硫系化合物隨機存儲器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
1641 
意法半導體獨有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲器，有望突破更高性能，以實現(xiàn)更低工作功耗和更低待機功耗。
2013-11-09 08:54:091663 隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。##嵌入式存儲器設計方法##物理驗證
2014-09-02 18:01:152131 
SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 何為嵌入式存儲器 嵌入式存儲器現(xiàn)在已經(jīng)不是一個新的概念了。相對于片外存儲器，嵌入式存儲器是指集成在片內(nèi)與系
2017-12-26 10:59:5212674 中國在量子計算領域再次取得里程碑式突破！中國科學技術(shù)大學潘建偉團隊在國際上首次實現(xiàn)18個光量子比特的糾纏，刷新了所有物理體系中最大糾纏態(tài)制備的世界紀錄。該成果應用價值極大，表明我國繼續(xù)在國際上引領多體糾纏的研究。
2018-07-03 10:35:148922 記者從中國科大獲悉，該校郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權(quán)等人成功研制出多自由度并行復用的固態(tài)量子存儲器，在國際上首次實現(xiàn)跨越3個自由度的復用量子存儲，并展示了時間和頻率自由度的任意光子脈沖操作功能。該成果近日發(fā)表在國際期刊《自然·通訊》上。
2018-08-30 14:08:072533 隨著深亞微米VLSI技術(shù)的發(fā)展，大量的不同廠家的電路設計或核集成到一個芯片上。存儲器密度的增長使存儲器的測試面臨著更大的挑戰(zhàn)。嵌入式RAM存儲器是最難測試的電路，因為存儲器的測試通常需要大量的測試
2020-07-02 07:54:004616 
量子糾纏的內(nèi)稟隨機性，在國際上首次成功實現(xiàn)器件無關(guān)的量子隨機數(shù)。相關(guān)研究成果于北京時間9月20日凌晨在線發(fā)表在國際學術(shù)期刊《自然》雜志上。這項成果將在數(shù)值模擬和密碼學等領域得到廣泛應用，有望形成新的隨機數(shù)國際標準。
2018-09-26 11:10:584250 等嚴格要求的專用計算機系統(tǒng)?？梢赃@樣認為，嵌入式系統(tǒng)是一種專用的計算機系統(tǒng)，作為裝置或設備的一部分。通常，嵌入式系統(tǒng)是一個控制程序存儲在ROM中的嵌入式處理器控制板。事實上，所有帶有數(shù)字接口的設備，如
2020-08-12 00:00:00
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設計方法。
2019-11-01 07:01:17
汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現(xiàn)在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。在許多細分市場（例如：網(wǎng)關(guān)、車身控制器和電池管理單元）上，隨著應用復雜程度提高
2019-08-13 06:47:42
FLASH存儲器是什么？嵌入式Flash的特性有哪些？嵌入式Flash扇區(qū)擦除有哪些步驟？
2021-09-24 14:40:28
Cache 或者片上存儲器。 對于嵌入式設備上的數(shù)據(jù)密集的應用，數(shù)據(jù)Cache 與片上存儲器相比存在以下缺陷：(1) 片上存儲器是固定的單周期訪問，可在設計時而不是運行時研究數(shù)據(jù)訪問模式；而Cache還要
2019-07-02 07:44:45
隨著嵌入式系統(tǒng)的不斷發(fā)展，處理器性能的不斷提升，存儲系統(tǒng)容量的不斷擴大，各種多媒體應用程序被移植到嵌入式系統(tǒng)中，多媒體組件成為其不可或缺的重要組成部分。本文在比較如今流行的幾種嵌入式圖形系統(tǒng)的基礎上，提出了基于MiniGUI的嵌入式媒體播放器的設計與實現(xiàn)方法。
2019-08-29 06:12:31
嵌入式最小硬件系統(tǒng)是由哪些部分組成的？嵌入式系統(tǒng)使用的存儲器是如何進行劃分的？可分為哪幾類？
2021-10-22 07:18:56
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 編輯
嵌入式芯片的存儲器映射
2012-08-20 14:14:09
r隨著功能越來越強大的處理器、圖像傳感器、存儲器和其他半導體器件以及相關(guān)算法的出現(xiàn)，可以在多種嵌入式系統(tǒng)中實現(xiàn)計算機視覺功能，通過視頻輸入來分析周圍環(huán)境。微軟的Kinect游戲控制器
2019-08-22 06:43:16
嵌入式軟件開發(fā)的存儲器有哪些呢？分別有什么優(yōu)缺點？嵌入式軟件開發(fā)的處理器是什么？有何功能？
2021-12-24 06:15:25
方便移動設備應用.存儲器系統(tǒng)設計必須支持增長的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實可以減少功耗。存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設計者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
