加利福尼亞，圣克拉拉–?2022年4月11日–豪威集團，全球排名前列的先進數(shù)字成像、模擬、觸屏和顯示技術(shù)等半導(dǎo)體解決方案開發(fā)商，當(dāng)日發(fā)布全新的喉鏡參考設(shè)計，包括一系列豪威集團產(chǎn)品，可為一次性視頻喉鏡
2022-04-14 13:42:05
5603 
N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:4325078 `<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當(dāng)增強型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R雙N溝道功率MOS，24V6A，內(nèi)阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內(nèi)阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L雙N溝道功率MOS，12V27A，內(nèi)阻2.5mΩ
2021-07-21 17:09:05
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強型MOSFET 描述：TDM3412采用先進的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個器件適合用作負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。對工程師來說
2021-04-09 09:20:10
N溝道MOSFET管子接在電路中，好多芯片并聯(lián)在一塊，在不拆下的情況如何測量其好壞？
2024-09-20 06:39:03
20V N-溝道增強型MOSFET
20V N-溝道增強型MOSFET簡介
2010-04-08 17:33:33
15 20V N溝道增強型MOSFET管
20V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:39:0026 30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:0020 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 N溝道增強型MOSFET
N溝道增強型MOSFET的工作原理
1) N溝道增強型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強型
2009-09-16 09:38:1810743 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263434 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
7月15日,全球排名前列的中國半導(dǎo)體設(shè)計公司豪威集團,全新官方網(wǎng)站(www.omnivision-group.com)正式上線。新上線的豪威集團官網(wǎng)采用更具現(xiàn)代感的設(shè)計語言和更科學(xué)的網(wǎng)站架構(gòu),完美
2020-07-15 10:55:159958 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589886 
LTC1693：高速單/雙N溝道MOSFET驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-19 16:35:075 豪威集團全新的品牌視覺遵循極簡的設(shè)計語言。相比舊標(biāo)識，新標(biāo)識字體方正，以字母與球體圖案結(jié)合，簡約不失美感。
2022-01-06 13:41:083754 
近日，豪威集團正式公布全新品牌標(biāo)識。升級后的集團標(biāo)識，與品牌動態(tài)發(fā)展更為契合。隨著集團近年來的發(fā)展和變化，全新的品牌標(biāo)識向公眾展示豪威集團最新的品牌資產(chǎn)與品牌形象。豪威集團全新的品牌視覺遵循極簡的設(shè)計語言。相比舊標(biāo)識，新標(biāo)識字體方正，以字母與球體圖案結(jié)合，簡約不失美感。
2022-03-14 09:45:081541 豪威集團，全球排名前列的先進數(shù)字成像、模擬、觸屏和顯示技術(shù)等半導(dǎo)體解決方案開發(fā)商，當(dāng)日發(fā)布全新的喉鏡參考設(shè)計，包括一系列豪威集團產(chǎn)品，可為一次性視頻喉鏡提供清晰的圖像，幫助改善患者護理。
2022-04-13 15:09:433663 近日，低壓差線性穩(wěn)壓器 （LDO） 國內(nèi)市占率領(lǐng)先的豪威集團發(fā)布了 LDO 新品——WL2848D 系列。高精度、低噪聲、高 PSRR、封裝小等特點使其廣泛適用手機、安防、消費類、工控等多種領(lǐng)域。
2022-05-17 09:21:453464 
電源管理系統(tǒng)要實現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團全新推出兩款 MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙 N 溝道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 溝道 MOSFET WNM6008。
2022-06-28 11:26:321702 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB290UNE
2023-02-07 19:03:320 30 V、200 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX3020NAKV
2023-02-07 19:55:570 30 V、400 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX3008NBKV
2023-02-07 19:56:360 60 V、350 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PV
2023-02-07 19:58:450 60 V、340 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKV
2023-02-07 19:59:000 30 V、350 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX3008NBKS
2023-02-07 20:25:390 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX6008NBKS
2023-02-15 19:51:380 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002PS
2023-02-17 19:11:240 雙 N 溝道 80 V、30 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K30-80E
2023-02-21 19:27:480 雙 N 溝道 80 V、17 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K17-80E
2023-02-21 19:29:110 雙 N 溝道 80 V、23 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K23-80E
2023-02-21 19:29:310 雙 N 溝道 80 V、15 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K15-80E
2023-02-21 19:29:450 雙 N 溝道 80 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K22-80E
2023-02-21 19:30:050 雙 N 溝道 80 V、20 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K20-80E
2023-02-21 19:30:160 雙 N 溝道 60 V、55 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60E
2023-02-21 19:37:060 雙 N 溝道 100 V、24.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K29-100E
2023-02-21 19:37:170 雙 N 溝道 60 V、35 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60E
2023-02-21 19:38:550 雙 N 溝道 60 V、17 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K17-60E
2023-02-21 19:39:070 雙 N 溝道 60 V、11.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K12-60E
2023-02-21 19:39:210 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 雙 N 溝道 40 V、29 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40E
2023-02-21 19:41:060 雙 N 溝道 60 V、45 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K52-60E
