三菱電機(jī)與多方聯(lián)合揭示硅中氫致自由電子生成機(jī)制
三菱電機(jī)株式會(huì)社、東京科學(xué)大學(xué)、筑波大學(xué)及 Quemix 公司于2026年1月14日聯(lián)合宣布，全球率....
三菱電機(jī)2025年度功率半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣回顧
站在 2025 年的歲末回望，三菱電機(jī)以覆蓋芯片、模塊至系統(tǒng)級(jí)的密集創(chuàng)新成果，交出了一份亮眼的年度答....
三菱電機(jī)攜手三所高校共育電力電子創(chuàng)新人才
11月24日至11月27日，三菱電機(jī)在中國(guó)三所知名高?！迦A大學(xué)、華中科技大學(xué)和合肥工業(yè)大學(xué)舉行了....
三菱電機(jī)即將發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列HVIGBT模塊
三菱電機(jī)集團(tuán)今日（2025年12月2日）宣布，將于12月9日發(fā)布兩款4.5kV/1200A XB系列....
三菱電機(jī)SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用
SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時(shí)可以在更高開關(guān)頻率下運(yùn)行，減小磁性元件體積。采用....
三菱電機(jī)亮相2025中國(guó)電源學(xué)會(huì)學(xué)術(shù)年會(huì)
2025年11月7-10日，第四屆中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨展覽會(huì)、中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十八屆學(xué)術(shù)年會(huì)....
三菱電機(jī)榮獲海信集團(tuán)2025質(zhì)量卓越貢獻(xiàn)獎(jiǎng)
2025海信集團(tuán)全球供應(yīng)鏈合作伙伴峰會(huì)于10月16日在青島香格里拉舉行。本屆 峰會(huì)以“智鏈全球，韌性....
三菱電機(jī)PCIM Asia Shanghai 2025圓滿收官
時(shí)光見證創(chuàng)新，盛會(huì)圓滿收官。2025年9月26日，為期3天的PCIM Asia Shanghai 2....
三菱電機(jī)推出新緊湊型DIPIPM功率半導(dǎo)體模塊
菱電機(jī)集團(tuán)昨日（2025年9月11日）宣布，將于9月22日開始供應(yīng)針對(duì)家用及工業(yè)設(shè)備（如柜式空調(diào)、熱....
三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前I....
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（2）
隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車電氣化和....
三菱電機(jī)SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用（1）
隨著市場(chǎng)需求的不斷增長(zhǎng)，SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動(dòng)電動(dòng)汽車高效能的....
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（2）
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在....
三菱電機(jī)SiC DIPIPM在變頻家電中的應(yīng)用（1）
三菱電機(jī)于1997年將DIPIPM正式推向市場(chǎng)，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。在....
三菱電機(jī)與GE Vernova簽署諒解備忘錄
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布與GE Vernova公司（美國(guó)馬薩諸塞州劍橋）簽署諒解備忘錄，強(qiáng)化雙方在高壓直....
2025年度三菱電機(jī)投資者關(guān)系日回顧
截至2025年3月31日的財(cái)年，半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)了2863億日元的營(yíng)收實(shí)績(jī)，占三菱電機(jī)全業(yè)務(wù)線的5.2....
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題
在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流....
SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)
通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了....
三菱電機(jī)與上海共繪半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宏圖
量子科技、具身智能、6G等未來(lái)產(chǎn)業(yè)，都依賴半導(dǎo)體技術(shù)的支撐，頭部半導(dǎo)體企業(yè)擁有長(zhǎng)期高增長(zhǎng)前景。三菱電....
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和....
三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
三菱電機(jī)集團(tuán)今日宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品....
三菱電機(jī)發(fā)布新型XB系列HVIGBT模塊
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，將于5月1日開始供應(yīng)其新型XB系列高壓絕緣柵雙極型晶體管（HVIGBT）模塊的....
三菱電機(jī)再度榮獲海爾智家“質(zhì)量引領(lǐng)獎(jiǎng)”
近日，在“智慧新生態(tài)，共贏新時(shí)代”2025海爾智家全球供應(yīng)商合作伙伴大會(huì)上，三菱電機(jī)憑借為其變頻空調(diào)....
SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)....
SiC MOSFET的靜態(tài)特性
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚....
SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性
SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率....
工商網(wǎng)監(jiān)