高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212 是一款符合 6 級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)的次級(jí)反饋，反激式 AC-DC 高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片。芯片內(nèi)置高壓功率管，芯片內(nèi)還包含有準(zhǔn)諧振檢測(cè)、SLEEP 超低待機(jī)、自供電等電路，并具有輸出短路、次級(jí)開(kāi)路、過(guò)溫、過(guò)壓等保護(hù)功能。芯片采用高集成度的CMOS 電路設(shè)計(jì)，具有外圍元件極少，變壓器成本低（隔離輸出電路的變壓器只需要兩個(gè)繞組）等特點(diǎn)。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212產(chǎn)品特點(diǎn)

全電壓輸入 85V—265V。內(nèi)置 700V 功率管。

專利的自供電技術(shù)，變壓器無(wú)需外部供電繞組， 無(wú)需啟動(dòng)電阻（ 降低成品成本） 。

特有的 SLEEP 技術(shù)使芯片具有超低的待機(jī)功耗。

內(nèi)置 PWM 準(zhǔn)諧振電路，增加電源轉(zhuǎn)換效率和保證良好的 EMC 特性。

過(guò)溫、過(guò)流、過(guò)壓以及輸出短路，次級(jí)開(kāi)路，光耦失效保護(hù)。

4KV 防靜電 ESD 測(cè)試。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212應(yīng)用領(lǐng)域

12W 以下 AC-DC 應(yīng)用包括：電源適配器、充電器、電磁爐、空調(diào)、DVD、機(jī)頂盒等家

電產(chǎn)品。

極限參數(shù)

供電電壓 VDD ………………………………………………………………… -0.3V--8V 供 電 電 流 VDD …………………………………………………………………。 100mA 引腳電壓 …………………………………………………。..。. -0.3V--VDD+0.3V 功 率 管 耐 壓 …………………………………………………………。.. -0.3V--730V

IS 最 大 電 壓 。..。……………………………………………………………… 400mV 總 耗 散 功 率 ………………………………………………………………1000mW 工作溫度 ………………………………………………………。 -25 ？ C--+125 ？ C 儲(chǔ)存溫度 ………………………………………………………。 -55 ？ C--+150 ？ C 焊接溫度 …………………………………………………………….+280 ？ C/5S

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212上電啟動(dòng)：

芯片內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電流源；上電啟動(dòng)時(shí)當(dāng) VDD 電壓小于啟動(dòng)電壓時(shí)，打開(kāi)三極管對(duì)外部的 VDD 儲(chǔ)能電容 C4 充電。當(dāng) VDD 電壓達(dá)到啟動(dòng)電壓 VCC_St ar t 的時(shí)候，關(guān)閉啟動(dòng)電流源， 啟動(dòng)過(guò)程結(jié)束，控制邏輯開(kāi)始輸出 PWM 脈沖并檢測(cè) I S 電阻，當(dāng) I S 接電阻 RS 對(duì)地時(shí)， 設(shè)定最大峰值電流 I p_Max=Vli m/ RS（Vli m 是 I C6 腳內(nèi)部檢測(cè)電壓最大值） ；當(dāng) I S 腳直接接地時(shí)，設(shè)定最大峰值電流為 I p_Max=700mA ；

軟啟動(dòng)：

上電啟動(dòng)結(jié)束后，為防止輸出電壓建立過(guò)程可能產(chǎn)生的變壓器磁芯飽和，功率管和次級(jí)整流管應(yīng)力過(guò)大，芯片內(nèi)置軟啟動(dòng)電路，在軟啟動(dòng)時(shí)初級(jí)峰值電流最大為 0. 5 倍最大峰值電流。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212采用準(zhǔn)諧振輸出方式，當(dāng)檢測(cè)到 OC 諧振到最低電壓時(shí)，開(kāi)通 PWM 輸出，打開(kāi)開(kāi)關(guān)管給電感充電，這樣減小了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)損耗，提高了電源的轉(zhuǎn)換效率。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212FB 檢測(cè)和反饋控制：

Fb 引腳外部連接一只電容，以平滑F(xiàn)b 電壓，外接電容會(huì)影響到電路的反饋瞬態(tài)特性及電路的穩(wěn)定工作，典型應(yīng)用可在1nF～10nF 之間選擇；芯片依據(jù)FB電壓控制PWM輸出峰值電流和工作頻率。

SLEEP 模式：

為實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗，芯片設(shè)計(jì)了 SLEEP 模式時(shí)，當(dāng)輸出功率逐漸下降到 50mW 以下時(shí)，芯片進(jìn)入 SLEEP 模式?？梢詫?shí)現(xiàn)系統(tǒng)超低的待機(jī)功耗（《60mW）。

自供電：

芯片使用了專利的自供電技術(shù)，控制VDD的電壓在4. 7V 左右，提供芯片本身的電流消耗，無(wú)需外部輔助繞組提供。自供電電路只能提供芯片自身的電流消耗，不能為外部線路提供能量。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212過(guò)溫保護(hù)（OTP）：

芯片在內(nèi)部集成了過(guò)溫保護(hù)功能，如果因外部溫度過(guò)高或者其它異常原因造成芯片溫度過(guò)高，檢測(cè)到芯片溫度超過(guò) 130℃，立即啟動(dòng)過(guò)溫保護(hù)，停止輸出脈沖，關(guān)斷功率管并進(jìn)入異常保護(hù)模式，溫度異常解除后恢復(fù)正常工作。

初級(jí)過(guò)流保護(hù)：

外部變壓器初級(jí)線圈的電流過(guò)大時(shí)，軟啟動(dòng)結(jié)束后，如果在 PWM 開(kāi)通 500ns 時(shí)檢測(cè)

到初級(jí)線圈電流達(dá)到最大峰值電流 I p_Max ，芯片立即關(guān)斷功率管， 進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212 供電電源異常：

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓低于VCC_Mi n 時(shí)，芯片將關(guān)斷功率管，進(jìn)行重新啟動(dòng)。

因外部異常導(dǎo)致VCC電壓高于VCC_Max時(shí)，立即啟動(dòng)VCC過(guò)壓保護(hù)，停止輸出脈沖并進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212短路和過(guò)載保護(hù)（OCP）：

次級(jí)輸出短路或者過(guò)載時(shí)，如果 FB 電壓連續(xù) 0. 8S 低于短路保護(hù)閥值 Vf b_L; 芯片

立即關(guān)斷功率管， 進(jìn)入異常保護(hù)模式。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212異常保護(hù)模式：

芯片進(jìn)入異常保護(hù)模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動(dòng) 800ms 定時(shí)器。在 800ms 內(nèi)，VCC

電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212異常保護(hù)模式：

芯片進(jìn)入異常保護(hù)模式后，關(guān)閉 PWM 輸出，啟動(dòng) 800ms 定時(shí)器。在 800ms 內(nèi)，VCC

電壓下降并維持 4. 6V ，800ms 后，芯片結(jié)束異常狀態(tài)。

高性能準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)電源控制芯片DK212我們可以通過(guò)磁芯的制造商提供的圖表進(jìn)行選擇，EE19的AP=1243mm^4， EF20 的

AP=2231mm^4， 從設(shè)計(jì)性能優(yōu)化角度以及為改善EMI 設(shè)計(jì)增加初、次級(jí)屏蔽層來(lái)選擇，可以選擇EF20這款變壓器（AE=33. 5， 屬于標(biāo)稱值，請(qǐng)按實(shí)物測(cè)量為準(zhǔn)） ，這樣變壓器生產(chǎn)和效率，散熱上更有優(yōu)勢(shì)。