對于初學(xué)者而言，對單片機(jī)的內(nèi)存分配往往最讓人頭疼，很多人學(xué)了單片機(jī)幾年 都不知道單片機(jī)內(nèi)部的內(nèi)存使用情況是如何分配的。要了解 ROM(flash)、RAM(sram)啟動(dòng)，首先 需要對 鏈接器 Linker 如何分配內(nèi)存有一定的了解。

通常，對于棧生長方向向下的單片機(jī)，其內(nèi)存一般模型是：

一個(gè)進(jìn)程運(yùn)行時(shí)，所占用的內(nèi)存，可以分為如下幾個(gè)部分：

1、棧區(qū)(stack)：由編譯器自動(dòng)分配釋放，存放函數(shù)的參數(shù)值，局部變量的值等。

2、堆區(qū)(heap)：一般由程序員分配釋放，若程序員不釋放，程序結(jié)束時(shí)可能由OS釋放。

3、全局變量、靜態(tài)變量：初始化的全局變量和靜態(tài)變量放在一塊區(qū)域，未初始化的全局變量和和未初始化的靜態(tài)變量在相鄰的的另一塊區(qū)域。程序結(jié)束后由系統(tǒng)自動(dòng)釋放。

4、文字常量：常量字符串就是放在這里的。這些數(shù)據(jù)是只讀的，分配在RO-data(只讀數(shù)據(jù)存儲區(qū))，則被包含在flash中，程序結(jié)束后由系統(tǒng)自動(dòng)釋放

5、程序代碼(code)：存放函數(shù)體的二進(jìn)制代碼。

同時(shí)，單片機(jī)內(nèi)存被總分為flash(rom)和sram(ram)，flash里面的數(shù)據(jù)掉電可保存，sram中的數(shù)據(jù)掉電就丟失，sram的執(zhí)行速度要快于flash，flash容量大于sram

上方的最低內(nèi)存地址，最高地址，都是在flash和sram中

我們正常下載程序都是下載存儲進(jìn)flash里面，這也是為什么斷電可保存的原因

單片機(jī)的程序存儲分為code(代碼存儲區(qū))、RO-data(只讀數(shù)據(jù)存儲區(qū))、RW-data(讀寫數(shù)據(jù)存儲區(qū)) 和 ZI-data(零初始化數(shù)據(jù)區(qū))

Flash 存儲 code和RO-data

Sram 存儲 RW-data 和ZI-data

在使用MDK編譯時(shí)可以看到

Code為程序代碼部分 = 程序代碼區(qū)(code)

RO-data 表示 程序定義的常量 = 文字常量區(qū)

RW-data 表示 已初始化的全局變量 = 棧區(qū)(stack)堆區(qū)(heap)全局區(qū)(靜態(tài)區(qū))(static)

ZI-data 表示 未初始化的全局變量

審核編輯：湯梓紅

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