逐年上升。尤其是生成性AI技術和高性能GPU的普及，進一步加大了對提高電源效率的需求。為

  AI服務器 MOSFET Rohm

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• 發(fā)布了文章 2025-07-03 10:20

  電子設備NMB散熱風扇核心技術：從基礎選型到耐環(huán)境設計

  

  散熱風扇是電子設備內部用于關鍵熱管理的核心組件，其作用遠超簡單的“吹風”，涵蓋散熱、通風及空氣循環(huán)等多種功能。理解其技術特性對于設備設計與可靠性至關重要。散熱風扇的基本分類散熱風扇主要依據輸入電源和氣流動力學原理分類：按電源：交流風扇(ACFan)：直接使用交流電網供電。直流風扇(DCFan)：使用直流電源，通常電壓較低(如5V,12V,24V,48V)，功

  散熱 電子設備

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:52

  東京大學開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管，延續(xù)摩爾定律提供新思路

  

  據報道，東京大學的研究團隊近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術領域引起了廣泛關注，標志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團隊的環(huán)繞式金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)展現出卓越的性能，遷移率高達44.5cm2/Vs。在嚴苛的應力測試中，這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時，顯示出其在高壓和高溫等極端條件

  摩爾定律 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-07-02 09:47

  浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關解決方案

  

  電子設備正逐漸融入越來越多的產品中。無論產品是便攜式還是固定式，大多數電子設備都需要高效地將電能(或開關)從一種形式轉換為另一種形式。為此，采用了電力電子技術，供應商們開發(fā)了豐富的開關器件供各種應用選擇。如今電力電子的趨勢是使用半導體開關器件來整流、切換和控制電壓和電流。隨著二極管、晶閘管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(I

  IGBT MOSFET 電力開關

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 10:15

  大基金三期聚焦微影技術與芯片設計工具，助力中國半導體產業(yè)發(fā)展

  

  近日，彭博社報道，國家集成電路產業(yè)投資基金三期(以下簡稱“大基金三期”)正計劃將投資重點放在微影技術、芯片設計工具等關鍵領域。這一舉措旨在減少中國在高端半導體技術方面對國際巨頭的依賴，尤其是在荷蘭ASML、美國益華電腦(Cadence)和新思科技(Synopsys)等公司主導的領域。大基金三期的成立是中國政府推動半導體產業(yè)發(fā)展的重要舉措之一。自2014年以來

  半導體 芯片設計

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• 發(fā)布了文章 2025-07-01 10:13

  浮思特 | 當前電流傳感器的主要類型有哪些?

  

  電流測量涉及多種傳感器技術，從傳統(tǒng)的電流互感器到最新的DC-CT?磁通技術，每種方案都能應對不同的測量挑戰(zhàn)。本文將對比各類技術的優(yōu)缺點、成本及應用場景。主要電流傳感器類型·電流互感器·DC-CT?Plati?e磁通技術·磁通門/零磁通技術·開環(huán)霍爾效應·閉環(huán)霍爾效應·光纖電流傳感器·分流電阻·羅氏線圈電流互感器(CurrentTransformers)電流變

  測量 電流互感器 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-06-30 11:02

  瑞薩電子推遲營收目標至2035年 面對競爭與技術挑戰(zhàn)

  

  瑞薩電子(RenesasElectronics)近期在一場媒體發(fā)布會上宣布，將其原定于2030年實現的營收目標推遲至2035年。這一決定反映了嵌入式半導體行業(yè)的劇烈變化以及公司在技術方向上的重要調整。瑞薩社長柴田英利在發(fā)布會上表示，自2022年設定營收目標以來，行業(yè)內外部環(huán)境發(fā)生了顯著變化。尤其是在與中國競爭對手的競爭中，瑞薩面臨著前所未有的壓力。他強調，盡

  半導體 嵌入式 瑞薩電子

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