功率二極管（Power Diode）是一種分立式電力半導體器件，它的電壓和電流應用范圍遠大于一般的小信號二極管，可用于整流、鉗位、瞬態(tài)電壓抑制、續(xù)游、吸收、調(diào)制、 轉(zhuǎn)換等。功率二極管分為 PiN
2024-01-10 15:59:07
5500 
、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應用的不斷擴展，現(xiàn)代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
。 SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動態(tài)特性。在反向恢復瞬態(tài)，當二極管從正向?qū)Ｊ睫D(zhuǎn)變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r，有很低的反向恢復時間，而且在整個工作溫度范圍內(nèi)保持
2020-09-24 16:22:14
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性的不同首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時，無法立即完全關(guān)斷，有時會出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
兩者間權(quán)衡時，要想選出最適當?shù)?b class="flag-6" style="color: red">二極管，需要理解兩者的特性。另外，毋庸置言，在探討事項中“損耗降低”是最重要的課題。前篇的trr對應開關(guān)損耗，本篇的VF對應傳導損耗。關(guān)于Si-FRD和SiC-SBD
2018-11-30 11:52:08
，已實施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統(tǒng)應用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統(tǒng)應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今
2019-03-27 06:20:11
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
10倍的絕緣擊穿場強,所以不僅能保持實際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結(jié)二極管通過Si二極管來應對
2018-11-29 14:35:50
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
的傳遞函數(shù)導出示例 其1升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導出示例 其2開關(guān)的導通電阻對傳遞函數(shù)的影響總結(jié)總結(jié)關(guān)鍵詞開關(guān)損耗 傳遞函數(shù) 電源設計 SiC-SBD 快速恢復二極管 SJ-MOSFET IGBT 狀態(tài)空間
2018-11-27 16:40:24
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
與Si的比較開發(fā)背景SiC的優(yōu)點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開關(guān)損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD，藍色是第二代，可確認VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說是損耗最小的二極管。促進電源系統(tǒng)應用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
? 一、ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。二、ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級
2022-05-18 11:23:17
做得更薄，在相同的電場強度下可以減低導通損耗。這一技術(shù)不僅僅用于肖特基二極管，也用于IGBT和功率PN二極管。`
2019-01-02 13:57:40
，有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術(shù)合作協(xié)議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
和下方之間的工作邊界。值得注意的是，邊界曲線直接映射到功率損耗等值線中的拐點。這表明，無論使用何種二極管類型，高于諧振的操作都會增加轉(zhuǎn)換器的功率損耗。 從功率損耗圖中可以看出，GaAs和SiC的性能
2023-02-21 16:27:41
電路損耗，提高電路工作頻率。在PFC電路中用SiC SBD（肖特基勢壘二極管）代替原來的硅FRD（快速恢復二極管）可以使電路在300kHz以上工作，效率基本保持不變，而使用100kHz以上硅FRD的電路效率急劇下降。隨著工作頻率的增加，電感器等無源元件的體積相應減小，整個電路板的體積減小30%以上。
2023-02-07 15:59:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
二極管是半導體器器件中結(jié)構(gòu)最為簡單的器件，但它是一種十分重要的基礎器件。從某種意義上講，是任何其他器件替代不了的。例如，自大功率器件IGBT問世后，在很大范圍內(nèi)代替了大功率晶體管GTR。但卻無其它
2016-11-14 20:01:52
電子元器件在模塊中運用的二極管有穩(wěn)壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換進程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸入端，兩個整流二極管在不同時段導通，使交流脈動電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動。在本實驗中
2012-12-13 15:06:51
比如一個電源，全橋架構(gòu)，副邊用的是橋式整流輸出，輸出電流為10A，假設二極管的管子壓降為1.5V，那么副邊的二極管通態(tài)損耗怎么樣計算？可以這樣了解嗎：正半周期一組對角的二極管導通，此時功耗為1.5V*10*2=30W，同理負半周期也如此，則副邊二極管損耗為60W。
2018-12-18 14:52:44
二極管時，看的是功率和封裝形式；在實際應用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護航！?TVS二極管規(guī)格書下載：
