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電子發(fā)燒友網(wǎng)>工業(yè)控制>東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管,助力提高工業(yè)設(shè)備效率

東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管,助力提高工業(yè)設(shè)備效率

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低 VF MEGA 肖特基勢壘二極管-PMEG2005EB
2023-02-20 19:35:550

肖特基勢壘二極管-BAT54L

肖特基勢壘二極管-BAT54L
2023-02-21 18:53:020

小型封裝的肖特基勢壘二極管-1PS76SB21_BAT721_SER

小型封裝的肖特基勢壘二極管-1PS76SB21_BAT721_SER
2023-02-21 19:10:450

單個(gè)肖特基勢壘二極管-BAT46WH

單個(gè)肖特基勢壘二極管-BAT46WH
2023-02-27 18:30:520

30V,200mA 肖特基勢壘二極管-BAT54GW

30 V、200 mA 肖特基勢壘二極管-BAT54GW
2023-03-01 18:49:100

100V,250mA 肖特基勢壘二極管-BAT46GW

100 V、250 mA 肖特基勢壘二極管-BAT46GW
2023-03-01 18:49:250

東芝研討會(huì)解讀肖特基勢壘二極管的特性、選型、使用要點(diǎn)和電路設(shè)計(jì)的技巧

在開關(guān)電源特別是高頻開關(guān)電源中,肖特基勢壘二極管可謂是不可缺少的整流高手。肖特基勢壘二極管由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的層為基礎(chǔ)制成,作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,該二極管具備正向?qū)▔航?/div>
2023-06-16 10:19:431626

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示,為了形成肖特基,將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合(肖特基結(jié))。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同,其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:301207

肖特基勢壘二極管的作用 肖特基勢壘二極管的工作原理

肖特基勢壘二極管的作用 肖特基勢壘二極管的工作原理? 肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管,由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和功能特點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹肖特基勢壘二極管的作用與工作原理。 一
2023-09-02 10:34:034291

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管(SBD)的金屬差異

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管(SBD)的金屬差異
2023-12-13 14:40:481639

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性

【科普小貼士】肖特基勢壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性
2023-12-13 14:42:082109

【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管(SBD)?

【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管(SBD)?
2023-12-13 14:43:083225

肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《肖特基勢壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 13:45:030

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管(SBD)的性能
2024-02-19 11:23:292661

肖特基勢壘二極管的特征有什么

肖特基勢壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD(硅
2024-02-23 11:30:381667

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基勢壘二極管介紹

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表貼封裝、實(shí)現(xiàn)了寬爬電距離的SiC肖特基勢壘二極管。雖為小型表貼封裝,但通過確保足夠的爬電距離,可減輕采取特殊絕緣對策(灌
2024-12-19 09:43:181316

SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591047

肖特基勢壘二極管:封裝、可鍵合芯片和光束引線 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅肖特基勢壘二極管:封裝、可鍵合芯片和光束引線相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有硅肖特基勢壘二極管:封裝、可鍵合芯片和光束引線的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,硅
2025-07-15 18:32:18

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