宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。 全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商
2022-05-17 17:51:11
4007 
英飛凌科技推出用于商業(yè)航空電子設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖應(yīng)用和其他類型工業(yè)放大器的高功率晶體管?；?b class="flag-6" style="color: red">全新的50V LDMOS工藝技術(shù)，全新推出的器件具備高能效、適用于小型化系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2012-07-15 01:23:461633 RFMD 的新型 RFHA104x 系列高功率氮化鎵 （GaN） 寬頻功率晶體管 （BPT） 經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于軍事通信、商用無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和普通應(yīng)用。由于采用了為滿足高峰均比應(yīng)用而優(yōu)化的先進(jìn)的 65V 高
2012-11-13 14:00:232219 TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:261621 TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 （GaN） HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同
2012-12-19 10:19:091538 氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET，因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導(dǎo)致的反向恢復(fù)損耗。正是由于這些特性，GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而在保持合理開關(guān)損耗的同時(shí)，提升功率密度和瞬態(tài)性能。
2023-04-14 09:22:301963 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2020-11-13 08:01:002013 GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 電子、汽車和無(wú)線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國(guó)，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技術(shù)傳承，運(yùn)用bipolar、MOSFET和GaN技術(shù)，提供標(biāo)準(zhǔn)和定制化的解決方案以滿足客戶最嚴(yán)苛的需求。射頻功率晶體管 - 硅基氮化鎵 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員簡(jiǎn)化和加快產(chǎn)品開發(fā)，使其能夠輕松微調(diào)射頻能量輸出水平，從而最大限度地提高效率和增強(qiáng)性能。MACOM的射頻能量工具包將其硅基氮化鎵功率晶體管的優(yōu)勢(shì)與直觀、靈活的軟件和信號(hào)控制能力相結(jié)合
2017-08-03 10:11:14
$0.1/KWh，僅將新的宏基站替換使用氮化鎵技術(shù)，一年節(jié)省的電費(fèi)可超過(guò)$100M。MACOM公司的MAGb功率晶體管系列在真實(shí)的基站工作溫度200°C的環(huán)境下MTTF超過(guò)106小時(shí)，由此可見該器件在
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術(shù)。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場(chǎng)演示在2017年的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)上，MACOM上海無(wú)線產(chǎn)品中心設(shè)計(jì)經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢(shì)，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨?、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念?！ D-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
。憑借高達(dá) 300W 的功率輸出能力和堅(jiān)固的塑料封裝，第四代氮化鎵功率晶體管無(wú)疑已成為具有高成本效益的可信賴解決方案?！袌?chǎng)的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)——————在短期內(nèi)，無(wú)線基站市場(chǎng)將繼續(xù)推動(dòng)氮化鎵市場(chǎng)
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
和擴(kuò)展到4G LTE基站以及大規(guī)模MIMO 5G天線領(lǐng)域，其中天線配置的絕對(duì)密度對(duì)功率和熱性能具有極高的價(jià)值，特別是在較高頻率下。經(jīng)過(guò)適當(dāng)開發(fā)，硅基氮化鎵的功率效率優(yōu)勢(shì)將對(duì)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商的基站運(yùn)營(yíng)費(fèi)用
2018-08-17 09:49:42
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
針對(duì)可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來(lái)制造具有高開關(guān)頻率的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來(lái)制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
`Cree的CGH40010是無(wú)與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號(hào)：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
和醫(yī)療應(yīng)用。我們的產(chǎn)品組合利用了MACOM超過(guò)60年的傳統(tǒng)，即使用GaN-on-Si技術(shù)提供標(biāo)準(zhǔn)和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的硅基氮化鎵產(chǎn)品采用0.5微米HEMT工藝制成分立晶體管和集成
2019-11-01 10:46:19
產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管QPD1004產(chǎn)品特性頻率范圍：30 - 1200 MHz輸出功率（p3db）：40 W在1 GHz線性增益：20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級(jí)別。產(chǎn)品型號(hào)：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2160適合高效率的應(yīng)用。產(chǎn)品型號(hào)：TGF2160產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管TGF2160產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號(hào): TGF2977-SM產(chǎn)品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產(chǎn)品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號(hào)，轉(zhuǎn)化為無(wú)損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說(shuō)』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的肖特基勢(shì)壘高度為0.7eV，略高于0.62eV?！ ∥覀兊墓ぷ髦貜?qiáng)調(diào)了透明氮化鎵晶體管的潛力。為了促進(jìn)其發(fā)展，我們還將進(jìn)一步優(yōu)化透明歐姆接觸和降低接觸電阻。這可能會(huì)引導(dǎo)誕生出具有優(yōu)良射頻或功率性能
2020-11-27 16:30:52
明佳達(dá)電子優(yōu)勢(shì)供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
氮化鎵技術(shù)是功率級(jí)的真正推動(dòng)者，如今可提供過(guò)去十年無(wú)法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí)，才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，MinDCet通過(guò)推出
2023-02-24 15:09:34
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
。LMG3410和LMG3411
系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低
功率適配器到超過(guò)2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過(guò)導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)
晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵器件于2010年3月開始進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)，激光雷達(dá)是第一種應(yīng)用能夠發(fā)揮氮化鎵晶體管的高速開關(guān)和小尺寸優(yōu)勢(shì)，以實(shí)現(xiàn)最高性能，成為“殺手級(jí)應(yīng)用”。緊隨其后，是用于高密度計(jì)算的48 V DC/DC轉(zhuǎn)換器
2023-06-25 14:17:47
