由于當(dāng)前 PC 儲(chǔ)存型態(tài)的改變，除了 SSD 的平價(jià)化，如高性能的 PCIe 4.0 SSD 、混合儲(chǔ)存架構(gòu)或是 Intel 的 Optane 等特性不同于傳統(tǒng)硬碟的儲(chǔ)存技術(shù)激增。 當(dāng)前針對(duì)儲(chǔ)存
2019-12-12 11:44:57
5063 近年來對(duì)芯片的高速數(shù)據(jù)處理的要求，使得許多芯片內(nèi)部都已經(jīng)搭載了高速IF的功能。但是，也正是由于它的高速性能造成芯片的測(cè)試變得非常的困難。對(duì)這類高速IF芯片的初期評(píng)價(jià)階段
2011-11-10 12:01:263867 
現(xiàn)在，原子儲(chǔ)存信息的技術(shù)正在變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)。荷蘭代爾夫特理工大學(xué)科維理納米科學(xué)研究所桑德·奧特領(lǐng)導(dǎo)的研究小組，證明利用原子儲(chǔ)存大量信息是可行的。
2016-07-25 17:11:381565 加密芯片內(nèi)部集成了什么算法？自身安全等級(jí)如何？如何保證內(nèi)部儲(chǔ)存的密鑰和信息數(shù)據(jù)不被非法讀取與篡改？
2018-07-24 09:40:3114247 
在集成電路設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過程中，對(duì)芯片內(nèi)部電源的瞬態(tài)響應(yīng)進(jìn)行準(zhǔn)確測(cè)試是至關(guān)重要的。
2023-11-07 11:04:451466 
51單片機(jī)中EA為內(nèi)外部程序儲(chǔ)存器選擇端。當(dāng) EA為高電平時(shí)，單片機(jī)訪問內(nèi)部程 序儲(chǔ)存空間，為低電平時(shí)訪問外部 程序存儲(chǔ)空間。 外部程序存儲(chǔ)空間是什么？
2020-04-10 01:04:47
外部晶振方案/內(nèi)部晶振方案/時(shí)鐘芯片方案都有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2022-02-22 06:53:15
在嵌入式開發(fā)中，如果芯片內(nèi)部有Flash，應(yīng)用程序通常保存在芯片內(nèi)部FLASH中，比如Cortex-M系列的單片機(jī)；如果芯片內(nèi)部沒有Flash，則應(yīng)用程序通常保存于外部的NAND FLASH中，比如
2022-02-16 06:05:57
芯片測(cè)試需要掌握的技術(shù)，來源：基業(yè)常青經(jīng)濟(jì)研究院從IDM到垂直分工，IC產(chǎn)業(yè)專業(yè)化分工催生獨(dú)立測(cè)試廠商出現(xiàn)。集成電路產(chǎn)業(yè)從上世紀(jì)60年代開始逐漸興起，早期企業(yè)都是IDM運(yùn)營(yíng)模式（垂直整合），這種...
