肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2022-09-02 16:51:02
19505 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2023-02-21 14:39:142943 
在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。
2023-07-26 10:40:461059 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2023-07-27 10:27:084232 
雖說(shuō)二極管是最簡(jiǎn)單基本的元件之一，但在日常生活中的應(yīng)用非常廣泛。幾乎每個(gè)電路中都會(huì)用到二極管。二極管可以用于小信號(hào)數(shù)字邏輯以及高壓電源轉(zhuǎn)換電路的任何領(lǐng)域。今天給大家介紹二極管比較常見(jiàn)的應(yīng)用。推薦閱讀
2023-10-20 08:21:3211773 
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷擴(kuò)展，現(xiàn)代社會(huì)對(duì)電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來(lái)開發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)會(huì)更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性進(jìn)行了比較。下面對(duì)二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說(shuō)明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區(qū)別二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已實(shí)施了評(píng)估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗(yàn)相同的試驗(yàn)中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽(tīng)說(shuō)過(guò)有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢(shì)壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
如此。我想以二極管為例詳細(xì)進(jìn)行說(shuō)明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動(dòng)的機(jī)理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢(shì)壘二極管，因此金屬與n型半導(dǎo)體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
VF特征的肖特基勢(shì)壘二極管，下面將分別予以說(shuō)明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽(yáng)極和陰極構(gòu)成的元器件，表示其本質(zhì)功能和特性的項(xiàng)目基本相同。那么“究竟有什么區(qū)別呢？”，答案就是“根據(jù)
2018-12-03 14:30:32
二極管中觀察到的電容恢復(fù)特性為獨(dú)立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規(guī)范將肖特基二極管降級(jí)為< 600 V的應(yīng)用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設(shè)計(jì)的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統(tǒng)），內(nèi)部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說(shuō)25A電流，還是應(yīng)該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復(fù)二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
封裝產(chǎn)品正在開發(fā)中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應(yīng)用產(chǎn)品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續(xù)流二極管的IGBT產(chǎn)品。 與使用Si快速恢復(fù)
2022-07-27 10:27:04
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復(fù)二極管）的trr比較。恢復(fù)的時(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達(dá)到600V。3）碳化硅具有較高的導(dǎo)熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無(wú)線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
二極管和超快恢復(fù)二極管、快速恢復(fù)二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關(guān)二極管的性能比較。由表可見(jiàn)，硅高速開關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。4、SiC高壓SBD 由于Si
2016-11-14 20:01:52
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護(hù)二極管，主要應(yīng)用于板級(jí)保護(hù)；TVS二極管用于初級(jí)和次級(jí)
2020-12-24 14:55:58
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
`海飛樂(lè)技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復(fù)二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來(lái)，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3
2021-01-13 16:36:44
，這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”，其全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管?，F(xiàn)有肖特基二極管大多數(shù)是用硅（Si）半導(dǎo)體材料制作的。20世紀(jì)90年代以來(lái)，出現(xiàn)了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
1.成本 目前肖特基二極管廣泛應(yīng)用的最大障礙還是成本?？梢哉f(shuō)，如果肖特基二極管的成本能夠降到接近于硅器件的水平,那么很多問(wèn)題就能迎刃而解，而不會(huì)是今天這個(gè)局面。目前最典型的Sic肖特基=_極管產(chǎn)品
2018-11-14 14:54:30
、放電時(shí)間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？?，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用?！ 【哂虚_關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。`
2018-10-25 14:48:50
再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢(shì)壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
二極管的類型 二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極
2009-11-12 10:10:193842 二極管,二極管是什么意思
目錄
1 二極管的基本結(jié)構(gòu)
2010-02-26 12:03:3812003 二極管的種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）；按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
2017-11-25 10:37:4854101 
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管（簡(jiǎn)稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻
2018-01-21 11:01:5725064 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2018-01-21 11:31:0352219 穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象.肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。
2018-01-23 15:33:3431645 針對(duì)電流型逆變器橋臂并聯(lián)擴(kuò)容時(shí)開關(guān)損耗較大的問(wèn)題，對(duì)SiC肖特基二極管和Si快恢復(fù)二極管的正反向恢復(fù)特性、MOS-FET并聯(lián)均流特性以及容性狀態(tài)下電流型逆變器工作過(guò)程進(jìn)行了研究。提出了在電流型逆變器
