雷擊發(fā)生時，強電流及其產(chǎn)生的電磁脈沖能通過傳導，感應，耦合等方式在電子設備產(chǎn)生過電壓，過電壓沿電源線或信號線傳輸時，就形成雷電浪涌。 通常，雷電會對暴露在外的電源線上感應出較高的電壓，這種電壓不僅會直接傳到設備，其產(chǎn)生的浪涌電流在電源線路傳導時，電磁感應的浪涌會耦合到周圍的信號線。類似此類浪涌對電子產(chǎn)品會造成極大損害，因此要求產(chǎn)品具備一定浪涌抗擾能力。

一概 述

1. 概念

浪涌抗擾度主要考察電氣和電子設備對由開關(guān)和雷電瞬變過電壓引起的單極性浪涌（沖擊）抗擾度。

2. 試驗目的

建立一個共同的基準，用來評價電氣和電子設備在遭受到浪涌（沖擊）時的性能。通常在實驗室里測試就是模擬雷擊干擾對設備的影響。

浪涌是沿著電源線或信號線上傳播的快速上升，緩慢下降的電流或電壓。

二浪涌的產(chǎn)生

1. 電力系統(tǒng)開關(guān)瞬態(tài)：

（1）主要的電力系統(tǒng)切換騷擾，例如電容器的切換；

（2）配電系統(tǒng)中較小的局部開關(guān)動作或負載變化；

（3）與開關(guān)器件（如晶閘管）相關(guān)聯(lián)的諧振現(xiàn)象；

（4）各種系統(tǒng)故障，例如設備組合對接地系統(tǒng)的短路和電弧故障。

2. 雷電的瞬態(tài)：

（1）直擊雷，它擊于外部電路，注入的大電流流過接地電阻或外部電路阻抗而產(chǎn)生的電壓；

（2）間接雷（即云層之間或云層中的雷擊或擊于附近物體的雷擊產(chǎn)生的電磁場）它在建筑物內(nèi)、外導體上產(chǎn)生感應電壓和電流；

（3）附近直接對地放電的雷電電流，當它耦合到設備組合接地系統(tǒng)的公共路徑時產(chǎn)生感應電壓。

3. 雷電等級劃分

● LPZ 0A區(qū)： 本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導走全部雷電流；本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。

● LPZ 0B區(qū)：本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應的雷電流直接雷擊，但本區(qū)內(nèi)的電磁場強度沒有衰減。

● LPZ 1區(qū)：本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊，流經(jīng)各導體的電流比LPZ 0B區(qū)更??；本區(qū)內(nèi)的電磁場強度可能衰減，這取決于屏蔽措施。

● LPZ 2后續(xù)防雷區(qū)：當需要進一步減小流入的電流和電磁場強度時，應增設后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護的對象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。

三試驗配置

1. 組合波發(fā)生器，耦合/去耦網(wǎng)絡和其他輔助設備。

2. 組合波發(fā)生器分為10/700μs和1.2/50μs兩種，分別對應不同的端口類型。

3. 分類

浪涌抗擾度試驗分為：

（1）浪涌電壓抗擾度試驗（開路電壓）

（2）浪涌電流抗擾度試驗（短路電流）

注：浪涌（Surge）抗擾度試驗模擬的是間接雷擊，不考慮直擊雷，也不考慮EUT耐高壓的絕緣能力測試。

四具體測試波形

1. 1.2/50μs波形介紹

1）組合波發(fā)生器的電路原理圖

（2）具體波形圖

2. 10/700μs波形介紹

（1）組合波發(fā)生器的電路原理圖

（2）具體波形圖

3. 兩種浪涌信號的適用范圍：

（1）對通訊網(wǎng)和長距離信號電路端口，推薦采用10/700μs沖擊波。常見電子設備如RJ45，RS232， XDSL， RS485，安防攝像頭等。

（2）對交直流電源端口和短距離信號電路端口，推薦采用1.2/50μs沖擊波。常見電子設備如LED照明設備，基站等。

五常見的設備端口抗浪涌能力測試

1、防雷區(qū)域細分圖

2、各接口推薦防護等級

以上是個人對于浪涌抗擾度標準的解讀，希望能加深大家對標準的認識，同時也對設計和整改有所幫助。
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