2023-02-21 19:42:470 雙 N 溝道 40 V、19 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K18-40E
2023-02-21 19:42:570 雙 N 溝道 60 V、14 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K17-60E
2023-02-21 19:43:180 雙 N 溝道 40 V、19.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K18-40E
2023-02-21 19:51:010 雙 N 溝道 100 V、159 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K134-100E
2023-02-21 19:54:070 雙 N 溝道 60 V、12.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60E
2023-02-22 18:40:320 雙 N 溝道 100 V、37.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K45-100E
2023-02-22 18:41:040 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 80 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K22-80E_
2023-02-22 18:41:250 雙 N 溝道 80 V、20 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K20-80E_
2023-02-22 18:41:450 雙 N 溝道 80 V、23 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K23-80E_
2023-02-22 18:42:160 雙 N 溝道 80 V、17 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K17-80E_
2023-02-22 18:42:260 雙 N 溝道 80 V、15 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K15-80E_
2023-02-22 18:42:391 雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E
2023-02-22 18:42:540 雙 N 溝道 60 V、10 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K13-60E
2023-02-22 18:43:100 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 雙 N 溝道 60 V、30 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K35-60E
2023-02-22 18:44:050 雙 N 溝道 60 V、9.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K12-60E
2023-02-22 18:44:170 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138BKS
2023-02-23 19:34:110 60 V、320 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-BSS138PS
2023-02-27 18:36:510 60 V、300 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002BKS
2023-02-27 18:37:490 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNE
2023-02-27 19:04:542 30 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB550UNE
2023-02-27 19:05:100 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKXB
2023-02-27 19:06:210 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKS
2023-02-27 19:06:450 30 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMGD175XNE
2023-02-27 19:14:400 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 30 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB95XNE2
2023-02-27 19:16:170 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKS
2023-02-27 19:17:510 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKS
2023-02-27 19:18:200 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB30XN
2023-03-02 22:24:160 60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002AKS
2023-03-02 23:01:240 30 V、180 mA 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-NX3020NAKS
2023-03-02 23:02:040 30 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB56XNEA
2023-03-03 19:36:360 30 V 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB95XNE
2023-03-03 20:16:180 20 V 雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB38UNE
2023-03-03 20:16:290 3月8日消息，湖南芯力特電子科技有限公司（以下簡稱“芯力特”）通過官網(wǎng)發(fā)布聲明，宣布芯力特正式加入豪威集團。 芯力特在聲明中表示：我們榮幸地宣布，湖南芯力特電子科技有限公司已經(jīng)正式加入豪威集團
2023-03-14 19:12:021251 pt8205 20V增強型雙N溝道MOSFET
2021-11-24 15:51:5812 OX01J是豪威集團用于SVS和RVC的最高級汽車圖像傳感器，與主流OX01E20 SoC針腳兼容
2024-01-13 09:36:331997 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V，雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:47:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，雙N溝道溝槽MOSFET NX138AKS數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:44:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:03:245 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《60 V，雙N溝道溝槽MOSFET 2N7002AKS-Q數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-21 13:57:091 P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件，在電子電路設(shè)計中扮演著重要角色。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點以及應(yīng)用場景。
2024-08-13 17:02:204934 作為電子工程師，在設(shè)計電路時，選擇合適的MOSFET至關(guān)重要。今天就來詳細聊聊Onsemi的NVMFD027N10MCL，一款100V、26mΩ、28A的雙N溝道功率MOSFET，看看它有哪些特性值得我們關(guān)注。
2025-12-01 15:23:06221 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的一款雙 N 溝道 MOSFET——NVMJD010N10MCL，看看它有哪些獨特之處。
2025-12-04 16:50:38677 
在電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的NVMJD010N10MCL雙N溝道MOSFET，這款器件在緊湊設(shè)計、低損耗等方面展現(xiàn)出了出色的特性。
2025-12-05 09:32:00303 
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