2021-07-28 08:06:50
霍爾傳感器將電流信號(hào)送進(jìn)芯片引腳，假設(shè)進(jìn)入芯片引腳的電壓是0-3V，這是一個(gè)周期性的正弦信號(hào)，請(qǐng)問在芯片內(nèi)部是怎么求出其有效值的？就是這個(gè)0-3V怎么轉(zhuǎn)為有效值顯示？這個(gè)周期信號(hào)的周期是50HZ，難道是逐周期計(jì)算有效值？還是每過來一個(gè)采樣值，和之前的采樣值長(zhǎng)度加起來在一個(gè)周期然后求取有效值？
2024-04-09 21:12:48
我是做家電維修的，現(xiàn)在一臺(tái)音箱處理器確定是這個(gè)芯片壞了，想請(qǐng)問一個(gè)各位大神它的內(nèi)部儲(chǔ)存有數(shù)據(jù)嗎？直接買一個(gè)芯片能不能代換呢？謝謝
2014-03-08 17:16:52
內(nèi)部模式是指程序和數(shù)據(jù)位于MCU芯片內(nèi)部，以FLASH或EPROM的形式存在，地址和數(shù)據(jù)總線對(duì)于用戶并不可見，由此節(jié)省下來的芯片引腳作為I/O口提供給用戶。內(nèi)部模式也稱單片模式，所有的程序執(zhí)行都發(fā)生在內(nèi)部
2011-08-11 14:19:29
似乎內(nèi)部溫度采樣不太準(zhǔn)確，下面是測(cè)試的溫度和實(shí)際代碼測(cè)量芯片部分有26.7度，實(shí)際輸出是-1~2度左右。UINT8 i;signed short RoughCalib_Value = 0
2022-08-15 07:01:55
DSPtms320c6748處理器通過emifa連接ad7606的讀取采樣后的數(shù)據(jù)怎么儲(chǔ)存
2021-07-02 21:08:45
的掌握是準(zhǔn)備“藍(lán)橋杯”單片機(jī)設(shè)計(jì)與開發(fā)比賽避不開的內(nèi)容。 藍(lán)橋杯單片機(jī)開發(fā)所使用的EEPROM儲(chǔ)存芯片是AT2
2022-01-17 08:26:47
的運(yùn)作情況。在這個(gè)芯片中的程序在這些可設(shè)置硅片間到底是如何工作的。本書會(huì)使非數(shù)字化設(shè)計(jì)人員明白FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）的基礎(chǔ)知識(shí)及其工作原理。此信息在使用高端設(shè)計(jì)工具時(shí)同樣十分有用，希望可以為理解這一特別技術(shù)提供一些線索。
2019-07-29 08:12:26
Bifrost架構(gòu)如何提高效率和性能？Mali-G71如何通過創(chuàng)新技術(shù)來提升GPU性能？GPU爆炸式發(fā)展背后的深層原因？
2021-03-11 06:48:49
芯片的設(shè)計(jì)中加入一些額外的自測(cè)試電路，測(cè)試時(shí)只需要從外部施加必要的控制信號(hào)，通過運(yùn)行內(nèi)建的自測(cè)試硬件和軟件，檢查被測(cè)電路的缺陷或故障。和掃描設(shè)計(jì)不同的是，內(nèi)建自測(cè)試的測(cè)試向量一般是內(nèi)部生成的，而不是
2011-12-15 09:35:34
使用一款MCU芯片的內(nèi)部ADC功能對(duì)正弦波采樣，這個(gè)輸入正弦波是選擇交流還是直流？ADC應(yīng)該是選擇單次轉(zhuǎn)換還是連續(xù)轉(zhuǎn)換模式？目前對(duì)設(shè)置了一定頻率與幅度的正弦波輸入，但通過串口只會(huì)輸出這個(gè)正弦波的均值，應(yīng)該怎么能采集到一個(gè)完整的正弦波
2023-05-24 17:15:02
MSP430或STM32，在使用內(nèi)部ADC出現(xiàn)的采樣數(shù)據(jù)異常抖動(dòng)問題采樣設(shè)計(jì)：用于檢測(cè)供電線路電流及電壓。產(chǎn)品運(yùn)行在兩種模式下，1、低功耗靜態(tài)模式（倉(cāng)儲(chǔ)態(tài)），2、全功能全速運(yùn)行模式（工作態(tài)）。在倉(cāng)儲(chǔ)
2022-02-11 07:44:17
