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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • AI PC 強(qiáng)勢進(jìn)軍市場,存儲(chǔ)芯片廠商迎接復(fù)蘇大商機(jī)2023-12-26 15:49

    據(jù)韓國媒體報(bào)道,人工智能(AI)功能的新款 AI PC 產(chǎn)品入市,市場預(yù)測這不僅將拉動(dòng)對高性能 DRAM 的需求增長,進(jìn)而促使尚未擺脫經(jīng)濟(jì)衰退影響的 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器需求也將得以擴(kuò)大。這一趨勢給整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場帶來了復(fù)蘇的重要契機(jī)。
  • 二極管在電力整流中的作用2023-12-22 17:24

    二極管在整流器動(dòng)態(tài)應(yīng)用中都扮演著重要的角色,全橋整流器中,它用于將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,降壓轉(zhuǎn)換器中的續(xù)流二極管,反激轉(zhuǎn)換器中的升壓二極管和反向電容二極管,以及引導(dǎo)啟動(dòng)二極管。
    二極管 整流 電力 2728瀏覽量
  • AMD Instinct MI300A獲得德國訂單2023-12-22 17:22

    先進(jìn)微設(shè)備公司(AMD)于本月6日成功舉辦了"推進(jìn)人工智能"(Advancing AI)主題活動(dòng),期間正式發(fā)布了專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的Instinct MI300系列計(jì)算卡,首批推出了兩款產(chǎn)品:集成了CPU和GPU的Instinct MI300A,以及純GPU卡的Instinct MI300X。
    AMD公司 HPC 人工智能 1278瀏覽量
  • 門極驅(qū)動(dòng)器的重要性2023-12-22 17:21

    一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成,還包含了門極驅(qū)動(dòng)器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素,位于電子開關(guān)之前,確保以最佳方式為其提供驅(qū)動(dòng)能量。實(shí)際上,不能僅僅將方波或矩形波直接發(fā)送到器件的門極端子。另一方面,必須適當(dāng)時(shí)序地發(fā)送正確的電位,以確保振蕩適用于各種組件,減少寄生元件,盡可能地取消功率損耗。
  • 分流電阻器的應(yīng)用2023-12-22 17:16

    盡管分流電阻器存在一定局限性,如引入寄生元素和缺乏內(nèi)置隔離等,但通過精心設(shè)計(jì)和采取減輕措施可以解決這些挑戰(zhàn)。分流電阻器仍是電氣設(shè)計(jì)中的一種強(qiáng)大工具,提供高精度的電流測量和控制。通過充分利用其優(yōu)勢,同時(shí)關(guān)注其局限性,設(shè)計(jì)者和研究人員可以在創(chuàng)新產(chǎn)品的性能和效率方面進(jìn)行優(yōu)化。
  • 電感器不同電流紋波比例的影響2023-12-22 16:25

    在開關(guān)調(diào)節(jié)器中,通過電感器實(shí)現(xiàn)瞬時(shí)儲(chǔ)存能量,以便將輸入電壓轉(zhuǎn)換為更高或更低的輸出電壓。電感器的大小取決于開關(guān)調(diào)節(jié)器的切換頻率和預(yù)期的電路電流流動(dòng)。綜合權(quán)衡不同電流紋波比例的優(yōu)缺點(diǎn)后,大約30%的值似乎對于大多數(shù)應(yīng)用來說是一個(gè)不錯(cuò)的折中。然而,在某些情況下允許偏差,只要結(jié)果影響可以接受。
    波紋 電壓 電感 電流 3934瀏覽量
  • 功率設(shè)備提升功率密度的方法2023-12-21 16:38

    在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
  • 激光二極管的原理和應(yīng)用2023-12-20 17:00

    通過對激光二極管的技術(shù)深入分析可知,它在現(xiàn)代電力電子和通信領(lǐng)域中的作用日益重要。雖然激光二極管的成本相對高昂,但在高端精密的應(yīng)用中,其性能優(yōu)勢明顯,預(yù)計(jì)在未來的光電子行業(yè)中將持續(xù)發(fā)揮巨大潛力。
  • 碳化硅MOSFET并聯(lián)運(yùn)作提升功率輸出2023-12-19 11:59

    碳化硅(SiC)MOSFET以其正溫度系數(shù)的特性進(jìn)行靜態(tài)電流的共享和負(fù)反饋。如果一個(gè)設(shè)備的電流更大,那么它就會(huì)加熱,相應(yīng)地增加其RDS(on)。這樣,過境電流降低,熱失衡級(jí)別也降低。此外,他們在溫度增高后切換損耗的增加非常小。最后,碳化硅(SiC)MOSFET的跨導(dǎo)曲線更加平滑,柵極電壓的小變化對電流的影響較小,易于在多個(gè)設(shè)備間進(jìn)行動(dòng)態(tài)的電流共享。
    MOSFET 元器件 碳化硅 1483瀏覽量
  • 英特爾有望于2024年領(lǐng)先芯片制造競爭對手2023-12-19 11:58

    近五年來,英特爾在高級(jí)芯片制造領(lǐng)域落后于臺(tái)積電和三星。如今,為重新贏得領(lǐng)先地位,英特爾正大膽而冒險(xiǎn)地引入兩項(xiàng)全新技術(shù),即新型晶體管技術(shù)和首創(chuàng)的電源交付系統(tǒng),這兩項(xiàng)技術(shù)將被應(yīng)用在計(jì)劃于2024年底發(fā)布的桌面和筆記本電腦的Arrow Lake處理器中。
    電源 芯片 英特爾 1274瀏覽量