Cyclone? IV 器件具有嵌入式存儲器結(jié)構(gòu)，滿足了 Altera? Cyclone IV 器件設計對片上存儲器的需求。嵌入式存儲器結(jié)構(gòu)由一列列 M9K 存儲器模塊組成，通過對這些 M9K 存儲器模塊進行配置，可以實現(xiàn)各種存儲器功能，例如：RAM、移位寄存器、 ROM 以及FIFO 緩沖器。
2017-11-13 12:09:48
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
當系統(tǒng)運行了一個嵌入式實時操作系統(tǒng)時（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲器來運行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機訪問儲存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲器）。
2019-06-28 08:29:29
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應用在打印機領域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
對于邏輯芯片的嵌入存儲器來說，嵌入式SRAM是最常用的一種，其典型的應用包括片上緩沖器、高速緩沖存儲器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的結(jié)構(gòu)，標準的六管單元（6T）SRAM對于邏輯工藝有著很好的兼容性。對于小于2Mb存儲器的應用，嵌入式SRAM可能有更好的成本效率并通常首先考慮。
2019-08-28 08:18:27
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計呢？
2019-08-02 06:49:22
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設計與實現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
本文提出了一個網(wǎng)絡存儲器的基本解決方案，實現(xiàn)了網(wǎng)絡存儲器的基本功能。
2021-04-26 06:50:19
總結(jié)嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中常見的存儲器及其特點
2021-12-17 06:11:47
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
《嵌入式技術(shù)ARM裸機開發(fā)》之存儲器 2008年畢業(yè)于沈陽航空航天大學電子信...
2021-07-20 07:38:42
怎么設計一種面向嵌入式存儲器測試和修復的IIP？如何解決設計和制造過程各個階段的良品率問題？嵌入式存儲器測試和修復技術(shù)的未來趨勢是什么？STAR存儲器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
基于PLD和嵌入式存儲器實現(xiàn)W-CDMA調(diào)制解調(diào)器的設計
2020-12-28 06:04:37
閃速支持芯片的PSD設備和閃速存儲器在嵌入式系統(tǒng)中的設計
2009-05-13 13:57:48
18 嵌入式系統(tǒng)中基于FAT 表的存儲器管理
2009-05-14 14:11:4633 閃速支持芯片的PSD設備和閃速存儲器在嵌入式系統(tǒng)中的設計
2009-05-15 14:47:498 基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM 存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC 實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因為這種存儲器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要
2009-11-30 16:06:4118 本文設計了一種基于0.13 微米CMOS 工藝的FPGA 芯片中的嵌入式存儲器模塊。該容量為18Kb 的同步雙端口存儲模塊，可以配置成為只讀存儲器或靜態(tài)隨機存儲器，每個端口有6 種數(shù)據(jù)寬
2009-12-19 16:19:5024 嵌入式存儲器內(nèi)建自測試的一種新型應用孫華義 鄭學仁 閭曉晨王頌輝吳焯焰 華南理工大學微電子研究所廣州 510640摘要：當今，嵌入式存儲器在SoC 芯片面積中所占的比例越來
2009-12-20 09:26:1138 文章中簡要介紹了嵌入式存儲器技術(shù)發(fā)展歷程，詳細地介紹了基于標準工藝上嵌入式存儲器的技術(shù)關(guān)鍵詞：IP SOC 存儲器 eDRAM OTP MTP 嵌入式閃存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 相變存儲器驅(qū)動電路的設計與實現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲器驅(qū)動電路的基本原理, 設計了一種依靠電流驅(qū)動的驅(qū)動電路, 整體電路由帶隙基準電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 系統(tǒng)級芯片(SoC)中存儲器容量的增加以及嵌入式存儲器支配
