本文概述了集成電路制造中的劃片工藝，介紹了劃片工藝的種類、步驟和面臨的挑戰(zhàn)。

此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。

金絲鍵合主要依靠熱超聲鍵合技術(shù)來達(dá)成。熱超聲鍵合融合了熱壓鍵合與超聲鍵合兩者的長處。通常情況下，熱壓....

本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。

本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程，并詳細(xì)介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。

本文介紹了集成電路設(shè)計中Standard Cell(標(biāo)準(zhǔn)單元)的概念、作用、優(yōu)勢和設(shè)計方法等。

本文介紹了光通信中的光電二極管的工作原理，及其響應(yīng)度和效率的概念。

隨著集成電路尺寸縮小至亞微米技術(shù)節(jié)點，原始的本征氧化隔離技術(shù)（LocOS）已不適應(yīng)。“隔離”是指利用....

Bump Pattern Design（焊點圖案設(shè)計） 是集成電路封裝設(shè)計中的關(guān)鍵部分，尤其在BGA....

在關(guān)鍵尺寸的在線量測環(huán)節(jié)，所運(yùn)用的設(shè)備主要涵蓋 CD-SEM 以及 OCD（optical crit....

封裝設(shè)計是集成電路（IC）生產(chǎn)過程中至關(guān)重要的一環(huán)，它決定了芯片的功能性、可靠性和制造工藝。

鍵合技術(shù)主要分為直接鍵合和帶有中間層的鍵合。直接鍵合如硅硅鍵合，陽極鍵合等鍵合條件高，如高溫、高壓等....

封裝中的RDL（Redistribution Layer，重分布層）是集成電路封裝設(shè)計中的一個重要層....

光刻是廣泛應(yīng)用的芯片加工技術(shù)之一,下圖是常見的半導(dǎo)體加工工藝流程。

當(dāng)前光纖系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于從接入到核心骨干網(wǎng)的各個層級。各層級因功能需求差異采用不同技術(shù)方案：例如核心....

在芯片制造中，有源區(qū)（Active Area）是晶體管的核心工作區(qū)域，負(fù)責(zé)電流的導(dǎo)通與信號處理。它如....

封裝設(shè)計Design Rule 是在集成電路封裝設(shè)計中，為了保證電氣、機(jī)械、熱管理等各方面性能而制定....

納米技術(shù)是一個高度跨學(xué)科的領(lǐng)域，涉及在納米尺度上精確控制和操縱物質(zhì)。集成電路（IC）作為已經(jīng)達(dá)到納米....

半導(dǎo)體集成電路的可靠性評價是一個綜合性的過程，涉及多個關(guān)鍵技術(shù)和層面,本文分述如下：可靠性評價技術(shù)概....

如果將芯片封裝比作“房屋結(jié)構(gòu)”，那么熱仿真就像在建造前做“房屋通風(fēng)模擬”。在圖紙階段先預(yù)測各房間是否....

淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之....

一個復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個晶體管，這些晶體管通過細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程....

硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無可爭議，然而，隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅....

芯片架構(gòu)設(shè)計的目標(biāo)是達(dá)到功能、性能、功耗、面積（FPA）的平衡。好的芯片架構(gòu)能有效提升系統(tǒng)的整體性能....

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重....

本文介紹了集成電路開發(fā)中的器件調(diào)試環(huán)節(jié)，包括其核心目標(biāo)、關(guān)鍵技術(shù)與流程等內(nèi)容。

高性能計算(High Performance Computing, HPC)以超高的計算性能廣泛應(yīng)用....

本文介紹了邏輯集成電路制造中有關(guān)良率提升以及對各種失效的分析。

本文介紹了Cu-Cu混合鍵合主要用在哪方面以及原理是什么。

本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史，詳細(xì)介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個基本結(jié)構(gòu)單元。