PIC單片機(jī)在國(guó)內(nèi)日益流行，本文介紹Microchip PIC系列單片機(jī)開(kāi)發(fā)過(guò)程中軟、硬件設(shè)計(jì)的一些經(jīng)驗(yàn)、技巧。

　　由美國(guó)Microchip公司生產(chǎn)的PIC系列單片機(jī)，由于其超小型、低功耗、低成本、多品種等特點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、儀器、儀表、通信、家電、玩具等領(lǐng)域，本文總結(jié)了作者在PIC單片機(jī)開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一些經(jīng)驗(yàn)、技巧，供同行參考。

　　1 怎樣進(jìn)一步降低功耗

　　功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個(gè)重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機(jī)本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時(shí)工作電流小于2mA）。為進(jìn)一步降低功耗，在保證滿足工作要求的前提下，可采用降低工作頻率的方法，工作頻率的下降可大大降低功耗（如PIC16C××在3V，32kHz下工作，其電流可減小到15μA），但較低的工作頻率可能導(dǎo)致部分子程序（如數(shù)學(xué)計(jì)算）需占用較多的時(shí)間。在這種情況下，當(dāng)單片機(jī)的振蕩方式采用RC電路形式時(shí)，可以采用中途提高工作頻率的辦法來(lái)解決。

　　具體做法是在閑置的一個(gè)I/O腳（如RB1）和OSC1管腳之間跨接一電阻（R1），如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進(jìn)行快速運(yùn)算時(shí)先置RB1= 1，由于充電時(shí)，電容電壓上升得快，工作頻率增高，運(yùn)算時(shí)間減少，運(yùn)算結(jié)束又置RB1=0，進(jìn)入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R1的阻值而定（注意R1不能選得太小，以防振蕩電路不起振，一般選取大于5kΩ）。

　　另外，進(jìn)一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。執(zhí)行“sleep”指令，機(jī)器處于睡眠狀態(tài)，功耗為幾個(gè)微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用 “sleep”指令來(lái)等待事件，也可在延時(shí)程序里使用（見(jiàn)例1、例2）。在延時(shí)程序中使用“sleep”指令降低功耗是一個(gè)方面，同時(shí)，即使是關(guān)中斷狀態(tài)，Port B端口電平的變化可喚醒“sleep”，提前結(jié)束延時(shí)程序。這一點(diǎn)在一些應(yīng)用場(chǎng)合特別有用。同時(shí)注意在使用“sleep”時(shí)要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。

　　例1（用Mplab-C編寫） 例2（用Masm編寫）

　　Delay（） Delay

　　{ ；此行可加開(kāi)關(guān)中斷指令

　　/*此行可加開(kāi)關(guān)中斷指令*/ movlw.10

　　for （i=0; i《=10; i ） movwf Counter

　　SLEEP（）; Loop1

　　} Sleep

　　decfsz Counter

　　goto Loop1

　　return

　　2 注意INTCON中的RBIF位

　　INTCON中的各中斷允許位對(duì)中斷狀態(tài)位并無(wú)影響。當(dāng)PORT B配置成輸入方式時(shí)，RB《7:4》引腳輸入在每個(gè)讀操作周期被抽樣并與舊的鎖存值比較，一旦不同就產(chǎn)生一個(gè)高電平，置RBIF=1。在開(kāi) RB中斷前，也許RBIF已置“1”，所以在開(kāi)RB中斷時(shí)應(yīng)先清RBIF位，以免受RBIF原值的影響，同時(shí)在中斷處理完成后最好是清RBIF位。

　　3 用Mplab-C高級(jí)語(yǔ)言寫PIC單片機(jī)程序時(shí)要注意的問(wèn)題

　　3.1 程序中嵌入?yún)R編指令時(shí)注意書寫格式 見(jiàn)例3。

　　例3

　　…………

　　while（1） {#asmwhile（1） {

　　…… #asm /*應(yīng)另起一行*/

　　#endasm ……

　　}/*不能正確編譯*/ #endasm

　　…… }/*編譯通過(guò)*/

　　……

　　當(dāng)內(nèi)嵌匯編指令時(shí)，從“#asm”到“endasm”每條指令都必須各占一行，否則編譯時(shí)會(huì)出錯(cuò)。