2010-07-26 16:16:2522 使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設計基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設計中使用ASIC/SoC實現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因
2009-02-01 09:11:511746 
相變存儲器技術(shù)基礎 相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲器（PCM）技術(shù)基礎知識
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路
德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它
2010-02-04 09:35:34838 
Numonyx推出全新相變存儲器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(PCM)的新一代存儲技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130
2010-07-13 10:03:26825 
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲器(PCM)是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 嵌入式存儲器正逐漸成為SoC的主體結(jié)構(gòu)，對嵌入式存儲器進行內(nèi)建自測試（BIST, Build-in Self-Test）和內(nèi)建自修復（BISR, Build-in Self-Repair）是降低制造成本，提高SoC成品率和可靠性的必要環(huán)
2011-05-28 16:39:0153 深圳江波龍電子召開媒體交流會，宣布推出新一代嵌入式MMC卡(eMMC)和固態(tài)硬盤(SSD)產(chǎn)品，填補了本土品牌在嵌入式存儲器領域的空白
2011-08-16 09:03:55853 很多嵌入式芯片都集成了多種存儲器（RAM、ROM、Flash、），這些存儲器的介質(zhì)、工藝、容量、價格、讀寫速度和讀寫方式都各不相同，嵌入式系統(tǒng)設計需根據(jù)應用需求巧妙地規(guī)劃和利用
2011-11-24 11:43:45101 《集成電路應用》雜志日前采訪了國內(nèi)領先的嵌入式存儲器方案提供商深圳江波龍電子有限公司嵌入式存儲產(chǎn)品總監(jiān)王景陽先生，請他就平板電腦如果選用嵌入式存儲器進行了介紹。
2012-04-20 13:35:292316 嵌入式的 存儲器電路
2017-04-11 10:47:526 在嵌入式系統(tǒng)中，存儲資源是非常寶貴的。一些芯片，尤其是超大規(guī)模集成電路和低端微處理器可能僅有很少的板載內(nèi)存。RAM直接建于芯片內(nèi)部，因此無法擴展。嵌入式快閃存儲器是從EPROM和EEPROM發(fā)展而來
2017-10-16 17:20:500 摘要： 針對目前嵌入式存儲器測試算法的測試效率與故障覆蓋率難以兼得的現(xiàn)狀，提出了兼顧二者的測試算法。實驗結(jié)果表明該算法最適合對存儲器進行大批量的測試。在測試效率上的優(yōu)勢很明顯，故障覆蓋率也能達到
2018-01-19 03:47:023060 SoC重要組成部分的嵌入式存儲器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2018-06-06 16:39:0012212 
中國科學技術(shù)大學潘建偉教授及其同事陸朝陽、劉乃樂等組成的研究團隊在國際上首次實現(xiàn)量子機器學習算法。日前，國際權(quán)威物理學期刊《物理評論 快報》發(fā)表了這一論文[Phys. Rev. Lett. 114, 110504 (2015)]。這是量子計算應用于大數(shù)據(jù)分析和人工智能領域的開創(chuàng)性實驗工作。
2018-05-18 23:04:003101 
Numonyx相變存儲器（PCM）的倡導者Jamshid闡述了什么是相變存儲器，以及它正如何改變著存儲器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 這種測試方法的優(yōu)點是利用SoC現(xiàn)有資源，而不需要設計額外的測試電路，也不需要對現(xiàn)有電路進行任何修改，因此不會增加額外的面積開銷，也不會降低性能。這種測試方法可以采用任何一種測試算法對嵌入式存儲器進行
2018-08-26 09:04:072468 
，因此能夠很好地滿足上述場合對大量數(shù)據(jù)緩存的需求。但DDR SDRAM的接口不能直接與現(xiàn)今的微處理器和DSP的存儲器接口相連，需要在其間插入控制器實現(xiàn)微處理器或DSP對存儲器的控制。
2019-07-02 08:03:005010 
嵌入式存儲器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán)，過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進日益艱辛，嵌入式存儲器工藝推進的難處全浮上臺面。
2018-09-07 17:34:444738 幾乎所有的新興存儲器出道時都宣稱與CMOS工藝兼容，意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲器。
