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中科院半導(dǎo)體所

文章:1496 被閱讀:584.1w 粉絲數(shù):321 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):49

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芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

微電子封裝技術(shù)每15年左右更新迭代一次。1955年起,晶體管外形(TO)封裝成為主流,主要用于封裝晶....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:10 ?3012次閱讀
芯片傳統(tǒng)封裝形式介紹

封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

業(yè)界普遍認(rèn)為,倒裝封裝是傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝的分界點(diǎn)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-13 10:01 ?1931次閱讀
封裝工藝中的倒裝封裝技術(shù)

FPGA芯片的概念和結(jié)構(gòu)

FPGA(Field Programmable Gate Array,現(xiàn)場可編程門陣列),是一種可在....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:30 ?2889次閱讀

半導(dǎo)體芯片中的互連層次

在半導(dǎo)體芯片中,數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線(Interconnect)連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-12 09:29 ?2478次閱讀
半導(dǎo)體芯片中的互連層次

硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 13:58 ?1663次閱讀
硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

簡單認(rèn)識(shí)晶圓減薄技術(shù)

在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度,以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,避免彎曲變形....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 13:55 ?2425次閱讀

半導(dǎo)體電鍍工藝介紹

Plating(電鍍)是一種電化學(xué)過程,通過此過程在基片(wafer)表面沉積金屬層。在微電子領(lǐng)域,....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:22 ?1781次閱讀

詳談X射線光刻技術(shù)

隨著極紫外光刻(EUV)技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn),X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì),在特定領(lǐng)域正形....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:08 ?1625次閱讀
詳談X射線光刻技術(shù)

通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜 氮化硅膜在MEMS中應(yīng)用十分廣泛,可作為支撐層、....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-09 10:07 ?1285次閱讀
通過LPCVD制備氮化硅低應(yīng)力膜

CPU Socket的基本結(jié)構(gòu)和工作原理

CPU Socket是連接中央處理單元(CPU)與計(jì)算機(jī)主板之間的關(guān)鍵部件,它充當(dāng)著傳遞電信號(hào)、電源....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 17:14 ?2426次閱讀

半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

半導(dǎo)體的典型封裝工藝流程包括芯片減薄、芯片切割、芯片貼裝、芯片互連、成型固化、去飛邊毛刺、切筋成型、....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:15 ?5112次閱讀
半導(dǎo)體封裝工藝流程的主要步驟

淺談光通信激光器的關(guān)鍵特性

當(dāng)激光器導(dǎo)通時(shí),開始產(chǎn)生自發(fā)輻射的光子直到載流子密度超過一個(gè)閾值。因而,產(chǎn)生受激輻射,也就是說,真實(shí)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:12 ?1130次閱讀
淺談光通信激光器的關(guān)鍵特性

晶圓級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)

圓片級(jí)封裝(WLP),也稱為晶圓級(jí)封裝,是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進(jìn)行切割制....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-08 15:09 ?2553次閱讀
晶圓級(jí)封裝技術(shù)的概念和優(yōu)劣勢(shì)

關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡技術(shù)解讀

計(jì)量學(xué)是推動(dòng)當(dāng)前及未來幾代半導(dǎo)體器件開發(fā)與制造的重要基石。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小至100納米,甚至更小....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 15:18 ?1776次閱讀
關(guān)鍵尺寸掃描電子顯微鏡技術(shù)解讀

晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 15:12 ?2426次閱讀
晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試圖形技術(shù)解析

在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-07 09:33 ?1591次閱讀
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試圖形技術(shù)解析

芯片制造中的阻擋層沉積技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋層的原因以及關(guān)鍵工藝流程。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-03 12:56 ?3364次閱讀
芯片制造中的阻擋層沉積技術(shù)介紹

半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

選擇性外延生長(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 05-03 12:51 ?4029次閱讀
半導(dǎo)體選擇性外延生長技術(shù)的發(fā)展歷史

晶圓揀選測試的具體過程和核心要點(diǎn)

在半導(dǎo)體制造流程中,晶圓揀選測試(Wafer Sort)堪稱芯片從“原材料”到“成品”的關(guān)鍵質(zhì)控節(jié)點(diǎn)....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 15:48 ?6153次閱讀
晶圓揀選測試的具體過程和核心要點(diǎn)

一文詳解電子束光刻技術(shù)

本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑,涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 11:00 ?4391次閱讀
一文詳解電子束光刻技術(shù)

FPGA芯片選型的核心原則

本文總結(jié)了FPGA選型的核心原則和流程,旨在為設(shè)計(jì)人員提供決策依據(jù),確保項(xiàng)目成功。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-30 10:58 ?1668次閱讀

光刻膠的類型及特性

光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-29 13:59 ?9445次閱讀
光刻膠的類型及特性

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷,哪怕數(shù)量極少,也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-24 11:07 ?1011次閱讀
TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)

基于自由空間光學(xué)的通信非地面網(wǎng)絡(luò)

本文介紹了6G技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)之一:通訊非地面網(wǎng)絡(luò)。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 10:58 ?964次閱讀
基于自由空間光學(xué)的通信非地面網(wǎng)絡(luò)

芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題

本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題:射程末端(EOR)缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 10:54 ?2001次閱讀
芯片離子注入后退火會(huì)引入的工藝問題

淺談晶圓制造的步驟流程

芯片,是人類科技的精華,也被稱為現(xiàn)代工業(yè)皇冠上的明珠。芯片的基本組成是晶體管。晶體管的基本工作原理其....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 09:19 ?1834次閱讀
淺談晶圓制造的步驟流程

芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

裝片工序完成后,芯片雖已穩(wěn)固于載體(基板或框架)之上,但其表面預(yù)設(shè)的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接,因....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-23 09:16 ?1589次閱讀
芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

TPU處理器的特性和工作原理

張量處理單元(TPU,Tensor Processing Unit)是一種專門為深度學(xué)習(xí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的硬....
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:41 ?4360次閱讀
TPU處理器的特性和工作原理

倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程以及詳細(xì)工藝等。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:38 ?2847次閱讀
倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)過程

簡單認(rèn)識(shí)高壓CMOS技術(shù)

文介紹了高壓CMOS技術(shù)與基礎(chǔ)CMOS技術(shù)的區(qū)別與其應(yīng)用場景。
的頭像 中科院半導(dǎo)體所 發(fā)表于 04-22 09:35 ?1489次閱讀
簡單認(rèn)識(shí)高壓CMOS技術(shù)