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AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當(dāng)然還有最讓初學(xué)者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。
1：未編程
0：編程
1.BOD(Brown-out Detection) 掉電檢測電路
BODLEVEL(BOD電平選擇): 1: 2.7V電平； 0：4.0V電平
BODEN(BOD功能控制): 1：BOD功能禁止；0：BOD功能允許
使用方法：如果BODEN使能(復(fù)選框選中)啟動掉電檢測，則檢測電平由BODLEVEL決定。一旦VCC下降到觸發(fā)電平(2.7v或4.0v)以下，MCU復(fù)位；當(dāng)VCC電平大于觸發(fā)電平后，經(jīng)過tTOUT 延時周后重新開始工作。
因為M16L可以工作在2.7v～5.5v，所以觸發(fā)電平可選2.7v(BODLEVEL=1)或4.0v(BODLEVEL=0);而M16工作在4.5～5.5V，所以只能選BODLEVEL=0，BODLEVEL=1不適用于ATmega16。
2.復(fù)位啟動時間選擇
SUT 1/0: 當(dāng)選擇不同晶振時，SUT有所不同。
如果沒有特殊要求推薦SUT 1/0設(shè)置復(fù)位啟動時間稍長，使電源緩慢上升。
3.CKSEL3/0: 時鐘源選擇（時鐘總表）
時鐘總表
時鐘源 啟動延時 熔絲
外部時鐘 6 CK + 0 ms CKSEL=0000 SUT="00"
外部時鐘 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0000 SUT="01"
外部時鐘 6 CK + 65 ms CKSEL="0000" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩
1MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0001" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩1MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0001" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩1MHZ1 6 CK + 65 ms CKSEL="0001" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0010" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩
2MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0010" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩2MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0010" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0011" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0011" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩4MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0011" SUT="10"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 0 ms CKSEL="0100" SUT="00"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0100" SUT="01"
內(nèi)部RC振蕩8MHZ 6 CK + 65 ms CKSEL="0100" SUT="10"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0101" SUT="00"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="01"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0101" SUT="10"
外部RC振蕩≤0.9MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0101" SUT="11"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL="0110" SUT="00"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0110" SUT="01"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="0110" SUT="10"
外部RC振蕩0.9-3.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL=0110 SUT="11"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=0111 SUT="00"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="01"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL=0111 SUT="10"
外部RC振蕩3.0-8.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="0111" SUT="11"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 0 ms CKSEL=1000 SUT="00"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="01"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 18 CK + 65 ms CKSEL="1000" SUT="10"
外部RC振蕩8.0-12.0MHZ 6 CK + 4.1 ms CKSEL="1000" SUT="11"
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1001" SUT="00"
低頻晶振(32.768KHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="01"
低頻晶振(32.768KHZ) 32K CK + 65 ms CKSEL="1001" SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="00"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1010" SUT="01"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1010 SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1010" SUT="11"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1011" SUT="00"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL=1011 SUT="01"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1011" SUT="10"