2019-01-25 10:06:315190 近年來，非易失性存儲技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進展，為計算機系統(tǒng)的存儲能效提升帶來了新的契機，采用新型非易失性存儲技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲技術(shù)可以適應計算機技術(shù)發(fā)展對高存儲能效的需求。以相變存儲器為
2019-03-19 15:43:0110827 
汽車微控制器正在挑戰(zhàn)嵌入式非易失性存儲器（e-NVM）的極限，主要體現(xiàn)在存儲單元面積、訪問時間和耐熱性能三個方面。
2019-07-07 10:59:222046 
中國科學技術(shù)大學教授潘建偉及其同事陳宇翱、徐飛虎等在國際上首次實驗實現(xiàn)全光量子中繼器的原理性驗證，為構(gòu)建遠距離光纖量子網(wǎng)絡開辟了新途徑。該成果于近日在國際學術(shù)權(quán)威期刊《自然·光子學》上在線發(fā)表。
2019-07-13 07:29:001213 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是嵌入式硬件系統(tǒng)教程之嵌入式的存儲技術(shù)詳細資料說明包括了：概述，存儲器的性能指標，存儲器的分類
2019-07-19 17:08:0014 相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
獲取嵌入式存儲器設計的另一種方法是利用存儲器編譯器，它能夠快捷和廉價地設計存儲器物理模塊。
2019-10-18 11:52:161386 
相變存儲器具有很多優(yōu)點，比如可嵌入功能強、優(yōu)異的可反復擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516096 近日，我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡技術(shù)方面取得重大突破，在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。中國科學技術(shù)大學、濟南量子技術(shù)研究院、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所等單位的科學家
2020-03-17 14:19:032933 近日，我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡技術(shù)方面取得重大突破，在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443811 。以相變存儲器為代表的多種新型存儲器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲器的工作原理、技術(shù)特點及其國內(nèi)外最新研究進展。 一、相變存儲器的工作原理 相變存儲器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 中國科學技術(shù)大學郭光燦院士團隊李傳鋒、周宗權(quán)研究組在量子存儲領域取得重要進展，首次實現(xiàn)按需式讀取的可集成固態(tài)量子存儲器。
2021-01-06 10:47:20854 存儲器介紹(嵌入式開發(fā)英文怎么說)-存儲器介紹，有需要的可以參考！
2021-07-30 16:10:0218 FPGA中嵌入式塊存儲器的設計(嵌入式開發(fā)平臺)-該文檔為FPGA中嵌入式塊存儲器的設計總結(jié)文檔，是一份很不錯的參考資料，具有較高參考價值，感興趣的可以下載看看………………
2021-08-04 10:14:406 1. 嵌入式的外部存儲器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲器。存儲器的物理構(gòu)成包含頁內(nèi)地址，頁（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲器
2021-11-26 19:51:0510 Flash存儲器是一種非易失性內(nèi)存，其作為數(shù)據(jù)、系統(tǒng)存儲的關(guān)鍵介質(zhì)，在嵌入式系統(tǒng)中扮演著重要角色。常見的Flash有NAND Flash 、Nor Flash、eMMC等，本文將簡單介紹不同F(xiàn)lash的區(qū)別及應用場景。
2022-04-28 11:23:171598 
領先的MEMS汽車傳感器斬獲中國傳感器產(chǎn)業(yè) “杰出貢獻獎”。 ? ? 美泰公司獲此榮譽，彰顯了業(yè)界對公司全面布局汽車電子產(chǎn)業(yè)的高度肯定和認可，實現(xiàn)了MEMS慣性傳感器在國際上首次百萬級裝車，MEMS壓力傳感器及汽車安全氣囊傳感器也首破百萬訂單，這些成績激勵著美
2023-09-15 09:43:312398 嵌入式系統(tǒng)需要可靠且快速的引導存儲器來在系統(tǒng)啟動期間加載初始引導代碼和操作系統(tǒng)。
2023-12-05 14:08:351310 相變存儲器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實現(xiàn)信息的存儲和擦除，通過測量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論