SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點比較 SiC肖特基勢壘二極管的特征

? SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較 ?

我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。

而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高耐壓。要想提高Si-SBD的耐壓，只要增厚圖中的n-型層、降低載流子濃度即可，但這會帶來阻值上升、VF變高等損耗較大無法實際應用的問題。因此，Si-SBD的耐壓200V已經(jīng)是極限。而SiC擁有超過硅10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。

SiC-SBD和Si-PN結二極管

通過Si二極管來應對SBD以上的耐壓的是PN結二極管（稱為“PND”）。下圖為Si-PN二極管的結構。SBD是僅電子移動，電流流動，而PN結二極管是通過電子和空穴（孔）使電流流動。通過在n-層積蓄少數(shù)載流子的空穴使阻值下降，從而同時實現(xiàn)高耐壓和低阻值，但關斷的速度會變慢。

盡管FRD（快速恢復二極管）利用PN結二極管提高了速度，但盡管如此，trr（反向恢復時間）特性等劣于SBD。因此，trr損耗是高耐壓Si PN結二極管的重大研究項目。此時，開關電源無法對應高速的開關頻率也是課題之一。

右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋范圍。可以看出SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓范圍。SiC-SBD可同時實現(xiàn)高速性和高耐壓，與PND/FRD相比Err（恢復損耗）顯著降低，開關頻率也可提高，因此可使用小型變壓器和電容器，有助于設備小型化。

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? SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較 ?

反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。 ?

首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時，無法立即完全關斷，有時會出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其反向電流的流動時間。下面我們來了解其原因和實際特性。 ?

簡單地說,trr的速度和反向恢復特性的不同是因為二極管構造不同。這就需要談到在半導體中移動的電子和空穴。先通過波形圖來了解SiC-SBD和Si-PND反向恢復特性的不同。 ?

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上方波形圖為SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢復時的電流和時間。從波形圖可見紅色的SiC-SBD反向電流少，trr也短。順便一提，本特性因為反向電流的損耗而需要進行研究探討。 ?

Si-PND 和SiC-SBD的反向恢復時間特性 ?

在這里，通過各二極管的斷面圖進行介紹。下圖為Si-PND的偏置從正向偏置轉換為反向偏置時電子和空穴的移動。 ?

正向偏置時注入載流子，通過空穴和電子的重新結合使電流流動。如果是反向偏置的話，n層的空穴（少數(shù)載流子）會花些時間返回p層，到完全返回為止（一部分因為壽命而消失）均有電流流動。這就是反向恢復電流。 ?

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第2個圖為SiC-SBD轉換為反向偏置時的示意圖。因肖特基勢壘結構而不存在PN結,所以沒有少數(shù)載流子，在反向偏置時n層的多數(shù)載流子(電子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢復時間，其關斷時間比PND明顯縮短。 ?

這種反向恢復時間的差異均因為二極管結構。因此，Si-SBD的反向恢復也是高速。然而，Si-SBD現(xiàn)狀的耐壓界限是200V左右，在比其更高的電壓下不能使用。而使用SiC的話，可以做出超過600V的高耐壓SBD。這就是SiC-SBD的一大優(yōu)點。 ?

下面是反向恢復特性的溫度依賴性和電流依賴性相關數(shù)據(jù)。 ?

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上段的波形圖和圖表表示不同溫度的不同反向恢復特性。Si-FRD的溫度上升時載流子濃度也隨之上升，因此需要相應的反向恢復時間。隨著室溫的增高，反向電流和trr也會變大。而SiC-SBD因為SiC本身基本上沒有溫度依賴性，所以反向電流特性基本沒有變化。將trr的差制作了右上的圖表，通過對兩種Si-FRD的比較，發(fā)現(xiàn)SiC-SBD的trr基本上不存在溫度依賴性。 ?

下段的波形圖表示與正向偏置時的正向電流IF的關系。由波形圖可觀察到SiC-SBD幾乎不受影響。 ?

最后，雖然前面表述為SiC–SBD幾乎沒有反向電流，在波形圖里可明顯看出SiC-SBD比Si-FRD少很多，但也不是一點沒有。這是因為二極管中寄生的結電容帶來的影響。因此，SiC-SBD與Si-PND相比，反向電流并不是零，而是明顯減少。