labview程序里面解析出來的大量數(shù)據(jù)（模擬量或者報(bào)文解析數(shù)據(jù)）儲(chǔ)存到電腦別的盤以EXcel文件格式儲(chǔ)存。要求儲(chǔ)存Excel文件內(nèi)部有讀取和需儲(chǔ)存文件名和數(shù)據(jù)
2019-03-22 09:23:43
互連的開路與短路故障,可采用外部測(cè)試加以驗(yàn)證: ·測(cè)試PCB上總線的完整性,通過其測(cè)試可檢測(cè)與總線相連的IC芯片I/O管腳是否存在開路故障?！ ‰S著BST技術(shù)的不斷發(fā)展,PCB測(cè)試將逐步完善。由于
2018-09-10 16:50:00
弱弱的請(qǐng)教大家一個(gè)問題啊~~~~芯片若使用外部時(shí)鐘源 指的是使用外部有源晶振嗎？芯片若使用內(nèi)部時(shí)鐘，指的是使用外部晶體還是內(nèi)部RC電路產(chǎn)生時(shí)鐘？
2015-07-24 21:34:55
使用通道二驗(yàn)證ADS1292R內(nèi)部測(cè)試電平的采樣結(jié)果時(shí)，通道一關(guān)閉，內(nèi)部測(cè)試信號(hào)為1mv@1Hz的方波，PGA=6，發(fā)現(xiàn)剛開始的測(cè)試值大致是對(duì)的，低值為低值為14364（十進(jìn)制，對(duì)應(yīng)0.692mV
2024-11-26 08:35:30
您好，我現(xiàn)在用貴公司ADS1299芯片時(shí)，內(nèi)部測(cè)試信號(hào)正常，外部測(cè)試嚴(yán)重失真？
現(xiàn)在我有幾個(gè)問題想請(qǐng)教一下，希望能得到您的建議：
1、外部輸入時(shí)，參考電壓必須使用外部供電嗎？使用內(nèi)部的行不行？
2
2024-08-12 07:09:57
請(qǐng)教：使用MCU內(nèi)部的8路ADC采樣，如何保護(hù)和隔離？？？之前采樣點(diǎn)租直接和MCU 的ADC引腳相連，有干擾，有時(shí)還會(huì)損壞MCU如果采用單獨(dú)ADC芯片，8路的，有什么性價(jià)比高的新片推薦下，精度要求不高，但要穩(wěn)定！
2017-02-27 16:45:45
用的是TI官方的EK-LM4F232H5QD評(píng)估板 其中PD4（AIN7）外接電池進(jìn)行AD采樣測(cè)試，電池電壓1.528-1.533V左右，當(dāng)設(shè)置參考電壓為內(nèi)部參考電壓時(shí)，采樣值在1827-1924，1.528/3.3*4096=1896左右，設(shè)置為外部3V參考電壓時(shí)，采樣值還是和內(nèi)部參考電壓值時(shí)差不多？
2018-11-19 15:14:58
很多情況下，對(duì)于ADC采樣只能看到表象，無法理解更深的層次，那么造成的結(jié)果可能就是ADC采樣有誤差，采樣不準(zhǔn)確，這篇文章幫你更深層次的理解ADC采樣
2021-02-26 13:42:42
TMS320F28X 處理器內(nèi)部AD的采樣速率夠快，為何不能夠執(zhí)行與上述外部AD相同的同步采樣功能呢？采樣出來的數(shù)據(jù)到底有什么區(qū)別？謝謝。
2018-06-11 08:56:43
IIC總線是什么？如何使用IIC總線去實(shí)現(xiàn)EEPROM小容量數(shù)據(jù)儲(chǔ)存測(cè)試呢？
2021-11-05 08:04:14
的程序儲(chǔ)存在外部ROM，這樣怎樣定義？3、如何使用MDK，定義程序的儲(chǔ)存位置？嵌入式系統(tǒng)、加密程序、常用功能要儲(chǔ)存在內(nèi)部ROM；PCI和PWM儲(chǔ)存在外部ROM。4、請(qǐng)教一下，我應(yīng)該使用那種芯片的外部ROM和RAM？需要16M左右，因?yàn)閹в蠰CD。望各位大神賜教。
2019-10-21 04:26:46
對(duì)于單顆的芯片，目的驗(yàn)證其從封裝完成，經(jīng)過儲(chǔ)存、運(yùn)輸直到焊接到系統(tǒng)板之前的靜電防護(hù)水平，建議采用芯片級(jí)的測(cè)試方式，測(cè)試電壓通常在2000V左右。對(duì)于系統(tǒng)板和整機(jī)，為驗(yàn)證其抗干擾的能力，建議用靜電槍測(cè)試，接觸式放電8KV，空氣放電15KV.