2020-12-24 14:55:58
二極管時，看的是功率和封裝形式；在實際應用中，二者通常相輔相成，緊密相連，各自發(fā)揮優(yōu)勢，更有效地為電路安全保駕護航！ESD二極管規(guī)格書下載：
2021-12-30 17:52:36
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復行為可以忽略不計，但確實表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱停哂械偷膶?b class="flag-6" style="color: red">損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于硅器件難以勝任的場合，或在一般應用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導通過程中沒有額外載流子注入和儲存，因而基本沒有
2019-10-24 14:21:23
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現(xiàn)更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現(xiàn)更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結(jié)二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數(shù)量級；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100V以上時，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在SBD方面，采用SiC材料和JBS結(jié)構(gòu)的器件具有較大的發(fā)展?jié)摿Α?b class="flag-6" style="color: red">在高壓功率二極管領(lǐng)域，SBD肯定會
2017-10-19 11:33:48
）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
在不同的電路部分。這是一個追求性能和用戶體驗，對成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時也是sic功率器件)的第1個民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠家提供了最初的現(xiàn)金流。由于我國缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。 肖特基二極管優(yōu)點包括兩個方面: 1、由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)
2018-10-25 14:48:50
二極管的Tj超過最大額定值，嚴重時可能會導致某種破壞性結(jié)果。如前所述，切勿忽視因Si-SBD的IR損耗。發(fā)熱是IR和VR（反向電壓）的積，即漏電流產(chǎn)生的反向功率損耗乘以熱阻之積。與普通的熱計算公式相同
2018-12-03 14:31:01
相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。二、肖特基二極管在電源中的優(yōu)劣對比：肖特基二極管優(yōu)勢：1：低壓降，損耗電壓小。2：開關(guān)速度快，損耗小，適用于高頻電路。肖特基二極管
2019-04-12 11:37:43
采芯網(wǎng)轉(zhuǎn)載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。大功率肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特點使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
功率二極管的基本特性
1. 靜態(tài)伏安特性具有單向?qū)щ娦哉珪r：二極管導通，通態(tài)壓降1V左右。通態(tài)損耗：
2009-04-14 21:16:144929 
功率二極管基礎教程
二極管電流公式：注意的參數(shù)：
2009-11-21 11:41:322672 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2018-01-21 11:31:0352219 穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象.肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。
2018-01-23 15:33:3431645 中用SiC肖特基二極管代替Si快恢復二極管以實現(xiàn)保持逆變器良好并聯(lián)均流效果的同時降低逆變器損耗。分別搭建了基于Si快恢復二極管和SiC肖特基二極管的電流型逆變器實驗平臺以對比驗證SiC肖特基二極管在系統(tǒng)擴容應用中實際效果。研究結(jié)果表明，在
2018-03-05 15:36:48
1 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2019-01-30 10:05:3413187 
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬——半導體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬——半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2019-07-24 11:48:1517581 
電源網(wǎng)工程師巡回研討會 功率二極管在電源里的損耗分析和選型原則 ?講義
2022-12-15 17:35:525 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2023-01-31 09:43:115030 1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:271444 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:181295 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:181134 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:182264 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進過程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現(xiàn)的當時業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品。