低頻石英/陶瓷振蕩器(0.4-0.9MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1011" SUT="11"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="00"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="1100" SUT="01"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL=1100 SUT="10"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="1100" SUT="11"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1101" SUT="00"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="1101" SUT="01"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="1101" SUT="10"
中頻石英/陶瓷振蕩器(0.9-3.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1101" SUT="11"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="00"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 258 CK + 65 ms CKSEL="111"0 SUT="01"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 0 ms CKSEL="111"0 SUT="10"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 4.1 ms CKSEL="111"0 SUT="11"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 1K CK + 65 ms CKSEL="1111" SUT="00"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 0 ms CKSEL="1111" SUT="01"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 4.1ms CKSEL="111"1 SUT="10"
高頻石英/陶瓷振蕩器(3.0-8.0MHZ) 16K CK + 65ms CKSEL="1111" SUT="11"
高位(BOOT區(qū)設(shè)置)：
1. JTAGEN(JTAG允許): 1：JTAG禁止； 0：JTAG允許
OCDEN(OCD功能允許)： 1：OCD功能禁止；0：OCD功能允許
注：OCDEN(On-chip Debug)：片上調(diào)試使能位
JTAGEN(JTAG使能): JTAG測試訪問端口
使用方法：在JTAG調(diào)試時，使能OCDEN JTAGEN兩位（復(fù)選框打勾），并保持所有的鎖定位處于非鎖定狀態(tài)；在實際使用時為降低功耗，不使能OCDEN JTAGEN，大約減少2－3mA的電流。
2. SPIEN(SPI下載允許): 1：SPI下載禁止；0：SPI下載使能
注：在ISP的軟件里，SPIEN是不能編輯的，默認(rèn)為0。
3. CKOPT(選擇放大器模式)： CKOPT＝0：高幅度振蕩輸出；CKOPT
＝1：低幅度振蕩輸出
當(dāng)CKOPT 被編程時振蕩器在輸出引腳產(chǎn)生滿幅度的振蕩。這種模式適合于噪聲環(huán)境，以及需要通過XTAL2 驅(qū)動第二個時鐘緩沖器的情況，而且這種模式的頻率范圍比較寬。當(dāng)保持CKOPT 為未編程狀態(tài)時，振蕩器的輸出信號幅度比較小。其優(yōu)點是大大降低了功耗，但是頻率范圍比較窄，而且不能驅(qū)動其他時鐘緩沖器。
對于諧振器，當(dāng)CKOPT未編程時的最大頻率為8 MHz，CKOPT編程時為16 MHz。內(nèi)部RC振蕩器工作時不對CKOPT編程。
4.EEAVE(燒錄時EEPROM數(shù)據(jù)保留): 1：不保留；0：保留
5.BOOTRST(復(fù)位入口選擇): 1：程序從0x0000地址開始 0：復(fù)位后
從BOOT區(qū)執(zhí)行（參考BOOTSZ0/1）
6.BOOTSZ 1/0(引導(dǎo)區(qū)程序大小及入口):
00： 1024Word/0xc00；
01： 512Word/0xe00；
10： 256Word/0xf00；
11： 128Word/0xf80
AVR熔絲位的設(shè)置分析 - 全文
本文導(dǎo)航
- 第 1 頁：AVR熔絲位的設(shè)置分析
- 第 2 頁：高位(BOOT區(qū)設(shè)置)
- AVR(81390)
- 熔絲位(11488)
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2213搞錯熔絲位，導(dǎo)致芯片死鎖的恢復(fù)辦法
搞錯熔絲位，導(dǎo)致芯片死鎖的恢復(fù)辦法
當(dāng)你改動了AVR的熔絲位配置，重新加電后，想再用ISP下載，提示：“進(jìn)入編程模式失敗”等，極有可能是你搞錯了熔絲位，導(dǎo)致
2010-01-20 17:01:023305
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熔絲位(Fuse)快速入門
AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢：它是以功能組合讓用戶配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的優(yōu)勢(優(yōu)勢是如此明顯，可以用巨大優(yōu)勢來形容)： 1. 有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學(xué)者的惡夢) 2. 不需要靠記憶
2011-01-18 16:25:350
0反熔絲FPGA配置和編程方法
反熔絲FPGA制造困難且多用在特殊用途領(lǐng)域,因此有關(guān)其位流文件的研究很少.本文首先介紹了反熔絲FPGA 及FPGA CAD軟件流程, 接著描述了反熔絲FPGA具體結(jié)構(gòu)并通過一個具體例子說明了如何配置
2017-11-18 11:19:0111876
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avr單片機熔絲位設(shè)置方法及步驟及設(shè)置注意事項
對AVR熔絲位的配置是比較細(xì)致的工作，用戶往往忽視其重要性，或感到不易掌握。下面給出對AVR熔絲位的配置操作時的一些要點和需要注意的相關(guān)事項。
2017-11-22 15:02:4325320
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AVR單片機如何在編寫程序里就配置好熔絲位?
在AVR的器件手冊中，對熔絲位使用已編程（Programmed）和未編程（Unprogrammed）定義熔絲位的狀態(tài)，“Unprogrammed”表示熔絲狀態(tài)為“1”（禁止）；“Programmed