2022-09-19 09:57:03
怎么通過VDD腳看芯片是內(nèi)部供電還是外部供電求通俗易懂的解釋
2022-12-07 14:27:21
`求助以下 芯片 哪個(gè)是 儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的謝謝`
2015-03-04 19:50:55
安路哪些器件自帶大容量內(nèi)部儲(chǔ)存器？
2023-08-11 08:19:50
各位大神求助。想做一個(gè)盾構(gòu)刀具測(cè)試系統(tǒng)，最后怎么實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)的儲(chǔ)存和回調(diào)，這一部分程序怎么編寫
2015-05-25 02:13:39
你好，我現(xiàn)在計(jì)劃的采樣頻率是2.56mhz，計(jì)劃采用dsp+外部ad的方案，請(qǐng)問應(yīng)該選擇什么樣的采樣芯片比較合理，還有主芯片采用150mhz的28335能不能滿足？
精度要求在5%。
2024-12-24 07:08:59
我想請(qǐng)教一下關(guān)于DSP28069進(jìn)行AD采樣時(shí)，如果采用外部基準(zhǔn)參考電壓3.3V 是不是比選用內(nèi)部參考電壓進(jìn)行采樣時(shí) 精度要準(zhǔn)確一點(diǎn)？選擇外部基準(zhǔn)參考電壓與內(nèi)部基準(zhǔn)參考電壓 除了電壓上的不同外 還有什么區(qū)別？另外28069芯片現(xiàn)在是否已經(jīng)量產(chǎn)了？
2018-08-22 07:14:20
基于DSP的測(cè)試技術(shù)與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比，有哪些優(yōu)勢(shì)？基本的混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)包括哪些？采樣和重建在混合信號(hào)測(cè)試中的應(yīng)用
2021-04-21 06:41:10
請(qǐng)問有人測(cè)試過國(guó)民技術(shù)的MCU芯片嗎？，性能怎樣，在行業(yè)水準(zhǔn)如何呢？
2021-05-23 10:00:33
請(qǐng)問：通過外部多路選擇開關(guān)來動(dòng)態(tài)切換不同采樣目標(biāo)時(shí)，ADS125H02的內(nèi)部數(shù)字濾波器是否會(huì)導(dǎo)致采樣的結(jié)果會(huì)相互影響？如果會(huì)影響，應(yīng)該如何處理這個(gè)問題？
2024-12-03 06:41:01
新型語(yǔ)音儲(chǔ)存芯片ML2500
2009-04-30 17:49:18
20 外部和內(nèi)部計(jì)算機(jī)電源的高效架構(gòu)
2010-06-03 10:51:1738 DAC0832：DAC0832是采樣頻率為八位的D/A轉(zhuǎn)換器件。附圖是它的內(nèi)部電路框圖和外部管腳圖。 該芯片的特點(diǎn)如下所
2007-12-19 15:36:509115 
DSP芯片如何選擇外部時(shí)鐘？DSP的內(nèi)部指令周期較高，外部晶振的主頻不夠，因此DSP大多數(shù)片內(nèi)均有PLL。但每個(gè)系列不盡相同。 1)TMS320C2000系列： TMS32
2009-04-07 08:44:222791 摘要：本文對(duì)內(nèi)部(集成在處理器內(nèi)部)看門狗定時(shí)器(WTD)與外部(基于硬件) WDT的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)進(jìn)行了對(duì)比。內(nèi)部看門狗便于設(shè)計(jì)，但容易失效。MAXQ2000微控制器的WDT可以作為內(nèi)部看門狗
2009-05-02 10:34:214998 基于DSP的過采樣技術(shù)
在使用DSP進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理時(shí)，應(yīng)用過采樣技術(shù)可以增加其內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器的分辨率。討論了應(yīng)用過采樣技術(shù)的原理、如何使
2009-05-04 21:22:371279 
DSP的過采樣技術(shù)原理
在使用DSP進(jìn)行數(shù)字信號(hào)處理時(shí)，應(yīng)用過采樣技術(shù)可以增加其內(nèi)置模數(shù)轉(zhuǎn)換器的分辨率。討論了應(yīng)用過采樣技術(shù)的原理、如何
2009-05-04 22:40:173449 
NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
0 引言
計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，
2009-11-07 10:21:251184 單片機(jī)入門教程第二課-單片機(jī)的內(nèi)部、外部結(jié)構(gòu)（一）
一、單片機(jī)的外部結(jié)構(gòu) 拿到一塊芯片，想要使用它，首先必須要知道怎樣連
2010-01-07 16:52:30959 
外部電源設(shè)計(jì)中新技術(shù)與芯片的應(yīng)用
1 前言 最近幾年電源產(chǎn)品已經(jīng)取得了突破性的進(jìn)步，但與此同時(shí)，當(dāng)今能源浪費(fèi)的問題已成為國(guó)內(nèi)
2010-01-27 09:26:46715 
IBM (IBM-US) 研究員研發(fā)出記憶儲(chǔ)存新技術(shù)，可更可靠地長(zhǎng)時(shí)間在服務(wù)器上儲(chǔ)存數(shù)據(jù)
2011-07-04 08:54:041006 本應(yīng)用筆記的目的是介紹如何配置和使用內(nèi)部及外部 振蕩器 。本文提供了配置說明、應(yīng)用舉例和示例代碼。 關(guān)鍵點(diǎn)
2011-08-18 15:05:4064 本文就DSP芯片內(nèi)部自帶FLASH提出了一種自測(cè)試方法，通過兩次燒寫FLASH將待測(cè)空間的校驗(yàn)和計(jì)算出來并計(jì)入RAM中事先定義好的變量中，重新編譯后生成新的目標(biāo)碼校驗(yàn)和變成第一次校驗(yàn)和
2012-05-16 11:43:232116 
FM調(diào)頻技術(shù)原理及FM芯片測(cè)試指南
2013-06-06 10:43:09155 LPC2200_flash內(nèi)部Flash和外部Flash分散加載示例。
2016-05-20 16:08:5817 內(nèi)部和外部掃描：機(jī)器學(xué)習(xí)，大數(shù)據(jù)分析，AI，認(rèn)知計(jì)算
2020-05-31 10:10:002393 要做AD采樣，首先要解決的就是AD的參考電壓，之前查看手冊(cè)上并沒有描述AIN7通道，有的僅僅是幾個(gè)外部采樣通道。AIN7通道是內(nèi)部通道，用于提供一個(gè)恒定的電壓參考值。
從別的資料找到下面這句話，很明顯是存在這么一個(gè)通道的，后面測(cè)試也證明這個(gè)是正確的。
2018-12-06 15:42:4813830 
光儲(chǔ)存的本事和優(yōu)點(diǎn)真是太多了，比如密度大、容量大、數(shù)據(jù)傳輸率高、尋地時(shí)間短等。光儲(chǔ)存一直隨著各種科學(xué)技術(shù)的發(fā)展不停完善，功能越來越多樣化，操作智能方面也越來越高級(jí)。不難預(yù)見，在不久的將來，它肯定是信息產(chǎn)業(yè)中的支柱技術(shù)之一。
2018-12-24 11:19:351998 本設(shè)計(jì)采用FPGA技術(shù)，在FPGA中實(shí)現(xiàn)8051單片機(jī)的軟核，將外部SPI Flash中的代碼數(shù)據(jù)加載到FPGA內(nèi)部ram，然后復(fù)位 MC8051，實(shí)現(xiàn)外部flash啟動(dòng)MC8051。
2019-06-11 17:47:003 Nvidia發(fā)展GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，大幅提升GPU加載大型資料集的速度，使用GPUDirect儲(chǔ)存技術(shù)，GPU加載資料集的工作不再完全需要仰賴CPU，因而解除了資料I/O的瓶頸。
2019-09-11 11:51:021622 電池采樣芯片（AFE）里面有一個(gè)重要功能：斷線檢測(cè)。
2020-03-15 11:50:0013108 
有客戶在產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中，使用外部IC的GPIO通過連接NRST引腳來對(duì)STM32MCU進(jìn)行復(fù)位控制時(shí)，會(huì)遇到以下問題：IC可以對(duì)MCU進(jìn)行復(fù)位控制，但是芯片內(nèi)部的復(fù)位信號(hào)（如看門狗等）不能對(duì)MCU進(jìn)行復(fù)位，甚至影響引腳功能
