激光劃片作為新興材料加工技術，近年來憑借非接觸式加工特性實現快速發(fā)展。其工作機制是將高峰值功率激光束....

本文介紹了用抗反射涂層來保證光刻精度的原理。

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直....

裝片（Die Bond）作為半導體封裝關鍵工序，指通過導電或絕緣連接方式，將裸芯片精準固定至基板或引....

在集成電路設計中，CPU的指令是指計算機中央處理單元（CPU）用來執(zhí)行計算任務的基本操作指令集。這些....

本主要講解了芯片封裝中銀燒結工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應用以及未來展望。

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。

本文介紹了半導體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個關鍵環(huán)節(jié)。

本文介紹了在芯片制造中的應變硅技術的原理、材料選擇和核心方法。

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質的來源、分布、存在形式以及降低雜質的方法。

激光束的輸出實際上由在寬頻率范圍內的許多不同頻率的緊密間隔的光譜線組成。離散光譜分量稱為激光模式la....

從某種層面來說，氣密封裝存在理論與現實的矛盾，正如中國古話“沒有不透風的墻”所描述的那樣，絕對密封難....

半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0....

本文通過介紹傳統平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術的原理、工藝和優(yōu)勢。

SAW（聲表面波）和BAW（體聲波）是兩種常用于射頻濾波器中的技術，它們在頻率響應、損耗、適用頻段等....

深入理解設計規(guī)則，設計者可在可靠性測試結構優(yōu)化中兼顧性能、成本與質量，推動半導體技術的持續(xù)創(chuàng)新。

半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性，半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶....

二氧化硅是芯片制造中最基礎且關鍵的絕緣材料。本文介紹其常見沉積方法與應用場景，解析SiO?在柵極氧化....

金鋁效應是集成電路封裝中常見的失效問題，嚴重影響器件的可靠性。本文系統解析其成因、表現與演化機制，并....

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹，重點解析LPCVD方....

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數之間的關系，結合微觀形貌圖和仿真分析，系統探討了劈刀....

激光固化技術采用紅外激光器，首先使靜電噴涂在零件表面的粉末涂料顆粒快速凝膠化，隨后完成最終固化。熔化....

粘片作為芯片與管殼間實現連接和固定的關鍵工序，達成了封裝對于芯片的固定功能，以及芯片背面電連接功能。....

當加斯頓·普朗特在160多年前發(fā)明鉛酸電池時，他可能未曾預料到這一發(fā)明將催生一個價值數十億美元的產業(yè)....

封裝方案制定是集成電路（IC）封裝設計中的關鍵環(huán)節(jié)，涉及從芯片設計需求出發(fā)，制定出滿足功能、電氣性能....

PA（Power Amplifier，功率放大器）通信系統的重要組成模塊，負責將射頻信號的放大與功率....

本文介紹了High-K材料的物理性質、制備方法及其應用。

經過封裝與測試的芯片，理論上已具備使用條件。然而在現實生活里，一個集成電路產品通常需要眾多芯片共同組....

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數微小硅晶粒組成的非單晶....

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢，本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。