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
、設(shè)計(jì)和評(píng)估高性能氮化鎵功率芯片方面，起到了極大的貢獻(xiàn)。
應(yīng)用與技術(shù)營(yíng)銷副總裁張炬（Jason Zhang）在氮化鎵領(lǐng)域工作了 20 多年，專門從事高頻、高密度的電源設(shè)計(jì)。他創(chuàng)造了世界上最小的參考設(shè)計(jì)，被多家頭部廠商采用并投入批量生產(chǎn)。
2023-06-15 15:28:08
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對(duì)的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量）和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場(chǎng)的能力，制造性能空前的器件?！ ∪缃?，氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。 增強(qiáng)型氮化鎵(e
2012-06-06 13:56:31
0 半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管（EPC2049），應(yīng)用于負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)（LiDAR）及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。
2017-12-29 10:40:007190 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢(shì)，需要使用良好的測(cè)量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來(lái)進(jìn)行評(píng)估。本文專注于如何基于用戶的要求及測(cè)量技術(shù)，利用測(cè)量設(shè)備來(lái)準(zhǔn)確地評(píng)估高性能的氮化鎵晶體管。此外，本文評(píng)估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時(shí)的情況。
2018-06-08 16:43:004123 
關(guān)鍵詞：硅基氮化鎵 , 功率放大器 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅
2019-02-17 12:32:01659 用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。
2020-02-12 13:25:4410705 
什么是氮化鎵晶體管？它有什么作用？硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化，在這個(gè)行業(yè)中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電力電子工業(yè)已經(jīng)達(dá)到硅MOSFET的理論極限
2020-05-24 11:30:059114 基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方案正變得越來(lái)越流行，但與其硅對(duì)應(yīng)物一樣，單個(gè)
2022-08-04 09:35:482219 
氮化鎵晶體管和碳化硅 MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管
2022-11-02 16:13:065427 與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。
2023-02-03 14:34:204023 
與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。
2023-02-03 14:35:402638 
作為第三代半導(dǎo)體的天之驕子，氮化鎵晶體管日益引起工業(yè)界的重視，且被更大規(guī)模應(yīng)用
2023-02-07 17:13:06970 氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計(jì)的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V，非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-08 09:52:021307 
一個(gè)器件的成本效益，從生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施開始計(jì)算。宜普公司的工藝技術(shù)，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/Al），隔離了器件結(jié)構(gòu)和基底。這個(gè)隔離層能隔離300V電壓。在這隔離層上是一層厚厚的氮化鎵，晶體管就建立于這個(gè)基礎(chǔ)上。
2023-02-08 09:57:302835 
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:071360 氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵
2023-02-09 16:59:577653 
氮化鎵晶體管顯然對(duì)高速、高性能MOSFET器件構(gòu)成了非常嚴(yán)重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預(yù)計(jì)的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們?cè)谳^低速度、650V，非常高電流電源應(yīng)用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化鎵（氮化鎵）是一種半導(dǎo)體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點(diǎn)是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比，GaN晶體管和集成電路提供了高的電子遷移率
2023-02-13 16:28:176710 氮化鎵晶體管型號(hào)參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
2023-02-14 16:24:032808 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。
2023-02-19 14:32:393119 了氮化鎵呢？? 下圖是充電器的主要電子元器件。 ? 其實(shí)充電電子元器件里面，是晶體管里面添加了氮化鎵，而其他元器件均是常規(guī)電子件。 這里的晶體管是指MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效益晶體管。 而氮化鎵晶體管與普
2023-02-21 15:04:246 摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會(huì)降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項(xiàng)研究中，二維
2023-05-25 16:11:292306 
2SD2686是一款高性能的功率晶體管，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-06-19 14:36:361023 
引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)吸引了越來(lái)越多的關(guān)注,也正是因?yàn)檫@些優(yōu)點(diǎn),垂直氮化鎵功率晶體管在未來(lái)的電力
2023-02-13 10:42:542995 
如今，開發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵（GaN）是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉(zhuǎn)換
2023-08-03 14:43:28694 如今，越來(lái)越多的設(shè)計(jì)人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因?yàn)樗兄谔岣?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。
2023-09-13 16:06:07880 Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。
2023-12-22 10:47:002012 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416132 應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號(hào)： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無(wú)線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管是當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的明星，它正在提高功率轉(zhuǎn)換效率、電機(jī)控制和功率密度，有效滿足當(dāng)前的市場(chǎng)需求和趨勢(shì)。
2024-07-05 09:20:011586 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 工藝的橫向晶體管相比，采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件，可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而，制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點(diǎn)籽晶 （MPS） 襯底，并成功地在襯底上生長(zhǎng)出對(duì)角線長(zhǎng)度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場(chǎng)合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311104 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系列
2025-11-03 18:18:052815 
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