2021-04-28 15:16:4119 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)具備明顯周期成長(zhǎng)屬性的領(lǐng)域。2022年之后，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸進(jìn)入低谷發(fā)展周期，其中，儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)就是最真實(shí)的寫照。作為語(yǔ)音芯片廠家，廣州九芯電子給大家簡(jiǎn)單介紹一下目前儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的概況：
2022-09-27 16:33:594769 簡(jiǎn)介 為什么要持有外部類 實(shí)例：持有外部類 實(shí)例：不持有外部類 實(shí)例：內(nèi)存泄露 不會(huì)內(nèi)存泄露的方案 簡(jiǎn)介 「說明」 本文介紹 Java 內(nèi)部類持有外部類導(dǎo)致內(nèi)存泄露的原因以及其解決方案
2022-10-08 16:32:561425 當(dāng)信號(hào)從A輸入端口輸入時(shí)，就意味著使用ADC A和ADC B通道對(duì)輸入的模擬信號(hào)進(jìn)行采樣，雙通道組態(tài)內(nèi)部時(shí)鐘電路（Clock Circuit）為ADC A通道提供內(nèi)部采樣時(shí)鐘，該時(shí)鐘反轉(zhuǎn)180°為
2023-02-22 11:11:235572 問題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-03-14 09:40:542213 
問題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-03-27 09:37:391368 
問題。本文針對(duì)所有第三代C2000芯片，比如F2807x/37x，F(xiàn)28004x，F(xiàn)28002x等，介紹C2000內(nèi)部比較器的具體實(shí)踐方法，并提供了與傳統(tǒng)的外部比較器方法的比較，結(jié)果表明，使用C2000內(nèi)部比較器的方法在效率和成本上都具備明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-03 10:56:351459 
Android中根據(jù)數(shù)據(jù)是否為應(yīng)用私有、是否需要給外部應(yīng)用暴露以及數(shù)據(jù)的大小可以有以下幾種選擇：
* Shared Preferences
* 內(nèi)部存儲(chǔ)
* 外部存儲(chǔ)
* 本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
* 通過網(wǎng)絡(luò)在服務(wù)器端數(shù)據(jù)庫(kù)存儲(chǔ)
2023-05-26 11:30:292424 
現(xiàn)在很多MCU內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)部RTC，但常見的設(shè)計(jì)中為何很多使用獨(dú)立的RTC芯片？進(jìn)行RTC設(shè)計(jì)選型的依據(jù)是什么？應(yīng)該如何選擇？
今天重點(diǎn)介紹一下在進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)該怎么選擇RTC功能的實(shí)現(xiàn)？
2023-05-26 14:52:457565 
的聲音?？梢?b class="flag-6" style="color: red">采樣頻率對(duì)語(yǔ)音芯片的重要性。下面就九芯電子的小編就跟大家說說常用的兩種采樣頻率：4位內(nèi)置MCU上。因?yàn)檫@種芯片當(dāng)時(shí)是為了降低成本芯片內(nèi)部集成的定時(shí)器不方便
2022-10-25 09:27:302058 
硅光是以光子和電子為信息載體的硅基電子大規(guī)模集成技術(shù)，能夠突破傳統(tǒng)電子芯片的極限性能，是5G通信、大數(shù)據(jù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新型產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)支撐。準(zhǔn)確測(cè)量硅光芯片內(nèi)部鏈路情況，讓硅光芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)都
2023-07-31 23:04:151471 
HongKeADC/DAC芯片測(cè)試平臺(tái)HK-ATX7006Aplatform虹科新品HK-ATX7006A平臺(tái)HK-ATX7006AplatformHK-ATX7006A是具有9槽的ATE測(cè)試系統(tǒng)