2017-11-22 17:40:352735
2735一文詳解ATMEGA128熔絲位配置
AVR系列單片機在仿真調(diào)試之前，首先必須對AVR的熔絲位和鎖定位進(jìn)行配置。如果配置不當(dāng)，則可能造成單片機不能正常工作，嚴(yán)重時可能導(dǎo)致單片機死鎖。因此，對單片機熔絲位和鎖定位的正確配置顯得尤為重要。
2018-06-17 09:12:0012799
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AVR的bootloader的設(shè)置步驟教程及注意事項
熔絲位的燒寫：BOOTRST要進(jìn)行編程，這樣單片機在復(fù)位后自動跳轉(zhuǎn)到bootloader區(qū)執(zhí)行bootloader的代碼，然后要根據(jù)自己bootloader的大小設(shè)置boot區(qū)的的熔絲位。
2018-05-20 09:46:007464
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三分鐘告訴你：AVR單片機的熔絲與解鎖
AVR單片機的熔絲位配置是AVR單片機初學(xué)者很容易出錯的地方，其實只要注意一些事項，還是能夠盡量避免單片機被鎖死，即使單片機被鎖死，也可以使用一些方法解鎖，本文講述我在剛開始接觸AVR單片機時熔絲位配置出現(xiàn)的一些問題。
2018-05-25 17:10:0014360
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AVR單片機概念解析 熔絲位相關(guān)知識介紹
欣世紀(jì)電子阿迪老師單片機系列視頻教程之《AVR單片機十日通》，這是第二日：AVR單片機概述及熔絲位特別知識，非常重要的內(nèi)容，特別是熔絲位
2018-07-04 09:47:004188
4188一文教你避免單片機熔絲位鎖死
初學(xué)AVR的人難免會碰到心愛的單片機熔絲位鎖死，直接罷工的煩惱。絕大部分情況是我們的工作時鐘源設(shè)置錯誤導(dǎo)致，下面說說一些預(yù)防措施。
2018-07-15 09:46:007232
7232AVR單片機的熔絲應(yīng)該如何設(shè)置
初學(xué)者對熔絲經(jīng)常不解，AVR芯片使用熔絲來設(shè)定時鐘、啟動時間、一些功能的使能、BOOT區(qū)設(shè)定、當(dāng)然還有最讓初學(xué)者頭疼的保密位，設(shè)不好鎖了芯片很麻煩。要想使MCU功耗最小也要了解一些位的設(shè)定。
2019-11-09 10:32:225245
5245AVR單片機熔絲鎖死的處理方法解析
在很多AVR單片機的初學(xué)者在使用AVR單片機中，很容易把熔絲位弄錯而造成單片機鎖死，比如說JTAGEN置為1后，單片機的JTAG就不能再下載程序進(jìn)去了，因此給我們帶來很多麻煩。
2019-11-18 16:43:375864
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如何進(jìn)行ATmega8熔絲位和程序及數(shù)據(jù)存儲器鎖定位的設(shè)置
ATmega8 有兩個熔絲位字節(jié)。下面兩表簡單地描述了所有熔絲位的功能以及他們是如何映射到熔絲字節(jié)的。如果熔絲位被編程則讀返回值為“0”。
2019-12-27 08:00:006
6熔絲是什么_熔絲起什么作用
熔絲也叫保險絲、熔體。住宅總熔絲裝于電能表后，一般采用瓷插式熔斷器。現(xiàn)在作為住宅的總保護(hù)，通常采用斷路器代替熔絲。城鄉(xiāng)個體作坊、城市舊宅及部分農(nóng)村住宅還采用熔絲作為總保護(hù)。另外，許多家用電器內(nèi)都裝有熔斷器，如彩色電視機、微波爐、收錄機、空調(diào)器、洗衣機等，作為家用電器的保護(hù)用。
2020-03-14 17:24:4933319
33319ATmega128單片機熔絲位的資料匯總
在 AVR的器件手冊中，使用已編程（ Programmed ）和未編程（ Unprogrammed ）定義熔絲位的狀態(tài)。 “Unprogrammed”表示熔絲狀態(tài)為“ 1”（禁止）；“ Programmed”
2020-06-30 08:00:009
9AVR熔絲位配置的一些要點和需要注意的相關(guān)事項資料下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AVR熔絲位配置的一些要點和需要注意的相關(guān)事項資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-11 08:52:296
6AVR單片機熔絲位問題有哪些資料下載
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AVR單片機熔絲位問題有哪些資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:45:0412
12AVR單片機熔絲位設(shè)置
AVR單片機熔絲位設(shè)置 熔絲位可以控制avr單片機的一些功能也有保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的作用，正確配置熔絲位使單片機正常工作防止鎖死，這里以atmega128單片機為例（使用軟件為progisp）。'0’表示熔斷'1’表示不起作用...
2021-11-14 20:21:0012
12AVR單片機熔絲和解鎖
AVR單片機的熔絲位配置是AVR單片機初學(xué)者很容易出錯的地方，其實只要注意一些事項，還是能夠盡量避免單片機被鎖死，即使單片機被鎖死，也可以使用一些方法解鎖，本文講述我在剛開始接觸AVR單片機時熔絲位
2021-11-14 20:51:008
8AVR單片機學(xué)習(xí)--mega48_88_168熔絲位含義簡述
熔絲位簡要說明 熔絲位 功能 配置說明 熔絲低位 CKDIV8 時鐘8分頻 0：時鐘8分頻
2021-11-14 21:06:0016
16關(guān)于AVR單片機熔絲位的設(shè)置和拯救方法大全 AVR單片機熔絲位的設(shè)置和詳細(xì)的拯救方法
熔絲位是ATMEL公司AVR單片機比較獨到的特征。在每一種型號的AVR單片機內(nèi)部都有一些特定含義的熔絲位，其特性表現(xiàn)為多次擦寫的E2PROM。用戶通過配置（編程）這些熔絲位，可以固定地設(shè)置AVR
2021-11-15 09:06:0244
44自制AVR高壓編程器，解鎖熔絲位錯誤的avr單片機
自制AVR高壓編程器，解鎖熔絲位錯誤的avr單片機這段時間在用atmel的系列單片機at90usb128x/64x和atmega32u4設(shè)計鍵盤，有一塊at90的單片機由于熔絲位設(shè)置錯誤被鎖死，導(dǎo)致
2021-11-15 09:21:0437
37ATmega128單片機](熔絲修改后無法燒錄程序情況)
@ATmega128單片機，AVR，ATmega128單片機](熔絲修改后無法燒錄程序情況)本人是AVR單片機小白，前段時間開始學(xué)習(xí)AVR單片機，由于腦殘更改了AVR單片機的熔絲位，使得我的寶貝
2021-11-15 09:36:0426
26在MIMXRT1020CAG4B中設(shè)置BT_FUSE_SEL熔絲位
判斷外部BOOT GPIO引腳電平，可以減少外部下拉電阻的設(shè)置，對于原理圖設(shè)計會簡化許多。根據(jù)手冊，BT_FUSE_SEL位于熔絲地址 0x460的第四位。
2022-11-07 10:44:232368
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