動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-09-25 17:56

  SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用

  

  碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動汽車充電，減輕消費(fèi)者對續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度，因此它是用于快速充電解決方案的理想半導(dǎo)體材料，尤其適用于涉及大電流和快速切換的交流到直流充電系統(tǒng)，因此需要良好的熱管理。至于硅基氮化鎵器件（GaN），雖然其高達(dá)200千赫茲的開關(guān)速度使其適用于電動汽車充電器和轉(zhuǎn)換器，但目前其可制造性仍然存

  GaN MOSFET 電動汽車 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2023-09-25 15:34

  了解電動汽車電機(jī)控制及MCU在其中的關(guān)鍵作用

  

  電動汽車電機(jī)控制的主要目標(biāo)包括： 1. 提高效率和續(xù)航里程：通過有效地管理電機(jī)的功率輸出，電機(jī)控制單元可以幫助電動汽車最大程度地利用電池儲存的電能，從而提高續(xù)航里程。 2. 優(yōu)化動力輸出：電機(jī)控制單元可以根據(jù)駕駛需求動態(tài)調(diào)整電機(jī)的輸出，以提供所需的動力和性能。這意味著在加速時提供更多的扭矩，而在巡航時降低功率以減少能耗。

  mcu 電動汽車 電機(jī)控制

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• 發(fā)布了文章 2023-09-25 15:31

  如何測試光耦合器（查找不良光耦合器）

  

  光耦合器： 光耦合器、光電耦合器或光隔離器是一種利用光在兩個隔離電路之間傳輸電信號的元件。光隔離器可防止高電壓影響接收信號的系統(tǒng)。光耦合器有四種常見類型，每種類型都具有紅外 LED 光源，但具有不同的光敏器件。這四種光耦合器分別稱為：光電晶體管、光電達(dá)林頓、光電SCR 和光電雙向可控硅，如下所示。

  光耦 光耦合器 測試 電路

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• 發(fā)布了文章 2023-09-25 11:40

  使用晶體管的邏輯門條件

  

  介紹： 邏輯門是任何數(shù)字系統(tǒng)的基本構(gòu)建塊。它是一種具有一個或多個輸入且只有一個輸出的電子電路。輸入和輸出之間的關(guān)系是基于一定的邏輯的。 基于此，邏輯門被命名為與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門、異或非門。在大多數(shù)邏輯門中，低狀態(tài)大約為零伏?(0?V)，而高狀態(tài)大約為正五伏?(+5?V)。 現(xiàn)在，我將展示使用?NPN?和?PNP?晶體管的邏輯門輸出。

  數(shù)字系統(tǒng) 晶體管 邏輯門

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• 發(fā)布了文章 2023-09-25 11:29

  梅賽德斯-奔馳將部署首個高功率電動汽車充電站

  

  梅賽德斯-奔馳宣布將于10月在佐治亞州亞特蘭大、中國成都和德國曼海姆開設(shè)首個高功率電動汽車（EV）充電站。這一舉措是梅賽德斯-奔馳全球充電基礎(chǔ)設(shè)施計劃的一部分，旨在擴(kuò)大電動汽車充電網(wǎng)絡(luò)的覆蓋范圍。根據(jù)計劃，到2024年底，梅賽德斯-奔馳將在全球范圍內(nèi)增加2000多個大功率充電點(diǎn)，并計劃在未來的十年內(nèi)創(chuàng)建2000多個充電中心，提供超過10,000個充電點(diǎn)。

  Ev 充電站 奔馳 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2023-09-25 11:03

  如何識別變壓器的輸入側(cè)和輸出側(cè)

  

  介紹： 變壓器是電氣系統(tǒng)中最常見的設(shè)備之一，用于連接在不同電壓下運(yùn)行的電路。 這些通常用于需要將交流電壓從一種電壓電平轉(zhuǎn)換為另一種電壓電平的應(yīng)用。 根據(jù)電氣設(shè)備或裝置或負(fù)載的要求，可以通過在交流電路中使用變壓器來降低或提高電壓和電流。 各種應(yīng)用使用各種各樣的變壓器，包括電源、儀器儀表和脈沖變壓器。

  變壓器 電氣系統(tǒng) 設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2023-09-21 14:08

  IGBT的驅(qū)動電路及短路保護(hù)

  

  絕緣柵雙極晶體管（以下簡稱IGBT）是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，融合了MOSFET的快速開關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅(qū)動電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn)，同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等優(yōu)勢。因此，IGBT是一種理想的開關(guān)器件，可以替代GTR，廣泛應(yīng)用于各種需要具備關(guān)閉能力的應(yīng)用領(lǐng)域，如各種固態(tài)電源供應(yīng)系統(tǒng)。

  IGBT IGBT驅(qū)動 短路保護(hù) 驅(qū)動電路

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• 發(fā)布了文章 2023-09-21 13:48

  如何測試 NPN 和 PNP 晶體管

  

  介紹： 晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導(dǎo)體器件。它是一種三端口半導(dǎo)體器件，這些引腳分別標(biāo)記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）?，F(xiàn)在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。

  NPN型 pnp型 晶體管 檢測

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• 發(fā)布了文章 2023-09-20 15:09

  如何用萬用表測試MOSFET

  

  MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場效應(yīng)晶體管的三端器件。

  IGBT MOSFET 功率器件 測試

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• 發(fā)布了文章 2023-09-20 15:02

  IGBT在電磁爐中的應(yīng)用及解決方案

  

  分立式 IGBT 是現(xiàn)代基于逆變器的電磁烹飪產(chǎn)品的首選電源開關(guān)。隨著能源成本持續(xù)上升以及消費(fèi)者對更小型烹飪解決方案的需求增加，IGBT 技術(shù)必須不斷發(fā)展以滿足這些需求。感應(yīng)加熱的基本原理由邁克爾·法拉第 (Michael Faraday) 于 1831 年發(fā)現(xiàn)，并由海因里?！惔?(Heinrich Lenz) 進(jìn)一步發(fā)展。

  IGBT MOSFET 電磁爐

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