2023-08-18 08:07:212332 
芯片封裝測(cè)試有技術(shù)含量嗎？封裝測(cè)試是干嘛的？? 芯片封裝測(cè)試是指針對(duì)生產(chǎn)出來的芯片進(jìn)行封裝，并且對(duì)封裝出來的芯片進(jìn)行各種類型的測(cè)試。封裝測(cè)試是芯片生產(chǎn)過程中非常關(guān)鍵的一環(huán)，而且也需要高度的技術(shù)
2023-08-24 10:41:576906 電池短路試驗(yàn)是常見的一種電池安全性能試驗(yàn)。電池短路有分為外部短路與內(nèi)部短路，兩者有什么區(qū)別呢？
2023-10-11 16:49:483239 
在當(dāng)前的集成電路市場(chǎng)中，唯創(chuàng)知音推出的WTN6xxx-8S語(yǔ)音芯片以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域，吸引了眾多工程師和設(shè)計(jì)師的關(guān)注。這款語(yǔ)音芯片不僅具有精準(zhǔn)的+/-1%內(nèi)部震蕩，還消除了對(duì)外部震蕩器的需求
2023-12-15 08:40:101109 
STM32使用內(nèi)部晶振還是外部晶振？ 在設(shè)計(jì)和開發(fā)STM32應(yīng)用時(shí)，有兩種主要的時(shí)鐘源選擇可供選擇：內(nèi)部晶振和外部晶振。 內(nèi)部晶振是集成在STM32芯片中的一個(gè)振蕩器，它為芯片提供時(shí)鐘信號(hào)。與之相比
2023-12-15 14:14:198920 電容器失效模式有哪些？陶瓷電容失效的內(nèi)部因素與外部因素有哪些呢？ 電容器失效模式主要分為內(nèi)部失效和外部失效兩大類。內(nèi)部失效是指電容器內(nèi)部元件本身發(fā)生故障導(dǎo)致失效，而外部失效是因外部因素引起的失效
2023-12-21 10:26:581869 電池內(nèi)部短路與外部短路區(qū)別在哪？ 電池是一種能夠?qū)⒒瘜W(xué)能轉(zhuǎn)化為電能的裝置，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、交通工具、儲(chǔ)能設(shè)備等領(lǐng)域。在使用電池過程中，可能會(huì)出現(xiàn)兩種類型的短路，分別是電池內(nèi)部短路和電池外部短路
2024-02-18 15:29:243976 2024年3月13日消息，瓴鈦科技CRM21046芯片內(nèi)部測(cè)試通過，功能完整，性能表現(xiàn)優(yōu)異，已開始正式送樣。
2024-03-14 10:33:401670 
集成芯片，作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件，其內(nèi)部組成極為復(fù)雜且精細(xì)。下面，我們將深入探討集成芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，以揭示其工作原理和性能特點(diǎn)。
2024-03-20 17:11:232051 集成芯片內(nèi)部的引腳排列原理是確保電路正常工作的重要基礎(chǔ)。引腳，作為芯片與外部電路的連接點(diǎn)，其排列方式直接影響到電路的連接和信號(hào)傳輸。
2024-03-21 15:43:084082 【電磁兼容技術(shù)案例分享】某控制器產(chǎn)品PWM采樣信號(hào)BCI測(cè)試FAIL問題案例
2024-05-16 08:16:55880 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于汽車應(yīng)用中電機(jī)驅(qū)動(dòng)的外部或內(nèi)部FET.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-29 10:11:131 在計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)和網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域，"外部端口"和"內(nèi)部端口"這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)通常用來描述網(wǎng)絡(luò)通信中的端口配置和訪問控制。 外部端口（External Port） 外部端口通常指的是面向互聯(lián)網(wǎng)或外部網(wǎng)絡(luò)的端口
2024-10-17 10:50:583996
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