2023-02-16 09:55:061350 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:271710 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59462 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:451219 
功率二極管，也叫做肖特基勢壘二極管，是一種常見的半導體器件。它的主要作用是在電路中起到電流的整流、穩(wěn)壓和開關(guān)控制等功能。
2023-02-22 18:22:312517 SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結(jié)構(gòu)，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:111245 
功率二極管是二極管的一類，是一種簡單的半導體器件。與普通二極管一樣，功率二極管具有兩個端子并沿一個方向傳導電流。但功率二極管與普通二極管的區(qū)別還是有很大的。
2023-02-23 14:18:541667 
二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊電路的精密化、應用微細化，被要求使用更高性能的保護元件 — TVS （Transient Voltage Suppressor）。
2023-02-23 15:31:235203 繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
功率二極管是二極管的一類，是一種簡單的半導體器件。與普通二極管一樣，功率二極管具有兩個端子并沿一個方向傳導電流
2023-02-24 17:45:582556 最基本的分類方法。二極管根據(jù)其特性分為整流二極管、開關(guān)二極管、肖特基勢壘二極管、齊納二極管、用于高頻的高頻二極管。另外，作為保護元件一般使用齊納二極管，但隨著周邊
電路的精密化、應用微細化，被要求使用更高性能的保護元件 — TVS (Transient Voltage Suppressor)。
2023-02-27 15:55:062 功率二極管是一種特殊的二極管，它具有承受大電流和高電壓的能力。與普通的信號二極管相比，功率二極管在結(jié)構(gòu)上有所不同，其結(jié)構(gòu)更加復雜，能夠承受更高的功率。因此，功率二極管被廣泛應用于高功率電子設備和電路中
2023-02-27 18:21:001491 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2022-01-06 09:13:415184 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:073634 
功率二極管與肖特基二極管的區(qū)別是什么？ 功率二極管和肖特基二極管是兩種常見的半導體器件，它們都具有二極管的特性，但在實際應用中，它們的性能差異較大，下面將詳細介紹功率二極管和肖特基二極管的區(qū)別。 1
2023-08-28 16:41:252343 二極管壓降是什么意思？什么二極管壓降最小？壓降最小的二極管型號 一、二極管壓降的意思 二極管的壓降是指通過二極管時，電壓降低的情況。在正向工作時，當二極管接到電源時，會從正極流入電流，從負極流出電流
2023-09-02 11:01:4225265 功率二極管和普通二極管的不同? 功率二極管和普通二極管是兩種不同的二極管，它們有著不同的結(jié)構(gòu)和特性。在本文中，我們將介紹功率二極管和普通二極管的不同之處，包括它們的結(jié)構(gòu)、性能和用途。 一、結(jié)構(gòu)
2023-09-02 11:08:312613 功率二極管有哪些？二極管是功率器件嗎? 功率二極管是一種功率電子器件，它與普通的二極管的不同之處在于其能夠承受更大的電流和電壓，用于控制和轉(zhuǎn)換電能。功率二極管是一種關(guān)鍵的電子器件，廣泛應用于許多領(lǐng)域
2023-09-02 11:13:572413 功率二極管的重要性在現(xiàn)代電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域愈發(fā)顯著。兩種主要類型的功率二極管，即PN結(jié)二極管和肖特基二極管，都在不同應用中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，滿足了不同領(lǐng)域的需求。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，功率二極管仍將繼續(xù)演化，以適應不斷變化的電子市場需求。
2023-11-05 11:30:001401 
大功率二極管晶閘管知識連載——損耗
2023-12-08 16:59:471744 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:082109 
的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統(tǒng)的硅（Si）材料，SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關(guān)頻率。因此，使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:241735 SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 二極管作為一種重要的半導體器件，在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。然而，在二極管的實際應用中，反向恢復損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復損耗進行詳細探討，包括其定義、產(chǎn)生機理、計算方法以及降低損耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545158 (Si) 二極管而言，這些開關(guān)損耗來自二極管關(guān)斷時二極管結(jié)內(nèi)存儲的電荷產(chǎn)生的反向恢復電流。要將這些損耗降到最低，通常需要一個具有更高平均正向電流的 Si 二極管，但這會導致更大的尺寸和更高的成本。 在 CCM PFC 電路中，碳化硅 (SiC) 二極管是更好的選擇，因其反向恢復電流本質(zhì)上只是
2025-01-26 22:27:001635 
使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
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