1.EEPROM介紹

　　Electrically Erasable Programmable Read Only Memory電氣可拭除可編程只讀存儲器

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　　2.EEPROM和FLASH的區(qū)別

　　2.1 使用上的區(qū)別

　　FLASH用于存放程序，在程序運行過程中不能更改。我們編寫的程序是燒錄到FLASH中的；

　　RAM用作程序運行時的數(shù)據(jù)存儲器；

　　EEPROM用于存放數(shù)據(jù)，是用來保存掉電后用戶不希望丟的數(shù)據(jù)，開機時用到的參數(shù)。運行過程中可以改變。

　　FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數(shù)據(jù)，當(dāng)然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數(shù)通常小于一萬次，而且通常FLASH只能按塊擦除。EEPROM不能用來存程序，通常單片機的指令尋址不能到這個區(qū)域。EEPROM的擦寫次數(shù)應(yīng)有百萬次，而且可以按字節(jié)擦寫。EEPROM在一個PAGE內(nèi)是可以任意寫的，F(xiàn)LSAH則必須先擦除成BLANK，然后再寫入，而一般沒有單字節(jié)擦除的功能，至少一個扇區(qū)擦除。

　　2.2 結(jié)構(gòu)上的區(qū)別

　　EEPROM和FLASH都是非易失性存儲器。

　　FLASH的全稱是FLASH EEPROM，但跟常規(guī)EEPROM的操作方法不同。

　　FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。

　　3.EEPROM的使用方法

　　AVRGCC里面自帶有EEPROM讀寫函數(shù)。

　　使用時需包含頭文件#include ，部分讀寫函數(shù)如下：

　　#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（EECR， EEWE）//檢測EEPROM是否準(zhǔn)備好。OK返回1（返回EEWE位）

　　#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等待EEPROM操作完成

　　extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//讀取指定地址的一個字節(jié)8bit的EEPROM數(shù)據(jù)

　　extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//讀取指定地址的一個字16bit的EEPROM數(shù)據(jù)

　　extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//讀取由指定地址開始的指定長度的EEPROM數(shù)據(jù)

　　extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址寫入一個字節(jié)8bit的EEPROM數(shù)據(jù)

　　extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址寫入一個字16bit的EEPROM數(shù)據(jù)

　　通過串口向單片機發(fā)送配置命令，單片機收到指令后，利用函數(shù)write_EEPROM_config（）將相應(yīng)的配置信息存放于EEPROM中。系統(tǒng)初始化時，利用函數(shù)read_EEPROM_config（）從EEPROM中取出相應(yīng)的數(shù)據(jù)，用于系統(tǒng)的初始化。
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