2018-03-05 15:36:48
1 快速恢復(fù)二極管（FRD）雖是PN結(jié)二極管，但卻是trr得以大幅改善的高速二極管。此時(shí)，SBD的耐壓（反向電流VR）在200V以下，但FRD能達(dá)到800V高耐壓。但是，一般而言，其VF比通用型高
2019-01-24 09:55:3710829 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2019-01-30 10:05:3413187 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬——半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬——半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2019-07-24 11:48:1517581 
本文主要介紹了普通硅二極管和肖特基二極管的相同和區(qū)別以及快恢復(fù)二極管和肖特基二極管的區(qū)別，并附上了普通硅二極管，肖特基二極管和快恢復(fù)二極管的圖片。
2019-08-09 15:24:309141 SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2020-07-01 15:52:446333 
二極管的種類有很多，有發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管、貼片二極管、變?nèi)?b class="flag-6" style="color: red">二極管等等，今天我們來(lái)講一講什么是穩(wěn)壓二極管，以及穩(wěn)壓二極管的作用。
2021-01-01 16:49:0041974 SiC 器件取代服務(wù)器、電機(jī)、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2023-01-31 09:43:115030 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:271444 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對(duì)具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢(shì)壘二極管開始。SiC肖特基勢(shì)壘二極管和Si肖特基勢(shì)壘二極管：下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
下面從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:171166 
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:181295 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:181134 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:182264 
Si二極管大致上可分為整流二極管、齊納二極管、高頻二極管。其中，以整流為主要目的的二極管又可細(xì)分為：一般通用整流用，以開關(guān)為前提的高速整流用，用于超高速整流的快速恢復(fù)型，還有同樣具有高速性和低VF特征的肖特基勢(shì)壘二極管，下面將分別予以說(shuō)明。
2023-02-09 10:19:221800 
在這里，將整流二極管分為以下4類：通用整流用、通用開關(guān)用、肖特基勢(shì)壘二極管、快速恢復(fù)二極管4種類型，特征匯總于下表。
2023-02-09 10:19:231827 
再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱為SBD）的相關(guān)特征和應(yīng)用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結(jié)，而是利用硅稱之為勢(shì)壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生的肖特基勢(shì)壘。
2023-02-09 10:19:231415 
最后一篇談及Si二極管。本篇將說(shuō)明快速恢復(fù)二極管（以下簡(jiǎn)稱為FRD）的特征、改善特性及其相關(guān)應(yīng)用。Si-FRD的特征：Si-FRD是PN結(jié)二極管，具有高速性特征，Trr極快。與此相反，就一般特征而言是VF高。
2023-02-09 10:19:233370 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴(kuò)充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車載在內(nèi)的各種應(yīng)用中的采用。
2023-02-13 09:30:071187 
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品。
2023-02-16 09:55:061350 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。
2023-02-16 14:41:132774 什么是 TVS 二極管以及如何選擇合適的二極管？-白皮書_TVS_二極管...
2023-02-20 19:19:056 面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對(duì)溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì)受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復(fù)二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59462 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實(shí)際上供應(yīng)的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:451219 
SiC-SBD為形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:111245 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成
2022-01-06 09:13:415184 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概
2023-01-04 10:02:073634 
我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:301207 
【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的金屬差異
2023-12-13 14:40:481636 
【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的反向恢復(fù)特性
2023-12-13 14:42:082109 
【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）？
2023-12-13 14:43:083225 
的特點(diǎn)。SiC是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的熱導(dǎo)性、較高的電擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統(tǒng)的硅（Si）材料，SiC具有更好的高溫特性、更低的導(dǎo)通損耗和更高的開關(guān)頻率。因此，使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:241735 Si二極管，即硅二極管，是利用硅半導(dǎo)體材料制成的二極管，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。根據(jù)不同的功能和用途，Si二極管可以分為以下幾類： 整流二極管主要用于將交流電（AC）轉(zhuǎn)換為直流電（DC）。 這類
2024-02-23 11:01:131412 
。以下是幾種常見(jiàn)整流二極管的特征比較： 通用整流用 二極管基本作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。橋式二極管是一種由多個(gè)整流用二極管組成的復(fù)合器件。此外，它們還可用于防止電源或電池反接時(shí)的過(guò)電流保護(hù)。正向電壓VF因工作電流而異
2024-02-23 11:19:301635 
肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管，而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD（硅
2024-02-23 11:30:381667 傳統(tǒng)的硅（Si）基器件，具有更高的熱導(dǎo)率、更高的臨界擊穿電場(chǎng)以及更高的電子飽和漂移速度，這些特性使得SiC二極管在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)，同時(shí)結(jié)合其技術(shù)特性和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工作性能、應(yīng)用場(chǎng)景以及發(fā)展趨勢(shì)等方面。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)分析。
2024-09-10 15:40:481592 使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論